如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V（BR）DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發生破壞的現象。
2022-08-23 11:14:18
2181 電路上TVS經常損壞的現象和原因有哪些TVS(TransientVoltageSuppressor)是一種用于保護電路免受過電壓沖擊的元件。幾乎所以的電子器件上都會需要有TVS進行電路保護。如果在
2023-08-01 00:03:41834 
造成損壞的原因可能有幾個： 1.缺少保護電路。一般來說電路中應適當設置保護電路。以吸收電路中的瞬間高壓。浪涌電壓。保護關鍵元件?！ ?.參數選取不合理。沒有余地。效應管的耐壓。電流都應該流有
2020-06-30 14:41:49
請較大家，MOS管DS擊穿在什么情況易發生，最近一產品在家里面用從來沒有壞過！但是拿出去用很容易損壞！條件沒什么特殊的
2012-09-17 13:42:15
元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。所以ESD對MOS管的損壞可能是一，三兩種情況，并不一定每次都是第二種情況。上述這三種情況中，如果元件完全破壞，必能在生產及品質測試中被察覺而排除，影響較少。如果
2017-06-01 15:59:30
有誰用過IRLML6401，接法如下圖，但是mos管不能導通是什么原因？
2015-12-18 11:19:37
管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流
2018-10-31 13:59:26
DS間加電容，測試兩種差不多的MOS管，發現MOS里面芯片大的反而沖擊電流小，這是為什么，兩種級別差不多的MOS，里面的芯片DIE大的反而沖擊電流??？，這是什么原因，耐沖擊電流與MOS管的DIE大小有關系嗎
2018-01-19 09:54:42
的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種?！ ≈劣跒槭裁床皇褂煤谋M型的MOS管，不建議刨根問底?！ τ谶@兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易
2019-02-14 11:35:54
我們在規劃制作電子捕魚器時，有兩種器材是必不可少的，一種是高頻機的功率MOS管，首要用在高頻電子捕魚器中，另一種是低頻電魚機中的三極管，首要用于低頻捕魚器中，這兩種元器材在運用中究竟有些什么區別呢
2019-05-30 00:34:14
為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主
2011-11-07 15:56:56
電路如圖，實測電路上電后，當出現負載短路、過流時，MOS管關斷，電源無輸出。但是，如果先將負載短路，再給電路上電，則Q2管子會被擊穿，有時甚至有炸管的現象。請教各位幫忙分析一下該如何改進
2020-02-16 07:00:00
最近在做一個Mos管驅動產品，發現發燙得厲害，然后參考了其他競品發現都有增加這么一個二極管，依樣增加上去后就不燙了，這就是是什么原因呢？在網上找到了原因，如下：再看MOS管本身DS極間也有個二極管
2021-09-14 07:49:42
1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全
2020-10-10 11:21:32
給到MOS管一個脈沖波形后，測試MOS管漏極電壓會出現一個drop現象，且這個drop與mos管的導通時間有關，導通時間越久這個drop越大。后面經過各種試驗發現，只要將后面的分壓電路去掉就不會
2022-04-01 16:01:21
使用ti的tps51621buck控制器，12V輸出1V輸出，高側的mos管會出現損壞造成12V對地短路的情況，MOS管高側選用的CSD16322Q5，參數滿足要求，板子放在機箱中，測試MOS管的表面溫度也不是很高。
2022-06-01 11:18:44
時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞?！ 〉湫碗娐罚骸 《?、器件發熱損壞 由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因
2018-10-29 14:07:49
管和行輸出管損壞率占95%的破環性的熱電擊穿現象，也稱為二次擊穿現象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性，即當管溫度（或環境溫度）上升時，溝道電流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A
2012-08-09 14:45:18
向右偏轉的情形。其原因是人體幾個部位和電阻對MOS管起到偏置作用，使之進入飽和區。（2）也可以用舌尖舔住柵極，現象同上。來源：網絡，如侵刪
2019-01-08 13:28:49
的直流電機時，悲劇卻發生了，而且后果非常嚴重，MOS管V2、V1的D、S極直接短路，在V7、V6導通時，造成24V直接對地短路，MOS管全部燒毀，而且還可能造成前端的２４V電源模塊損壞。分析原因
2018-05-23 18:37:13
一個簡單的NPN+P_MOS開關控制，負載是850nm激光二極管，驅動MCU是STC15F2?，F在出現mos管容易損壞的情況，本人菜鳥不知道是什么原因造成的，還望各位大神能指點一二
