碳化硅功率器件，助力OBC提升功率密度降低重量，讓新能源汽車(chē)充電更快，續航更長(cháng)
2022-09-23 18:31:40
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碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。
2024-01-24 16:42:04845 
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè )技術(shù)600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學(xué)穩定性良好等特點(diǎn)，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
每個(gè)橋臂需要4個(gè)MOSFET以及各自的驅動(dòng)，增加了系統復雜度，再比如每個(gè)橋臂需要各自的鉗位二極管，增加了系統成本?！ ”疚闹?，將介紹我們8KW LLC變換器的設計方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
器件的特點(diǎn) 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k?！ ∷c硅半導體材料
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
充電器、電機和太陽(yáng)能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實(shí)現高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設計充滿(mǎn)好奇，也是意法半導體的戰略。碳化硅（SiC）技術(shù)是意
2023-02-24 15:03:59
?！ OM成本比較表明，碳化硅基MOSFET充電器方案可節省15%成本 加快上市等于減少了時(shí)間成本 半導體廠(chǎng)商通常都通過(guò)參考設計為其器件提供廣泛的支持。對于上面提到的OBC應用，Wolfspeed的全球
2023-02-27 14:28:47
`海飛樂(lè )技術(shù)目前產(chǎn)品范圍包括有：快恢復二極管、FRD模塊、肖特基二極管、SBD模塊、MOS管、MOS模塊，各種以及寬禁帶（WBG）半導體器件，涵蓋變頻、逆變、新能源汽車(chē)、充電樁、高頻電焊、特種電源等
2019-10-24 14:21:23
。碳化硅壓敏電阻的主要特點(diǎn)自我修復。用于空氣/油/SF6 環(huán)境?？膳渲?b class="flag-6" style="color: red">為單個(gè)或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料?？芍貜偷姆蔷€(xiàn)性特性。耐高壓?；旧鲜菬o(wú)感的。碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻每個(gè)
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )統計，2019年中國半導體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開(kāi)關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現 95
2021-03-29 11:00:47
的化學(xué)惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類(lèi)應用，如汽車(chē)制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導體電子設備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領(lǐng)域會(huì )受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
?！ 』?b class="flag-6" style="color: red">半導體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標準封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，具有極高的工作效率，性能優(yōu)越達到國際先進(jìn)水平，可廣泛應用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
已經(jīng)成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據中國
2021-03-25 14:09:37
、車(chē)載電源、太陽(yáng)能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領(lǐng)域有廣泛應用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 參數選型表：
2021-11-10 09:10:42
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動(dòng)芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
基本半導體推出的1200V 80mΩ的碳化硅MOSFET兩種封裝的典型產(chǎn)品B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）為例，從理論上來(lái)解釋TO-247-4中輔助源
2023-02-27 16:14:19
項目名稱(chēng)：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進(jìn)驅動(dòng)技術(shù)研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來(lái)被越來(lái)越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著(zhù)提高電能利用率。SiC器件的典型應用領(lǐng)域包括：新能源汽車(chē)、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現代工業(yè)領(lǐng)域，在
2023-10-07 10:12:26
