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存儲技術

存儲廠商2024Q1業績全面回暖,漲價疊加需求帶旺行業
電子發燒友網報道(文/黃晶晶)最近,電子發燒友網統計了存儲芯片廠商2024年第一季度業績的情況,可以看到從國際大廠三星、美光、SK海力士再到國內廠商兆易創新、江波龍等均實現了同比增長。存儲廠商走出低谷,持續上揚的態勢十分明顯。 ? ? SK 海力士:全面復蘇期到來 ? 截至2024年3月31日的2024財年第一季度財務報告顯示,SK海力士2024財年第一季度結合并收入為12.4296萬億韓元,營業利潤為2.886萬億韓元,凈利潤為1.917萬億韓元。營業利潤率為23
一句話概括DDR、LPDDR、GDDR的區別
以DDR開頭的內存適用于計算機、服務器和其他高性能計算設備等領域,目前應用廣泛的是DDR3和DDR4;
產能之外,HBM先進封裝的競爭
電子發燒友網報道(文/周凱揚)作為存儲行業當下的新寵,HBM在AI的推動下,已經陷入了前所未有的市場狂熱。最大的噱頭自然是產能之爭,比如SK海力士表示明年的HBM芯片產能已經基本賣完了,臺積電今明兩年的CoWoS先進封裝產能也基本被巨頭承包了,訂單能見度已經從2027年延長至2028年。 ? 對于存儲大廠而言,這無疑是難能可貴的市場機遇,為了抓住這個機遇,他們也在加緊產能擴張,但除了產能上的競爭外,其HBM芯片本身的堆疊封裝技術也決定了
一文搞懂DDR內存原理
內存(DRAM-RandomAccessMemory)作為當代數字系統最主要的核心部件之一,從各種終端設備到核心層數據處理和存儲設備,從各種消費類電子設備到社會各行業專用設備,是各種級別的CPU進行數據處理運算和緩存的不可或缺的周轉“倉庫”,一個強大的核心處理單元也必須配備一個高速運轉的寬通路的數據訪問和存儲單元。存儲芯片基本分類。存儲器主要分為只讀存儲器R
談談DDR5技術規格的那些事
此文盡量排除高深莫測的DRAM相關技術名詞,讓各位迅速了解DDR5相對DDR4的優勢與可能的影響,最后再同場加映英特爾Atomx6000系列引進的「In-BandECC」技術,讓大家瞧瞧英特爾如何在沒有ECC模組下提供類似糾錯功能。Chrent「理所當然」的提升數據傳輸率初期DDR5可提供超過DDR450%數據傳輸率,最終預期可達2.6倍8.4Gbps?;仡?/div>
北京大學-知存科技存算一體聯合實驗室揭牌,開啟知存科技產學研融合戰略新升級
5月5日,“北京大學-知存科技存算一體技術聯合實驗室”在北京大學微納電子大廈正式揭牌,北京大學集成電路學院院長蔡一茂、北京大學集成電路學院副院長魯文高及學院相關負責人、知存科技創始人兼CEO王紹迪、知存科技首席科學家郭昕婕博士及企業研發相關負責人參加了現場揭牌儀式。面向多模態大模型時代產業發展新需求,雙方將攜手踏上探索存算一體技術前沿發展和應用的新征程。 ? ? 北京大學集成電路學院院長蔡一茂(左二)、北京大學集
羅徹斯特電子推出一種可持續支持成熟微處理器的低密度解決方案
DDR雙倍數據速率技術是在每個時鐘信號周期內傳輸兩次數據,可以實現以往同步DRAM設備傳輸速率的兩倍。
耐600℃高溫存儲器問世,有助于開發極端環境下的應用
電子發燒友網(文/吳子鵬)近日,美國賓夕法尼亞大學科學家研制出一款可在600℃高溫下持續工作60小時的存儲器。據悉,目前市場上主流的存儲器耐溫極限是200℃,一旦超過了200℃便開始失效,導致設備故障和信息丟失。因此,這種新型存儲的耐受溫度是目前商用存儲設備的兩倍多,表明該存儲器具有極強的可靠性和穩定性。 ? 這款新型存儲有望在可導致電子或存儲設備故障的極端環境下大顯身手,也為在惡劣條件下進行密集計算的人工智能系統奠定
佰維存儲蟬聯“2023年度南山區專精特新企業增加值十強”,展現高質量發展活力
近日,被譽為一年一度南山企業界“奧斯卡獎”——2023年度南山區經濟突出貢獻企業TOP峰會圓滿落幕,南山區政府領導與來自各行各業的領軍企業齊聚一堂,共同見證過去一年引領行業進步,走在科技前沿的杰出企業接受表彰。深圳佰維存儲科技股份有限公司(科創板股票代碼:688525)憑借科技硬實力與高質量發展活力,榮膺"2023年度南山區專精特新企業增加值十強",公司已連續兩年獲得該殊榮。 2023年,南山區國家高新技術企業總量突破5000家,綜合實
