耐壓MOSFET的DC/DC轉換器IC。80V的耐壓是非隔離型DC/DC轉換器IC的業界頂級水平,在ROHM的目前產品陣容中,也是耐壓最高的DC/DC轉換器IC。ROHM在推出該
2019-04-08 08:48:17
,這些特性便顯得尤為重要。GaN可處理更高頻率和更高能效的電源,與硅組件相比,它可以在尺寸和能耗減半的條件下輸送同等的功率。由此便可以提高功率密度,幫助客戶在不增大設計空間的同時滿足更高的功率要求。更高
2019-03-01 09:52:45
驅動。我們現在看到設計人員了解如何使用GaN,并看到與硅相比的巨大優勢。我們正與領先的工業和汽車伙伴合作,為下一代系統如服務器電源、旅行適配器和車載充電器提供最高的功率密度和能效。由于GaN是非常新的技術,安森美半導體將確保額外的篩檢技術和針對GaN的測試,以提供市場上最高質量的產品。
2018-10-30 08:57:22
通;P溝道MOSFET通過施加給定的負的柵-源極電壓導通。MOSFET的柵控決定了它們在SMPS轉換器中的應用。例如,N溝道MOSFET更適用于以地為參考的低側開關,特別是用于升壓、SEPIC、正向和隔離
2021-04-09 09:20:10
公司的 DrMOS 專業技術在諸如高性能計算及通信的同步降壓 DC-DC 轉換器之類的應用中實現高效率、高功率密度以及高開關頻率。透由整合的方式,整個開關功率級為驅動器和 MOSFET 動態性能、系統
2013-12-09 10:06:45
整個壽命周期成本時,逐步減少能量轉換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環境效益的大幅提升。另一方面,將更多能量轉換設備集成到更小的封裝中,即提高“功率密度”,可以更有效地利用工廠或數據中心
2020-10-27 10:46:12
在現有空間內繼續
提高功率,但同時又不希望增大設備所需的空間,”德州儀器產品經理Masoud Beheshti說,“如果不能增大尺寸,那么只能提升
功率密度?!?/div>
2019-08-06 07:20:51
碳化硅(SiC) MOSFET、超級結MOSFET、IGBT和汽車功率模塊(APM)等廣泛的產品陣容乃至完整的系統方案,以專知和經驗支持設計人員優化性能,加快開發周期。本文將主要介紹針對主流功率等級的高能效OBC方案。
2020-11-23 11:10:00
?! eapersSemiconductor的HPD系列SiC功率模塊為xEV應用提供性能。因此,設計工程師可以期望: 具有高功率密度,可減小系統尺寸; 提供更高的電源效率; 提高電池利用效率
2023-02-20 16:26:24
適配器。此外,不同的便攜式設備內部的電池數串聯節數也有可能不同。這就要求電池充電器集成電路(IC)采用降壓-升壓拓撲結構, 去適應輸入電壓和電池電壓的這些任意的變化。 具有高功率密度的降壓-升壓充電芯片
2020-10-27 08:10:42
產品概述: ZCC2480是一款內部集成有功率MOSFET管的降壓型開關穩壓器。以電流模式控制方式達到快速 環路響應并提高環路的穩定性。寬范圍輸入電壓(4.5 V至80V)提供最大1.5A電流
2020-11-09 14:53:40
散熱器的D2PAK和SuperSO8 (5毫米x 6毫米)等貼片封裝,從而大幅簡化熱管理。 因此,可以提高開關電源的功率密度,同時降低系統成本。 繼去年發布展示有巨大優勢的全新30V硅技術產品之后
2018-12-06 09:46:29
48V 電壓驅動至電路板。那么,還有什么其他辦法可以在不增加成本的前提下提高數據中心的功率密度呢?本文概述了一種兩級架構解決方案——以一種靈活的、可調節的、高性價比方式,將 48V 電壓驅動至負載點
2021-05-26 19:13:52
開發人員來說,功率密度是一個始終存在的挑戰,對各種電壓下更高電流的需求(通常遠低于系統總線)帶來了對更小的降壓穩壓器的需求,這樣的穩壓器可通過一個單極里的多個放大器,將電壓從高達48 V降至1 V,使其
2020-10-28 09:10:17
傳統變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結構
2021-03-07 08:47:04
集成來減小系統體積我還將演示如何與TI合作,使用先進的技術能力和產品來實現這四個方面,幫助您改進并達到功率密度值。首先,讓我們來定義功率密度,并著重了解一些根據功率密度值比較解決方案時的細節
2022-11-07 06:45:10
,上世紀80年代即出現了分布式電源系統,致使可以采用小型電源組件供給單個電路板安裝。例如,提供桌面個人計算機的開關電源具備了200W功率,輸出電壓為5V和12V,效率為80%,封裝功率密度為1W/in3
2016-01-18 10:27:02
全球法規和新的標準迫使電源設計人員提高電源的整體能效。美國和歐洲能源部門已經確定了新的能效標準。如果我們看看歐洲行為準則,一個40-W電源的最低平均能效在2014年和2016年之間約提升1%。請
2018-10-19 08:59:53
Vishay Siliconix推出業界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23651 Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011090 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝,具
2009-11-25 17:56:52712 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET:SiHF8N50L-E3
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比,該器件的
