砷化鎵器件在微波領域的應用
GaAs器件在微波領域的應用非常廣泛，器件分類齊全，包括徽波分立器件、微波混合集成電路、微波模擬和數字單芯片集成電路等。
國內碳化硅襯底生產企業盤點
在碳化硅產業鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產業鏈技術壁壘最高、價值量最大的環節，是未來碳化硅大規模產業化推進的核心環節。 碳化硅襯底的生產流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環節。
馬斯克的攪局 碳化硅陷入“失寵”的輿論漩渦
從去年至今，我國氧化鎵半導體制備技術已經屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底，再到最新的8英寸外延片，我國氧化鎵半導體制備技術越來越成熟。
碳化硅芯片國際發展的現狀與總體趨勢
現有車用控制器普遍采用硅芯片，經過20多年的技術開發已經十分成熟，在許多方面已逼近甚至達到了其材料的本征極限。以碳化硅為代表的第三代半導體材料因具有高熱導率、高硬度、耐化學腐蝕、耐高溫、對光波透明等優良性質，吸引各國學者的注意力，目前已成為電力電子器件的新寵。
安建科技推出基于七層光罩工藝的12英寸第七代IGBT芯片
近期，半導體產業網記者從安建科技官微獲悉，安建科技將自有專利的第7層光罩工藝流程成功轉移至國內頂級12-inch IGBT加工平臺，也是國內首家推出基于7層光罩工藝的12-inch第七代IGBT的國產廠家。此項技術突破表征了安建在國內IGBT芯片及加工工藝設計方面的雙重技術領先優勢。
GaN Systems 第四代氮化鎵平臺概述
全球氮化鎵功率半導體領導廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著的性能表現優化及業界領先的質量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 標簽：嵌入式晶體管氮化鎵功率半導體GaN Systems 329
一種通過低溫方法制造的柔性硫化鉛膠體量子點光電二極管陣列
將來自多光譜圖像的信息組合成融合圖像，不僅可以提供豐富的信息，而且有助于人類或機器感知。
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