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FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應晶體管，是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。

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FinFET簡介

　　FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鰭式場效應晶體管，是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。

　　工作原理

　　閘長已可小于25納米，未來預期可以進一步縮小至9納米，約是人類頭發寬度的1萬分之1。由于在這種導體技術上的突破，未來芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于傳統標準的晶體管—場效應晶體管（Field-Effect Transistor；FET）的一項創新設計。在傳統晶體管結構中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開，屬于平面的架構。在FinFET的架構中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構，可于電路的兩側控制電路的接通與斷開。［2］這種設計可以大幅改善電路控制并減少漏電流（leakage），也可以大幅縮短晶體管的閘長。

FinFET百科

　　FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鰭式場效應晶體管，是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。

　　工作原理

　　閘長已可小于25納米，未來預期可以進一步縮小至9納米，約是人類頭發寬度的1萬分之1。由于在這種導體技術上的突破，未來芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于傳統標準的晶體管—場效應晶體管（Field-Effect Transistor；FET）的一項創新設計。在傳統晶體管結構中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開，屬于平面的架構。在FinFET的架構中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構，可于電路的兩側控制電路的接通與斷開。［2］這種設計可以大幅改善電路控制并減少漏電流（leakage），也可以大幅縮短晶體管的閘長。

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