激光雷達的工作原理是向目標發射探測信號（激光束），然后將接收到的從目標反射回來的信號（目標回波）與發....
襯底（substrate）是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進入晶圓制造環節生產半導體....
根據電荷守恒原理,在一個孤立回路中，電荷代數和總是相等不變。
自動對焦是相機系統中的重要組成部分，其作用是在拍攝圖像時自動調整相機鏡頭使圖像達到最清晰的效果。
Lattice Parameters：晶格參數。確保襯底的晶格常數與將要生長的外延層相匹配，以減少缺....
氮化鎵(GaN)技術在5G基站、衛星通信、國防系統和其他應用中的迅速普及提高了晶體管建模的門檻。
熱氧化是在高溫下通過化學反應在硅表面生成氧化硅的方式。
CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測試的成本。
光柵是通過將光纖暴露在紫外線下來寫入的。紫外線（244nm）能夠對芯的折射率進行永久性的改變。
集成電路是一種電子元件的集合：電阻、晶體管、電容等，所有這些都塞進一個小芯片中，并連接在一起以實現一....
硅片是半導體制造的基礎，絕大多數的芯片都是在硅片上制造的。SOI（silicon on insula....
電子束技術在半導體制造行業一直是重要的應用技術。本文就電子束技術作一個簡單的圖文介紹。
光刻膠是一種有機化合物，它受紫外線曝光后在顯影液中的溶解度發生顯著變化，而未曝光的部分在顯影液中幾乎....
ICP-RIE全稱是電感耦合等離子體刻蝕機，是半導體芯片微納加工過程中必不可少的設備，可加工微米級納....
1GW（吉瓦）是光伏產業中常用的裝機容量單位，而硅料、硅片、電池片、組件是光伏產業鏈中不同階段的產品....
微機電系統采用的是梳狀驅動式致動器。要理解其工作原理，可以設想兩個梳齒間隔很大的梳子，它們面對面擺放....
負折射率材料特殊的電磁學特性受到廣泛關注，在各向同性介質中，電場 E、磁場H和波矢k滿足右手定則, ....
金屬里面自由電子構成的特殊氣體，叫做“費米氣體”。那么，費米氣體和超導是什么關系呢？
沉積法是在基板材料上再附加材料的過程。通常是通過沉積一系列的涂層來完成，可以再使用蝕刻法對沉積層進行....
N型硅片通常需要更高純度的硅料，這意味著它們含有的金屬雜質較少，這些金屬雜質可能會作為復合中心降低少....
單晶硅可以用于二極管級、整流器件級、電路級以及太陽能電池級單晶產品的生產和深加工制造，其后續產品集成....
光刻膠按照種類可以分為正性的、負性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時被去除，負膠受到紫外光曝光的地....
半導體爐管設備是用于半導體材料熱處理的設備，包括電阻加熱式和感應加熱式兩種形式。爐管是核心部件，將半....
光刻膠的性能：光刻膠的性能對套刻精度有顯著影響。它決定了圖形的套刻分辨率和邊緣清晰度，光刻膠的收縮和....
氧化硅薄膜整個半導體制造過程是十分常見且不可或缺的，那么它具體有什么用途呢？
單晶硅的少子壽命是指非平衡少數載流子（電子或空穴）在半導體材料中從產生到消失（即通過復合過程失去）的....
SiC boat，即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中，裝載載晶圓進行高溫處理的耐高溫配件。
本文介紹了離子注入機的相關原理。
離子注入機的原理是什么？
異質外延是一種先進的晶體生長技術，它指的是在一個特定的襯底材料上生長出與襯底材料具有不同晶體結構或化....
上圖是TSV工藝的一般流程。TSV，全名Through-Silicon Via，又叫硅通孔工藝。
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