美光232層QLC NAND芯片已量產并出貨,推出SSD新品
美光科技近期宣布,其創新的232層QLC NAND芯片已成功實現量產并已開始出貨。這一里程碑式的成就標志著美光在NAND技術領域再次取得了顯著進步,鞏固了其在全球存儲解決方案市場的領導地位。
存儲芯片行業曙光初現,上下游漲價拉鋸戰持續
進入4月,固態硬盤的現貨價格保持穩定,甚至出現部分產品價格高于官方售價的倒掛現象,進而引發了跌價。
三星宣布量產第九代V-NAND芯片,位密度提升50%
在技術層面,第九代V-NAND無疑展現出了三星的卓越技術實力。它采用了雙重堆疊技術,在原有的旗艦V8閃存236層的基礎上,再次實現了技術上的重大突破,堆疊層數飆升至驚人的290層。
10.7Gbps,LPDDR5X還能繼續卷性能
電子發燒友報道(文/周凱揚)隨著DRAM標準的持續推進以及AI對內存帶寬要求更高,這幾年來新發布的DRAM產品都在強調其在AI應用上的優勢,尤其是在端側AI應用上。三星于最近發布了首個10.7Gbps LPDDR5X內存,也是市面上目前最快的LPDDR5X產品,相比前代性能提升25%。 LPDDR5X,從8533Mbps開始突破 2021年7月,JEDEC正式發布了LPDDR5X的標準,并做出了以下改變,比如最高速度從6400Mbps擴展至8533Mbps,提升幅度高達33%;依靠TX/RX均衡實現的信號完整度提升,以及全新的自
兆易創新今年Q1凈利超2023全年,NOR Flash出貨量已超212億顆
電子發燒友網報道(文/劉靜)近日,知名存儲芯片廠商兆易創新發布《2023年年度報告》以及《2024年第一季度報告》。存儲芯片行業在經歷一段時間的市場波動后,目前正處于一個關鍵時期。多方數據和專家觀點,都表示存儲芯片行業可能正在逐步走出周期底部。兆易創新作為國內存儲芯片的頭部企業,它的財報將透露出市場的哪些新信息呢? ? 存儲芯片復蘇明確,2024 一季度凈利超過2023 全年 ? 財報顯示,2023年兆易創新實現營業收入57.61億元,比202
余震恰逢原廠缺貨期,固態硬盤或迎新一輪漲價
今日凌晨,中國臺灣東部的花蓮縣連續發生地震,最高強度為6.3級,震源深度10公里,據中國地震臺網分析,本次地震均為4月3日臺灣花蓮縣海域發生的7.3級地震的余震。中國臺灣地區在全球半導體供應鏈中扮演者重要角色,其10nm以下先進制程供應全球占比高達69%。地震帶來的重創使得本地存儲芯片廠商必須停工檢修、調試設備,從而影響出貨,不少廠商都向客戶發出了漲價通知。而此次余震,可能會再次影響本地芯片廠商們剛從上次地震中恢復的存儲產
AI時代的存儲墻,哪種存算方案才能打破?
回顧計算行業幾十年的歷史,芯片算力提升在幾年前,還在遵循摩爾定律??呻S著如今摩爾定律顯著放緩,算力發展已經陷入瓶頸。而且禍不單行,陷入同樣困境的還有存儲。從新標準推進的角度來看,存儲市場依然在朝著更高性能的方向發展。但以這些通用標準推出的產品,終究還是會被用到馮諾依曼架構的計算體系中去?;蛟S單個產品的性能有所增加,可面對AI計算的海量數據,這點提升還是有些不夠看。
康盈半導體:嵌入式存儲進階,加速AI落地智能穿戴
電子發燒友網報道(文/黃晶晶)近日,TechInsights可穿戴設備研究服務指出,預計2024年,全球智能手表的銷量將達到9100萬臺,同比增長5%;2025年增長率將進一步上升至近8%,到2026年將保持在7%以上,然后在預測期結束時放緩。2023-2029年的全球智能手表市場復合年增長率為5%。 ? 可穿戴設備是少有的保持良好增長的消費電子市場。當前,AI不僅拉動PC、智能手機市場的成長,也必將席卷可穿戴設備。在最近舉辦的2024CITE電子展上,康盈半導體副總經理齊開泰
東芝日本裁員情況:計劃裁員約5000人
據日本媒體報道,東芝計劃在日本本土裁員約5000人,這一數字占其日本員工總數的近十分之一。
鎧俠公司重啟上市計劃
作為半導體存儲器行業的佼佼者,鎧俠始終站在市場和技術的前沿。在人工智能技術的持續滲透下,半導體存儲器的需求呈現出穩健的增長態勢。
存儲技術革新之戰 閃存與內存巨頭競相突破
三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達到1b nm級別,并計劃在今年內啟動1c nm DRAM的量產工作。
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