、耐高壓的特性被越來越多的車企認可，市場發展前景逐漸明朗。 ? 在此歲末年初之際，讓我們共同回顧2021國內外碳化硅產業發生的重大事件。 ? 天岳先進躋身碳化硅襯底第一梯隊，首發過會并成功上市 ? 天岳先進是國內碳化硅襯底領域
2022-01-24 09:31:57
3816 中科院成功制備8英寸碳化硅襯底 ? 近日中科院物理研究所在官網發文表示，科研人員通過優化生長工藝，進一步解決了多型相變問題，持續改善晶體結晶質量，成功生長出單一4H晶型的8英寸SiC晶體，加工出厚度
2022-05-07 00:55:003759 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）新能源汽車市場規模急劇上漲，對于碳化硅產業而言，上游產能擴充是現今各大廠商所一直努力的方向?？梢钥吹竭^去一年里，海內外都持續投入到包括碳化硅上游襯底和外延片、中游
2023-02-20 09:13:0116076 從產業鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設計、器件制造等環節，但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業所壟斷。
2018-12-06 16:03:5612188 摘要 本發明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:381637 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）襯底產能在近年成為了碳化硅行業痛點，隨著電力電子行業，包括電動汽車、光伏、儲能、風電等新能源應用市場的發展，碳化硅功率器件因為高效率、高耐壓等優勢受到了追捧，導致產能
2022-09-07 07:56:002422 快速發展，碳化硅芯片在未來2至3年都將呈現供不應求的態勢。DIGITIMES Research預測，2030年全球電動汽車銷量有望超越5000萬輛，將帶動SiC功率器件于電動車市場銷售額突破八成。 ? 5月3日，英飛凌與國內碳化硅公司天科合達、天岳先進簽訂長期協
2023-05-24 00:10:003423 
空間大 ? 國內碳化硅產業近年來發展神速，首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產以及8英寸襯底的研發進度大幅拉近了與海外領先玩家的差距，另一方面是產能擴張上的投入越來越大。這使得國內在全球碳化硅產業中，無論是從市場需求，還是
2023-12-12 01:35:001178 不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件，沒有少數載流子注入和自由電荷的存儲。在恢復瞬態，所涉及的電荷只有結耗盡區電荷，而且它比相同結構的Si器件結耗盡區電荷至少小一個數量級。這對于要求工作于高阻斷
2020-09-24 16:22:14
一樣，可以制成結型器件、場效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管?！ ∑鋬烖c是： (1)碳化硅單載流子器件漂移區薄，開態電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
了?！ 」逃袃瀯菁由献钚逻M展 碳化硅的固有優勢有很多，如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優良的導通電阻/片芯面積和開關損耗、快速開關等。最近，UnitedSiC采用常關型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經
2023-02-27 14:28:47
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
?？寡趸砸彩撬蟹茄趸锾沾芍泻玫?。是極其優秀的陶瓷材料。碳化硅（SiC）的市場前景隨著信息科技的飛速發展，我國對半導體需求越來越多，我國已經成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重
2021-01-12 11:48:45
關注該新藍海市場。由于汽車的使用是在高速行駛的惡劣環境下進行，使得碳化硅封裝基板在耐溫、抗電磁波、抗震與耐腐蝕等要求上更勝于傳統封裝基板,因此確保汽車零件的質量并保障駕駛及乘客的生命安全是所有車廠最重
2020-12-16 11:31:13
10.5公斤/平方厘米，高溫強度很好?？箯潖姸戎敝?400℃仍不受溫度的影響。1500℃時，彈性模量仍有100公斤/平方厘米。上述數據均測自大塊材料。4)熱膨脹系數較低，導熱性好。5)碳化硅導電性較強
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
）結構示意圖，其結構大致可分為四部分，上表面陽極金屬、外延層（漂移區+緩沖區）、襯底層和背面陰極金屬?！ ∽鳛閱螛O型器件，碳化硅肖特基二極管優點尤為突出，其“反向恢復為零”的特點讓其反向特性相比硅基快恢復
2023-02-28 16:55:45
時，恢復時間和恢復電流就越大，損耗也就越大?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管是一種多數載流子導電器件（單極性器件），在工作過程中不會發生少數載流子存儲的現象，也不會產生過大的正反向切換瞬態沖擊電流，只有結電容放電
2023-02-28 16:34:16
已經成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
，該晶圓有望實現縱型FET。與碳化硅基的縱型MOS FET相比，在性能方面，縱型FET具有更高的潛力（下圖5）。與利用傳統的體塊式氮化鎵晶圓制成的芯片相比，實驗制作的二極管的ON電阻值降低了50%，縱
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
應用領域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對電網的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現，強強聯手避免短板。創能動力推出的碳化硅二
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓撲相結合，可提供最佳的性價比?；旌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅結合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續流二極管，也是一個不錯的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達50
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案?！ ≡撈骷鹘y
2023-02-28 16:48:24
的一個原因是由關斷時驅動集成電路和碳化硅MOSFET之間電路板寄生電感制造的柵源極電壓振蕩，這振蕩是由于碳化硅MOSFET關斷時電路板寄生電感有高速關斷電流（di/dt）通過所致。第二個常見原因是導
2023-03-14 14:05:02
