基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設計
功率模塊從硅IGBT技術過渡到基于SiC MOSFET技術是不可避免的。然而,從硅IGBT時代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術的商業化,因為它們已經被認為具有較高的寄生電感。
- 專欄三菱電機半導體
- 7小時前
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安建半導體推出針對大電流高功率應用的SGT MOSFET器件
近年來,工業及消費市場對于系統的要求不斷提高,為達到更優秀的效率、可靠性及熱性能,MOSFET作為功率核心部件擔當著非常重要的角色。
- 專欄JSAB安建科技
- 2天前
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模擬芯片企業帝奧微亮相2024汽車智慧照明系統創新技術大會
2024年4月19日,由鈦祺汽車主辦的“2024汽車智慧照明系統創新技術大會”在上海圓滿舉行。此次展會旨在為與行業機構、汽車制造商、照明系統供應商和技術研發人員等專業人士提供一個平臺,共同探討汽車行業智慧照明的現狀、前瞻技術及發展趨勢,推動智能汽車產業的快速發展。 在智能化加速的背景下,車燈作為視覺件有望實現從“照明”到“表達”的功能升級,消費者對汽車照明系統的要求也越來越高,不僅要求照明效果更好,還要求具備更高的
- 專欄江蘇帝奧微電子股份有限公司
- 8天前
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原一鯨落萬物生,京元電退出,大陸廠吃飽
電子發燒友網報道(文/黃山明)近日,總部位于中國臺灣的封測大廠京元電子宣布出售旗下京隆科技(蘇州)有限公司92.1619%股權,預計交易金額為人民幣48.85億元。出售之后,京元電不再持有京隆科技任何股權。目前該交易還需取得相關主管機構的核準,預計將在今年三季度前完成。 ? 如果交易達成,意味著已經進入大陸市場22年之久的京元電終究選擇了退出,而其留下的市場以及產業都由大陸廠商接手。對于大陸半導體封測市場而言,新的格局已悄
- 專欄Simon觀察
- 9天前
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碳化硅功率器件:高效能源轉換的未來
在現代電子行業,隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應用的增多,傳統的硅(Si)基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。
- 專欄國晶微第三代半導體碳化硅SiC
- 9天前
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什么是差分信號 差分信號與單端信號的區別
由于差分信號的開關變化是位于兩個信號的交點,而不像普通單端信號依靠高低兩個閾值電壓判斷,因而受工藝,溫度的影響小,能降低時序上的誤差,同時也更適合于低幅度信號的電路。
- 專欄星星科技指導員
- 11天前
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信號處理常用算法簡介
變分模態分解(Variational Mode Decomposition,縮寫VMD):模態分解認為信號是由不同“模態”的子信號疊加而成的,而變分模態分解則認為信號是由不同頻率占優的子信號疊加而成的,其目的是要把信號分解成不同頻率的子信號。
- 專欄要長高
- 11天前
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碳化硅功率器件:革新電力電子的未來龍頭
在當今追求高效能、高耐用性的電力電子領域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越性能,成為了領域內的明星產品,它的出現預示著一次技術革命的悄然到來。
- 專欄國晶微第三代半導體碳化硅SiC
- 12天前
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MOSFET在開關電源中的作用
MOSFET作為開關元件,在開關電源中需要頻繁地切換兩種狀態:導通和截止,以控制電流的通斷。這種切換過程對于電源的穩定輸出至關重要。
- 專欄要長高
- 13天前
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如何選擇開關電源的MOSFET
DC/DC 開關控制器的 MOSFET 選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。
- 專欄星星科技指導員
- 13天前
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原兆易創新今年Q1凈利超2023全年,NOR Flash出貨量已超212億顆
電子發燒友網報道(文/劉靜)近日,知名存儲芯片廠商兆易創新發布《2023年年度報告》以及《2024年第一季度報告》。存儲芯片行業在經歷一段時間的市場波動后,目前正處于一個關鍵時期。多方數據和專家觀點,都表示存儲芯片行業可能正在逐步走出周期底部。兆易創新作為國內存儲芯片的頭部企業,它的財報將透露出市場的哪些新信息呢? ? 存儲芯片復蘇明確,2024 一季度凈利超過2023 全年 ? 財報顯示,2023年兆易創新實現營業收入57.61億元,比202
- 專欄Tanya解說
- 13天前
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功率循環對IGBT壽命有何影響?如何準確估算功率器件的壽命呢?
運行過程中產生的高結溫和高溫度梯度會引起機械應力,尤其是在具有不同熱膨脹系數的材料之間的接觸面上,這可能導致這些器件性能退化甚至完全失效。
- 專欄貝思科爾
- 14天前
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聚焦大功率氮化鎵(GaN)器件及其在實際應用中所面臨的相關熱問題
熱設計是一個至關重要的課題,其中的各種規則、縮略語和復雜方程時常讓人感到它似乎是個深不可測的神秘領域;
- 專欄Qorvo半導體
- 14天前
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零漂移運算放大器是您設計的最佳選擇嗎?
零漂移放大器具有所有運算放大器拓撲結構中最低的輸入失調電壓(Vos)和失調電壓漂移。與同類最佳的精密低輸入失調電壓運算放大器相比,斬波器的失調漂移比傳統激光和封裝調整精密運算放大器好幾十到幾百倍。零漂移放大器在低頻時也具有平坦的噪聲頻譜密度曲線,而傳統放大器具有1/f噪聲區域,噪聲會在該區域增加。 電源抑制比、共模抑制比、開環增益和電磁干擾(EMI)抑制比等其它參數在零漂移放大器中都有所改善,因為這些參數表示Vo
- 專欄eeDesign
- 15天前
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英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術
英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比,英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V Generation 2 技術在確保質量和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(如能量和電荷儲量)提高了20%,不僅提升了整體能效,更進一步推動了低碳化進程。
- 專欄儒卓力
- 18天前
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全球首款氮化鎵量子光源芯片誕生
量子光源芯片作為量子互聯網的“心臟”,在量子通信中扮演著至關重要的角色。而電子科技大學團隊此次研發的氮化鎵量子光源芯片,在性能上取得了顯著的突破。
- 專欄牛牛牛
- 19天前
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SiC器件的工作原理與主要優勢!
在追求能源效率和對高性能電力電子系統的需求不斷增長的今天,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩定性,正在變革傳統功率電子技術。
- 專欄國晶微第三代半導體碳化硅SiC
- 20天前
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