2010-04-07 10:52:52777 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351551 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結技術,導通電阻低至30m?、電流達6A~105A,在8種封裝中實現低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件,擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件,擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211076 日前,Vishay宣布,推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP,擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 TrenchFET? 第四代功率MOSFET---SiA468DJ,為移動設備、消費電子和電源提供了更高的功率密度和效率。
2017-04-25 15:58:551514 關鍵詞:MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出業內采用
2019-01-01 16:29:01380 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET,提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 的散熱
通過機電元件集成來減小系統體積
我還將演示如何與TI合作,使用先進的技術能力和產品來實現這四個方面,幫助您改進并達到功率密度值。
首先,讓我們來定義功率密度,并著重了解一些根據
2022-01-14 17:10:261733 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E,以提高通信和工業應用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統的功率密度是功率半導體重要的設計目標。
2022-05-31 09:47:061906 N 溝道器件實現高功率密度,降低導通和開關損耗,提高能效 ? 賓夕法尼亞、 MALVERN — 202 2 年 10 月 12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.
2022-10-12 15:44:14375 一般電驅動系統以質量功率密度指標評價,電機本體以有效比功率指標評價,逆變器以體積功率密度指標評價;一般乘用車動力系統以功率密度指標評價,而商用車動力系統以扭矩密度指標評價。
2022-10-31 10:11:213717 基于WAYON維安MOSFET高功率密度應用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35549 功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統的功率密度是功率半導體重要的設計目標。
2023-02-06 14:24:201161 80 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D230-80E
2023-02-20 19:58:350 80 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D81-80E
2023-02-20 20:03:220 80 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMXB360ENEA
2023-02-21 19:19:370 在功率器件領域,除了圍繞傳統硅器件本身做文章外,材料的創新有時也會帶來巨大的性能提升。比如,在談論功率密度時,GaN(氮化鎵)憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉換率等突出優勢,能夠幫助廠商大幅提升系統密度,而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 電力電子產品設計人員致力于提升工業和汽車系統的功率效率和功率密度,這些設計涵蓋多軸驅動器、太陽能、儲能、電動汽車充電站和電動汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 隨著汽車行業逐步縱深電氣化,我們已經創造出了顯著減少碳排放的可能性。然而,由此而來的是,增加的電子設備使得汽車對電力運作的需求日益攀升,這無疑對電源網絡提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中,MOSFET以其在電源管理設計中的關鍵切換功能,成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38280 使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28196 在電力電子系統的設計和優化中,功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關系到設備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07277 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度,增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 近日,全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET,型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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