了第一代和第二代產品的優點，采用JBS結構，優化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向導通壓降VF和結電荷QC，可以降低應用端的導通損耗和開關損耗?！ D（1）碳化硅二
2023-02-28 17:13:35
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
，保證各大功率負載的正常運行。同時在汽車驅動模塊中還需要抗震耐磨的PCB，而碳化硅材料的耐磨與抗震等機械性能優良，能保證其長久的使用壽命。根據時報，新能源汽車電源模塊至2020年市場空間有望提升
2020-12-09 14:15:07
碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案，搭配基本半導體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET?！ ?、通用型驅動核 1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發的一系列針對于單管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數都采用藍寶石襯底技術。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數據不得而知。硅襯底成本低，但目前技術還不完善?！ 腖ED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
好，硬度大（莫氏硬度為9.5級，僅次于世界上最硬的金剛石（10級））、導熱性能優良、高溫抗氧化能力強等。由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。二、碳化硅半導體器件由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅市場，X—Fab、日本羅姆等企業早些時候也相繼宣布將擴大碳化硅產能，碳化硅產業海外重要玩家已開始備戰。從產業鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設計、器件制造等環節，但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業所壟斷。
2018-12-06 16:08:00138137 碳化硅襯底生產的國外核心企業，主要是美國CREE，美國 II-VI，和日本昭和電工，三者合計占據75%以上的市場。技術上，正在從 4 英寸襯底向 6 英寸過渡，8 英寸硅基襯底在研。
2020-10-19 14:59:079808 隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領域的爆發，引爆了對第三代半導體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場需求，國內眾多企業紛紛通過加強技術研發與資本投入布局碳化硅產業，今天我們首先
2021-07-29 11:01:184375 前言 碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405267 設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業 Soitec 宣布，與全球電力和先進材料領域專家美爾森達成戰略合作，攜手為電動汽車市場開發多晶碳化硅（poly-SiC）系列襯底。
2021-12-08 11:18:17638 意法半導體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠，以支持意法半導體客戶對汽車及工業碳化硅組件與日俱增的需求，協助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預計2023年開始投產，以實現碳化硅襯底的供應在對內采購及行業供貨間達到平衡。
2022-10-08 17:04:031349 意法半導體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠，以支持意法半導體客戶對汽車及工業碳化硅組件與日俱增的需求，協助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預計2023年開始投產，以實現碳化硅襯底的供應在對內采購及行業供貨間達到平衡。
2022-10-09 09:10:55741 雙方同意對Soitec技術進行產前驗證， 以面向未來的8寸碳化硅襯底制造 提供關鍵半導體賦能技術，支持汽車電動化和工業系統能效提升等轉型目標 意法半導體(簡稱ST)和世界先驅的創新半導體材料設計制造
2022-12-08 12:22:48616 前言：碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅技術龍頭企業 碳化硅市場格局 碳化硅產業鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環節，目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，根據Yole數據顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據了90％的SiC
2023-02-02 15:02:543931 碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關系更為復雜。碳化硅的導電率隨溫度升高到一定值時出現峰值，繼續升高溫度，導電率又會下降。
2023-02-03 09:31:234410 碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅產業鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應用。通常采用物理氣相傳輸法（PVT法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關器件。在SiC器件的產業鏈中，由于襯底制造工藝難度大，產業鏈價值量主要集中于上游襯底環節。
2023-02-03 16:30:133953 碳化硅在半導體芯片中的主要形式為襯底。半導體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結構都可劃分為“襯底-外延-器件”結構。碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:481086 晶錠進過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經過外延生長就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
全球碳化硅產業呈現明顯的行業上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產業鏈中的核心環節，已成為兵家必爭之地。
2023-03-23 10:30:041284 點擊藍字?關注我們 本文來源：中國電子報 在能源電子產業加速發展的背景下，全球光伏裝機量持續攀升，為碳化硅帶來可觀的市場增量。Yole研報預計，應用于光伏發電及儲能的碳化硅市場規模將在2025年達到
