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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱(chēng)碳硅石。在當代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應用最廣泛、最經(jīng)濟的一種,可以稱(chēng)為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱(chēng)碳硅石。在當代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應用最廣泛、最經(jīng)濟的一種,可以稱(chēng)為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。
理化性質(zhì)
物質(zhì)特性
碳化硅由于化學(xué)性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好,除作磨料用外,還有很多其他用途,例如:以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機葉輪或汽缸體的內壁,可提高其耐磨性而延長(cháng)使用壽命1~2倍;用以制成的高級耐火材料,耐熱震、體積小、重量輕而強度高,節能效果好。低品級碳化硅(含SiC約85%)是極好的脫氧劑,用它可加快煉鋼速度,并便于控制化學(xué)成分,提高鋼的質(zhì)量。此外,碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級,僅次于世界上最硬的金剛石(10級),具有優(yōu)良的導熱性能,是一種半導體,高溫時(shí)能抗氧化。
碳化硅至少有70種結晶型態(tài)。α-碳化硅為最常見(jiàn)的一種同質(zhì)異晶物,在高于2000 °C高溫下形成,具有六角晶系結晶構造(似纖維鋅礦)。β-碳化硅,立方晶系結構,與鉆石相似,則在低于2000 °C生成,結構如頁(yè)面附圖所示。雖然在異相觸媒擔體的應用上,因其具有比α型態(tài)更高之單位表面積而引人注目,而另一種碳化硅,μ-碳化硅最為穩定,且碰撞時(shí)有較為悅耳的聲音,但直至今日,這兩種型態(tài)尚未有商業(yè)上之應用。
因其3.2g/cm3的比重及較高的升華溫度(約2700 °C),碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件。在任何已能達到的壓力下,它都不會(huì )熔化,且具有相當低的化學(xué)活性。由于其高熱導性、高崩潰電場(chǎng)強度及高最大電流密度,在半導體高功率元件的應用上,不少人試著(zhù)用它來(lái)取代硅[1]。此外,它與微波輻射有很強的耦合作用,并其所有之高升華點(diǎn),使其可實(shí)際應用于加熱金屬。
純碳化硅為無(wú)色,而工業(yè)生產(chǎn)之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產(chǎn)生之二氧化硅保護層所致。
物質(zhì)結構
純碳化硅是無(wú)色透明的晶體。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類(lèi)和含量不同,而呈淺黃、綠、藍乃至黑色,透明度隨其純度不同而異。[1] 碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC(稱(chēng)立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結構中碳和硅原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體,已發(fā)現70余種。β-SiC于2100℃以上時(shí)轉變?yōu)?alpha;-SiC。碳化硅的工業(yè)制法是用優(yōu)質(zhì)石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。煉得的碳化硅塊,經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品。
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2024-06-14 標簽:ipo碳化硅科創(chuàng )板 1825 0
硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)的主要區別
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2024-06-13 標簽:功率轉換器軟開(kāi)關(guān)碳化硅 163 0
電驅逆變器模塊連續工作測溫系統的開(kāi)發(fā)步驟和過(guò)程
摘要 本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內并聯(lián)裸片之間的熱失衡問(wèn)題的解決方案,該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆...
碳化硅(SiC)功率器件的開(kāi)關(guān)性能比較
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R24C2T25可簡(jiǎn)化SiC的選擇和評估過(guò)程
毫無(wú)疑問(wèn),寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費類(lèi)及其他電源應用領(lǐng)域的首選器件。
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2024-04-29 標簽:電動(dòng)汽車(chē)功率器件SiC 400 0
在當今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越性能,成為了領(lǐng)域內的明星產(chǎn)品,它的出現預示著(zhù)一次技術(shù)革命的悄然到來(lái)。
碳化硅 (SiC) MOSFET:為汽車(chē)電氣化的未來(lái)提供動(dòng)力
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GD316x故障管理、診斷、中斷和優(yōu)先級表 先進(jìn)IGBT和碳化硅柵極驅動(dòng)器立即下載
類(lèi)別:電子資料 2023-08-17 標簽:IGBT柵極驅動(dòng)器碳化硅
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2023-06-05 標簽:MOS管碳化硅
比亞迪新建碳化硅工廠(chǎng)預計今年下半年投產(chǎn)
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國內外突破:三種新工藝方案引領(lǐng)8英寸SiC生產(chǎn)降本增效
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英飛凌馬來(lái)西亞居林碳化硅晶圓廠(chǎng),全球功率半導體產(chǎn)業(yè)新引擎
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2024-06-15 標簽:半導體晶圓廠(chǎng)碳化硅 89 0
基本半導體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展
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英國公司Clas-SiC考慮在印度建設碳化硅工廠(chǎng)
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