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愛仕特1700V碳化硅功率模塊已實現量產

基于SiC功率器件的整機應用系統解決方案，各項性能指標達到國際水平，提供各類規格參數的SiC MOS定制化服務。

2024-01-04 標簽：SiC 功率模塊碳化硅 482

寬禁帶半導體技術的前沿發展有哪些

逆變器是將直流電轉換為交流電的電源電路。在應用設備中，為了實現節能，對小型、輕量、高效的逆變器的需求不斷增加。為了實現逆變器的高速運行，已經提出使用寬帶隙半導體和結合n溝道和p溝道晶體管的互補功率逆變器。

2024-01-03 標簽：MOSFET 逆變器 SiC 功率半導體寬禁帶半導體 438

日本團隊開發出一種“常關”鉆石 MOSFET

MOSFET是一種MOS結構的場效應晶體管(FET)，具有高速、低導通電阻、高擊穿電壓的特點，特別適合作為電機驅動的開關元件，高速開關大電流等已經完成。

2023-12-29 標簽：MOSFET 晶體管場效應晶體管金剛石 238

碳化硅器件領域，中外的現況如何？

導電型碳化硅功率器件主要是通過在導電型襯底上生長碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進一步加工制成，品種包括SBD（肖特基二極管）、MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）等，主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、數據中心、充電等基礎建設。

2023-12-27 標簽：IGBT 場效應晶體管功率器件 SiC 碳化硅 362

半導體分立器件行業發展趨勢分析

近年來，全球半導體分立器件行業市場規模呈現波動變化。根據數據顯示，2021年全球半導體分立器件行業市場規模為303.37億美元，同比增長27.4%，2022年進一步同比增長12.1%，為339.93億美元。

2023-12-25 標簽：MOSFET IGBT 功率器件工業控制半導體分立器件 624

碳化硅是新能源汽車800V高壓快充標配？

根據 Yole 數據，2021 年 SiC 市場份額前五廠家均為歐美日企業，合計占據 93%的市場份額，其中意法半導體依靠與特斯拉的合作占據全球 40% 的市場份額。

2023-12-22 標簽：新能源汽車 IGBT SiC 碳化硅 800V平臺 374

全球大廠帶節奏，日本功率半導體市場承受壓力

近日，日本電子元器件領域的兩家重要企業羅姆半導體和東芝，聯合發布聲明，計劃進行一項巨額投資。

2023-12-21 標簽：SiC GaN 存儲芯片功率半導體功率芯片 162

數字IC與模擬IC的架構差異

如今的芯片大多數都同時具有數字模塊和模擬模塊，因此芯片到底歸屬為哪類產品是沒有絕對標準的，通常會根據芯片的核心功能來區分。在數?；旌闲酒膶嶋H工作中，數字IC與模擬IC工程師也是遵照各自的流程分別開展工作。

2023-12-20 標簽：模擬IC cpu 微處理器模擬芯片數字芯片 257

特斯拉為何對碳化硅忽冷忽熱？

第一代半導體材料是指硅、鍺元素等單質半導體材料，鍺做的晶體管曾經也是流行的老大，但由于速度較慢、不耐熱等缺點，在八十年代初就被硅基管給取代了，一直到現今，90％以上的芯片都是以硅為基底，晶圓也基本都是硅片（就是沙子）。

2023-12-20 標簽：晶體管特斯拉半導體器件碳化硅 157

納微半導體GeneSiC起源與SiC的未來

GeneSiC 在滿足汽車行業需求的經驗還包括開發快速充電站解決方案，這對 EV 的快速普及至關重要。以 SK Signet 最近設計的額定 350kW 快速充電樁為例，它可以將 277VAC 的市電變換為200~950VDC 精準控制的電壓，適用于 400V 和 800V 電壓平臺的 EV。

2023-12-13 標簽：二極管晶體管 SiC 電機繞組納微半導體 472

碳化硅晶片制備技術與國際產業布局

碳化硅晶片薄化技術，碳化硅斷裂韌性較低，在薄化過程中易開裂，導致碳化硅晶片的減薄非常困難。碳化硅切片的薄化主要通過磨削與研磨實現。

2023-12-12 標簽：單晶片碳化硅 326

一種具有新信號處理行為的光控二極管研究發布

據麥姆斯咨詢報道，近日，中國科學院金屬研究所科研團隊發明了一種具有新信號處理行為的光控二極管，相關研究成果在線發表于《國家科學評論》（National Science Review）。

2023-12-12 標簽：集成電路二極管光電探測器光學成像光電芯片 173

關于碳化硅，這些數據你了解嗎

在新能源汽車方面的應用主要有主驅逆變器、車載充電器OBC、DC/DC等；在充電基礎設施方面的應用主要有快速直流充電、無線充電、工業充電器等；在IT基礎設施方面的應用主要有PFC、DC/DC 轉換器等。

2023-12-12 標簽：晶圓逆變器斷路器 SiC 碳化硅 177

如何將碳化硅成本將下降30%

國內企業率先在半絕緣襯底方面取得了非?？斓倪M展。而在導電型襯底方面，2021-2022年國內各個襯底廠商的外部的應用需求迅速增長，同時在各項指標上已經得到了下游端客戶的驗證。

2023-12-07 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 216

安世半導體推出首款SiC MOSFET，聚焦電動汽車充電樁等...

，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。

2023-12-05 標簽：電動汽車充電樁 SiC MOSFET 安世半導體 226

國產碳化硅生產企業排行榜

憑借其卓越性能而被不斷應用于光伏發電、電動汽車、軌道交通和風力發電等領域，引領著電力電子領域的一次技術革命。全球碳化硅功率器件市場規模預計將從2021年10.9億美元增長至2027年62.97億美元，年均復合增長率達34%。

2023-12-05 標簽：電動汽車光伏發電功率器件半導體材料碳化硅 4237

汽車半導體供需發生改變，碳化硅是否隨著更改？

汽車一直是碳化硅（SiC）的主要應用市場。在整個汽車半導體供需發生改變的情況下，碳化硅是否還會延續此前供不應求的市場行情？

2023-12-05 標簽：MOSFET IGBT SiC 碳化硅汽車半導體 196

下一代的CMOS邏輯將邁入1nm時代？

下一代 CMOS 邏輯晶體管的另一個有希望的候選者是通道是過渡金屬二硫屬化物 (TMD) 化合物的二維材料（單層和極薄材料）的晶體管。

2023-11-24 標簽：CMOS 邏輯電路圖像傳感器晶體管半導體器件 244

國產氮化鎵實現新突破，1200V的氮化鎵器件有何優勢？

眾所周知，GaN 功率晶體管的關鍵問題之一是它們在開關操作期間的動態導通電阻 (RDS(ON)) 增加，這會影響 GaN 功率晶體管和整個系統的可靠性。

2023-11-22 標簽：導通電阻氮化鎵開關器件柵極驅動器 907

2030年，中國仍將是最大的碳化硅市場

在電動汽車領域，純電動汽車BEV、混合動力HEV、插電式混合動力電動汽車PHEV、400伏/800伏的系統將直接影響碳化硅（SiC）相對采用率，800伏的純電動汽車動力系統最有可能采用SiC器件。

2023-11-21 標簽：電動汽車晶圓碳化硅動力汽車 271

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