2018-08-29 18:06:20
損壞。即便是MOS管本身原因損壞，在MOS管擊穿的瞬間，灌流電路元件也受到傷害，也應該更換。就像我們有很多高明的維修師傅在修理A3開關電源時；只要發現開關管擊穿，就也把前面的2SC3807激勵管一起更換一樣道理（盡管2SC3807管，用萬用表測量是好的）。`
2019-04-11 12:04:23
本帖最后由 XSJ7755 于 2017-4-18 19:54 編輯
我在工作中遇到的一個案例，客戶端總是燒一個MOS 管的問題。參考附圖！為什么總是損壞MOSFETQ8212？同一片主板上用料五顆，請高手分析下原因
2017-04-18 19:56:14
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流
2018-10-25 14:40:18
，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態損耗（不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因：過流----------持續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀；過壓
2021-07-05 07:19:31
還是換上原來一樣型號的才解決問題。檢測到MOS管損壞后，更換時其周邊的灌流電路的元件也必須全部更換，因為該MOS管的損壞也可能是灌流電路元件的欠佳引起MOS管損壞。即便是MOS管本身原因損壞，在MOS
2019-02-23 16:23:40
關于怎樣確定MOS管是否會擊穿的問題。在網上有看到大概兩種說法：1.計算雪崩能量然后進行判斷MOS管是否會損壞；2.計算MOS管結溫然后查出對應的擊穿電壓。第一種不知道是要測所有的能量還是只是大于
2018-12-21 10:46:27
1.MOS管并聯的可行性分析 由下面的某顆MOS管的溫度曲線可以看出MOS管的內阻的溫度特性是隨溫度的升高內阻也增大，如果在并聯過程中由于某種原因（比如RDSON比較低，電流路徑比較短等）導致
2018-10-12 16:47:54
當可控硅損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現象分析。1、電壓擊穿?？煽毓枰虿荒艹惺茈妷憾?b class="flag-6" style="color: red">損壞，其芯片中有一個
2014-02-15 11:59:40
MOSFET的擊穿有哪幾種？如何處理MOS管小電流發熱嚴重情況？MOS管小電流發熱的原因MOS管小電流發熱嚴重怎么解決MOS管為什么可以防止電源反接？
2021-03-29 08:19:48
過熱燒毀。四、快恢復二極管規格型號不符。更換新二極管時錯將工作參數不符合要求的管子換上或者接線錯誤，造成二極管管擊穿損壞。五、電路板短路，用蒸汽清潔的電路板后，沒有晾干，由水造成電路短路故障而造成的。請在用蒸汽清潔后，再用壓縮空氣吹一遍再檢測應該可以避免這種損壞。?快恢復二極管規格書下載：
2021-05-13 17:27:00
哪位大神能幫忙分析下這個電路，安裝電池的過程中MOS管會有20%的損壞。除開靜電的損壞，還有有其他可能沒有呢?
2018-09-11 13:36:23
最近做了一個DC/DC 15V的隔離電源。PWM1，PWM2由信號源提供。但是在測試中，出現了一個奇怪的現象。每次測試，在斷電的時候。如果先停止信號源的信號，MOS就燒毀。相反，如果先停止15電，則沒事。求大神答疑解惑，小生不勝感激！
2013-11-17 15:58:46
`<p> 挖掘mos管被擊穿的原因及解決方案 一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上
2018-11-05 14:26:45
MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種?！ ≈劣跒槭裁床皇褂煤谋M型的MOS管，不建議刨根問底?！ τ谶@兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以
2018-10-18 18:15:23
?！ ≈劣跒槭裁床贿m用號耗盡型的MOS管，不建議刨根問底?！ τ谶@兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS，下面的介紹中，也
2018-12-03 14:43:36
整流二極管的損壞原因整流二極管的檢查方法整流二極管的代換
2021-04-02 06:17:32
是什么原因導致了MOS管發熱？
2021-06-07 06:21:08
`大家好，我在做一個簡單的低端驅動，使用mos管驅動電磁閥，電路及參數如下圖，mos管G極信號是0-12V?，F在的問題是當mos管打開時，DS兩端電壓會逐漸上升，至6v左右，下圖中黃線為控制信號，紫線為DS電壓。請問這種現象是什么原因呢?`
2015-02-06 20:32:21
的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發熱損壞由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因分為直流功率
2019-03-13 06:00:00
1.MOS管并聯的可行性分析 由下面的某顆MOS管的溫度曲線可以看出MOS管的內阻的溫度特性是隨溫度的升高內阻也增大，如果在并聯過程中由于某種原因（比如RDSON比較低，電流路徑比較短等）導致
