功率半導體2035年市值將達77,757億日元，SiC等占45%

2024年2月，富士經濟對全球功率半導體及其零部件和制造設備市場進行了調查，并公布了到2035年的市場預測。預計到 2035 年，功率半導體的市場規模將達到 77,757 億日元，而 2023 年將達到 31,739 億日元。其中，SiC（碳化硅）等下一代功率半導體的成分比例預計將在2035年增加至45%左右。

此次調查針對功率半導體18項、零部件材料20項、制造設備19項。調查期間為2023年10月至2024年2月。

2023年的“功率半導體市場”將比2022年增長5.2%。其中，硅基功率半導體幾乎持平，為27795億日元，而基于SiC、GaN（氮化鎵）等的下一代功率半導體價值3944億日元，盡管規模有所增長，但同比增長增幅仍然較小，增幅高達62.2%。

市場預測2035年硅功率半導體的價值將達到43,178億日元。相比之下，下一代功率半導體將花費34,579億日元。下一代功率半導體市場將因電動汽車的普及而擴大。此次，除了已實用化的SiC、GaN之外，還對將于2024年開始量產的“氧化鎵”以及預計2030年左右開始上市的“金剛石”進行了調查。

預計到 2035 年，“零部件材料”的全球市場規模將達到 1.82 萬億日元，而 2023 年將達到 4883 億日元。目標組件是晶圓、前處理材料和后處理材料，但晶圓和后處理材料占據了95%以上的市場。未來，我們預計汽車和電氣設備領域對后處理材料的需求將會增加。除了SiC晶圓外，我們還預計GaN晶圓和氧化鎵晶圓在中長期內也會出現增長。

“制造設備”的全球市場預計到 2035 年將達到 1.1 萬億日元，而 2023 年將達到 5585 億日元。市場大致分為“前端設備”、“后端設備”和“檢驗/測試設備”，其中前端設備占比近80%。SiC功率半導體的資本投資將于2023年開始活躍，為中國和其他國家電動汽車市場的擴張做好準備。盡管作為反應，增速將在2024年放緩，但之后預計將再次擴張。

該報告列出了三種感興趣的市場產品：“SiC功率半導體”、“GaN功率半導體”和“氧化鎵功率半導體”。

汽車、電氣設備和能源對SiC功率半導體的需求強勁，2023年銷售額較上年增長63%，達到3870億日元。從2025年開始，主要半導體制造商將完成資本投資，量產系統將就位。據此，預計2035年市場規模將達到31,510億日元。

GaN功率半導體的主要市場是高速充電AC適配器和服務器電源。2035年市場規模預計為2674億日元，而2023年為74億日元。除了傳統應用市場外，我們預計未來的應用包括汽車和電氣設備的車載充電器和DC-DC轉換器等。

氧化鎵功率半導體仍處于樣品評估階段。當FLOSFIA和Novel Crystal Technology于2024年開始量產時，預計市場價值將達到6億日元。未來也正在考慮在汽車和電氣設備領域采用，預計到2035年市場規模將擴大到385億日元。

審核編輯：黃飛

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