2023-04-20 07:15:07583 
按照電學性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應用領域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 碳化硅襯底 產業鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環節主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環節。
2023-05-09 09:36:483430 
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場，以及未來的發展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅產業鏈主要分為襯底、外延、器件和應用四大環節，襯底與外延占據 70%的碳 化硅器件成本。根據中商產業研究院數據，碳化硅器件的成本構成中，襯底、外延、前段、 研發費用和其他分別占比為 47%，23%，19%，6%，5%，襯底+外延合計約 70%
2023-06-26 11:30:56733 
長 據TechInsights最新電動汽車服務報告指出，碳化硅市場收益在2022年至2027年期間預計將以35%的復合年增長率從12億美元增長至53億美元。到2029年，碳化硅市場規模將增長至94億美元，其中中國將占據半壁江山。 另一家分析機構TrendForce也認為，汽車將主導碳化硅
2023-08-14 12:27:01468 當前，全球碳化硅產業格局呈現美、歐、日三足鼎立態勢，碳化硅材料七成以上來自美國公司，歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應用產業鏈，日本則在碳化硅芯片、模塊和應用開發方面占據領先優勢。
2023-08-15 10:07:41260 
目前，碳化硅（SiC）這種半導體材料因其在電力電子應用中的出色表現引起了廣泛的關注。對晶圓和器件的研究在近年來已經取得很大進展。碳化硅是一種寬禁帶（WBG）半導體材料。禁帶通常是指價帶和導帶之間
2023-08-30 08:11:47695 
前來看，在未來一段時間內，6英寸導電型產品將作為主流尺寸，但隨著技術的進步、基于成本和下游應用領域等因素考慮，8英寸導電型碳化硅產品將是碳化硅襯底行業的發展趨勢。最終的周期將取決于技術的進度、下游市場的發展情況等多方面因素。
2023-09-12 09:27:35234 在碳化硅襯底的制備原料里，以2021年為例，石墨件成本占比為45.21%，石墨氈占比為41.32%，占據了原料成本的86.53%，相對比與碳粉、硅粉占比0.97%、1.99%可謂差別巨大
2023-10-09 16:37:571211 
碳化硅襯底是新近發展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域，處于寬禁帶半導體產業鏈的前端，是前沿、基礎的核心關鍵材料。
2023-10-09 16:38:06529 
2023年9月，科友半導體自產首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:46404 科友半導體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產線建設，加快襯底加工設備調試與工藝參數優化。
2023-10-18 17:43:40724 業內人士預測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術。在國內市場方面，碳化硅設備、襯底和外延領域也有突破性進展，多家行業龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969 在碳化硅產業鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產業鏈技術壁壘最高、價值量最大的環節，是未來碳化硅大規模產業化推進的核心環節。
碳化硅襯底的生產流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環節。
2023-10-27 09:35:57931 碳化硅襯底，新能源與5G的基石
2023-01-13 09:07:40
3 單晶生長，以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體；2）襯底環節，碳化硅晶體經過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片，也即半導體襯底材料；
2023-12-05 15:26:53561 
當前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術的重要發展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
導電型碳化硅功率器件主要是通過在導電型襯底上生長碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進一步加工制成，品種包括SBD（肖特基二極管）、MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）等，主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、數據中心、充電等基礎建設。
2023-12-27 10:08:56306 
國內主要的碳化硅襯底供應商包括天岳先進、天科合達、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線，覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環節。部分廠商還自研單晶爐設備及外延片等產品。
2024-01-12 11:37:03864 
1月23日，山東有研硅半導體表示已與山東粵海金于1月17日正式簽署了《碳化硅襯底片業務合作協議》，該協議旨在充分發揮雙方各自優勢，創新業務合作模式，共同拓展碳化硅襯底片市場與客戶。
2024-01-29 14:36:57459 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近期國內碳化硅襯底供應商陸續獲得海外大廠的訂單，4月底，天岳先進在2022年年報中披露去年公司與博世集團簽署了長期協議，公司將為博世供應碳化硅襯底產品
2023-05-06 01:20:002328 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在過去的2023年里，國內碳化硅產業經歷了可能是發展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破，8英寸進展神速，同時三安和天岳先進、天科合達等獲得海外芯片巨頭的認可，簽下
2024-01-08 08:25:342171 
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