2018-11-28 12:08:27
上面因素?！ ?b class="flag-6" style="color: red">五、選取耐壓BVDSS 在大多數情況下，因為設計的電子系統輸入電壓是相對固定的，公司選取特定的供應商的一些料號，產品額定電壓也是固定的?！ 祿碇泄β?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的擊穿電壓BVDSS有
2018-11-19 15:21:57
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS管，或者PMOS
2018-11-08 14:11:41
，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底?！ τ谶@兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS管。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源
2018-10-26 14:32:12
時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞?！ 〉湫碗娐? 二、器件發熱損壞 由超出安全區域弓|起發熱而導致的。發熱的原因
2018-11-21 13:52:55
的MOS管，而不會使用以前的三極管。但是性能再優越，也會出現損壞的情況，那作為廠家來說應該怎么檢測MOS管是否損壞呢？ 電路中，如何判斷MOS管的完好或失效，與單獨鑒別MOS好壞不完全相同，電路中完好
2018-12-27 13:49:40
把這些損耗控制在MOS管承受規格之內，MOS管即會正常工作，超出承受范圍，即發生損壞?！ 《_關損耗往往大于導通狀態損耗，尤其是PWM沒完全打開，處于脈寬調制狀態時（對應電動車的起步加速狀態），而最高
2019-02-28 10:53:29
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:36 編輯
MOS管被擊穿的原因及解決方案如下： 第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或
2012-07-14 15:34:14
在我們項目開發和產品量產過程中總是會出現一些 IC 損壞的現象，通常要想找出這些 IC 損壞的根本原因并不總是很容易。有些偶發性的損壞很難被重現，這時的難度就會更大。而且有些時候 IC 的失效表現
2021-03-11 07:41:29
電源開關管損壞的原因分析
2019-05-28 11:27:38
電源開關管損壞的主要原因有以下13種：1．軟啟動電路失效2．開關管集成電路板反峰吸收電路失效3．正反饋過強4．定時電容失效漏電5．穩壓電路中的去耦電容失效6．穩壓電路的負反饋開環7．開關管發射極
2011-08-09 11:51:44
9V的電壓。更換下方MOS，恢復正常。器件型號，TVS PESD24S1UB；PMOS DMP510DL。由于問題故障率太大，不能進行生產。請各位大大幫忙看看到底為什么會導致MOS損壞。怎么解決？謝謝`
2019-12-30 10:30:50
電路是這樣，輸入電壓110V，緩啟動后面接了兩個220uf電容。以前同樣的電路實驗沒有問題，后來幾年后也是同樣的電路拿出來用，結果燒MOS管。我猜測原因如下，不知道對不對，請各位大神指教。電源上電
2020-04-26 14:17:30
的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發熱損壞由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因分為直流功率
2021-11-10 07:00:00
刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS，下面的介紹中，也多以NMOS為主。MOS管的三個管教之間有
2017-12-05 09:32:00
的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS，下面的介紹中，也多以NMOS為主。MOS管的三個
2017-08-15 21:05:01
的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種?！ τ谶@兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS
2018-11-27 13:44:26
輸入電壓110V，緩啟動后面接了兩個220uf電容。以前同樣的電路實驗沒有問題，后來幾年后也是同樣的電路拿出來用，結果燒mos管。我猜測原因如下，不知道對不對，請各位大神指教。電源上電的時候
2020-05-20 10:06:20
12V；；；請問各位大佬MOS管的這種損壞屬于什么損壞，是什么導致的，感覺GS有2M應該是沒事的，這個管子以前遇到的損壞都是GS直接短路了，這個現象不一樣
2021-05-25 08:21:12
小弟是電子初學者，經常在設計電路時MOSFET管出現損壞，請問造成MOSFET管損壞有哪些原因？
2019-02-19 10:15:25
其實MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿?！ §o電擊穿有兩種
2022-05-14 10:22:39
產品在某一個批次的生產中突然發現20%的DC-DC芯片不通電，并且都表現為下MOS損壞。外圍硬件設計，有什么因素可能導致下MOS管損壞呢？如何去分析對比電源IC批次性差異呢？
2023-01-12 17:01:27
摘要：針對冷床傳輸鏈逆變器IGBT 頻繁損壞的現象，通過對逆變器輸出線路、負荷、逆變器容量、電機勵磁電流、IGBT 的發熱等進行分析，得出IGBT 損壞的原因是勵磁電流過大而造
2010-06-28 15:32:51
169
晶閘管損壞原因判別
....當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是
2009-07-28 08:15:261536 如何判別晶閘管損壞原因
....當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后
2010-03-08 09:47:31676 MOS管損毀原因總結
2017-06-19 14:22:3226 一般電容器在電源中損壞會出現什么現象，常用電容器有陶瓷電容器，多層陶瓷電容器，高壓電容，安規電容器。小編舉例了幾種常見的現象，大家可以跟小編去了解一下。 1）電容器內部的短、斷路損壞，故障現象是燒壞
2018-06-02 08:51:462049 
在工作電路中，如果晶振損壞會有哪些特征現象呢？晶振損壞分為兩大類，一是徹底停振，二是具有不穩定性。
2020-02-20 00:31:1425183 什么是MOS管？它有什么特點？在常見的控制器電路中，MOS管有幾個工作狀態，而MOS 主要損耗也對應這幾個狀態，本文就來探討一下MOS的這些狀態的原理。MOS的工作狀態分為：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態。
2020-08-09 14:15:005952 ，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在Mos承受規格之內，Mos即會正常工作，超出承受范圍，即發生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態損耗，不同Mos這個差距可能很大。 Mos損壞主要原因：
2020-08-14 10:14:093048 mos管的損壞主要圍繞雪崩損壞、器件發熱損壞、內置二極管破壞、由寄生振蕩導致的破壞、柵極電涌、靜電破壞這五大方面。接下來就由小編針對mos管的損壞原因做以下簡明介紹。
2022-03-11 11:20:172517 
MOS管有很多種類，也有很多作用，在作為電源或者驅動使用的情況下，發揮的當然是用它的開關作用。但在半導體電子應用過程中，MOS管經常會出現發燙嚴重的現象，那么是什么原因導致MOS管發燙呢？
2022-08-15 16:14:466455 簡 介： 本文對于 MOS 管工作在開關狀態下的 Miller 效應的原因與現象進行了分析。巧妙的應用 Miller 效應可以實現電源的緩啟動。
2022-09-16 09:09:402010 Mos主要損耗也對應這幾個狀態，開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發生損壞。
2023-01-30 10:48:26805 Mos是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為Mos內阻，就是導通電阻。
2023-02-07 09:46:111584 本文詳述了配電變壓器損壞原因分析及解決方法，包括配變在送電和運行中常見的故障和異常現象、配電變壓器損壞原因（尤其是從變壓器的聲音判斷故障）以及配電變壓器損壞解決措施。
2023-06-03 10:07:231410 PCB板噴涂三防漆出現縮膠現象是如何引起的呢？三防漆出現縮膠現象原因是什么？什么原因引起三防漆出現縮膠現象呢？
2022-05-06 16:44:451342 
電阻損壞的原因有哪些？ 電阻是電子元器件中最基礎、最常見的一種元件，用于控制電路中的電流和電壓。但是，電阻也會出現損壞的情況。電阻損壞的原因有以下幾點： 1. 過載使用：過載是電阻損壞最常見的原因
2023-08-29 16:46:445000 光耦損壞故障原因有哪些 光耦怎么測好壞？ 光耦（Opto-Coupler）是一種將光電設備和電子設備相互隔離或耦合的器件，它通常由發光二極管（LED）和光敏三極管（光電二極管或光敏三極管）組成
2023-11-20 16:16:282534 本文詳述了配電變壓器損壞原因分析及解決方法，包括配變在送電和運行中常見的故障和異常現象、配電變壓器損壞原因（尤其是從變壓器的聲音判斷故障）以及配電變壓器損壞解決措施。
2023-11-24 17:28:04664 光耦損壞對輸出的影響 光耦損壞都有哪些現象 怎樣測試光耦元件的好壞？ 光耦是一種用于隔離電路的元件，主要用于將輸入信號從一個電路傳輸到另一個電路，同時實現電路之間的電氣隔離。光耦損壞會對輸出產生一定
2023-12-25 14:04:50600 Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種常見的半導體器件，廣泛應用于各種電子設備中。然而，在實際應用中，MOS管可能會因為各種原因而損壞。本文將對MOS管損壞的原因進行分析
2023-12-28 16:09:38416 
串聯電抗器在運行過程中，時常會出現三大現象，比如損壞、發熱、噪音大。下面跟著薩頓斯STS來了解引起串聯電抗器損壞發熱噪音大的原因有哪些？
2024-01-15 16:24:18180 
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