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡(jiǎn)稱(chēng)為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導體，其研究開(kāi)發(fā)技術(shù)備受矚目。根據日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著(zhù)第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，獲得華大半導體有限公司投資，創(chuàng )能動(dòng)力致力于開(kāi)發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實(shí)現相比硅元器件更高的工作溫度，實(shí)現雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
復雜的設計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開(kāi)關(guān)碳化硅器件？ 當傳統硅器件在功率損耗和開(kāi)關(guān)頻率方面達到極限時(shí)，碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
國產(chǎn)碳化硅MOS基于車(chē)載OBC與充電樁新技術(shù)：1 車(chē)載電源OBC與最新發(fā)展2 雙向OBC關(guān)鍵技術(shù)3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車(chē)載DC/DC集成二合一5 車(chē)載DC/DC轉換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
和分析，為滿(mǎn)足不同的市場(chǎng)需求，基本半導體為圖騰柱無(wú)橋PFC這一硬開(kāi)關(guān)拓撲設計了能同時(shí)兼顧效率與性?xún)r(jià)比的混合碳化硅分立器件，同時(shí)也提供了更高效率的全碳化硅 MOSFET方案?！ ?4 對比測試 這里
2023-02-28 16:48:24
技術(shù)需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應運而生，如碳化硅場(chǎng)效應管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
進(jìn)一步減小死區提高效率，本方案最高效率達到98.4%；碳化硅MOSFET驅動(dòng)電荷Qg只有硅650VMOSFET的10%，減小了開(kāi)關(guān)驅動(dòng)損耗，能實(shí)現更高頻率工作，該方案最高工作頻率為400KHZ（圖15、16）
2016-08-05 14:32:43
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性?xún)r(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
/混合動(dòng)力汽車(chē)半導體領(lǐng)袖，緊跟市場(chǎng)趨勢，提供全面的高性能方案，包括超級結SuperFET? III MOSFET、碳化硅(SiC)二極管、IGBT、隔離型門(mén)極驅動(dòng)器、電流檢測放大器、快恢復二極管，滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)充電樁市場(chǎng)需求并推動(dòng)創(chuàng )新。
2019-08-06 06:39:15
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車(chē)級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
直連散熱器、微通道液冷散熱器集成及芯片直接散熱方式等均為碳化硅器件的散熱提供了更多的可能?？梢灶A見(jiàn)，碳化硅器件和封裝技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)為電力電子技術(shù)打開(kāi)了一扇更廣闊的大門(mén)，助力電力電子技術(shù)朝著(zhù)高頻、高效
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類(lèi)似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
電動(dòng)、混動(dòng)汽車(chē)可通過(guò)直流充電樁或普通的交流電源插座對其高壓電池子系統進(jìn)行充電，車(chē)載充電器（OBC）是交流充電的核心系統。安森美半導體作為汽車(chē)功能電子化的領(lǐng)袖之一，為電動(dòng)汽車(chē)OBC和直流充電樁提供
2020-11-23 11:10:00
IATF16949和汽車(chē)級半導體分立器件應力測試AEC-Q101認證證書(shū)。分別從質(zhì)量管理體系的專(zhuān)業(yè)性和產(chǎn)品質(zhì)量的可靠性，這兩個(gè)方面保證了為整車(chē)廠(chǎng)提供高標準的車(chē)用碳化硅功率器件?！ 〕Ｒ?jiàn)的DC/DC級
2023-02-27 14:35:13
器件損耗，提升系統效率，更適合應用于高頻電路。在新能源汽車(chē)電機控制器、車(chē)載電源、太陽(yáng)能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領(lǐng)域有廣泛應用?！ ?、半橋兩并聯(lián)功率單元 該產(chǎn)品是青銅劍科技為基本半導體
2023-02-27 16:03:36
。由于直流充電樁采用三相四線(xiàn)制供電，可以提供足夠的功率，輸出的電壓和電流調整范圍大，可以實(shí)現快充的要求?！ 《?、解決方案： 直流充電樁要實(shí)現快充功能，輸出電流大，因此采用三相交流電（380V）供電，本方案采用高性?xún)r(jià)比的MOS管，輸出搭配碳化硅肖特基二極管?！ ?b class="flag-6" style="color: red">充電器的特點(diǎn)如下：
2020-07-02 15:50:49
公司等為代表。四、碳化硅半導體應用碳化硅半導體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用?？蓮V泛應用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。原作者：大年君愛(ài)好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì )在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動(dòng)器參考設計為驅動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車(chē)充電樁（電動(dòng)汽車(chē)充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
華為為5G鋪路，布局碳化硅半導體，打破國外第三代半導體市場(chǎng)壟斷
2019-08-27 11:19:034989 在快充領(lǐng)域商用的大門(mén)。 圖1：SMBF封裝碳化硅肖特基二極管 針對PD快充“小輕薄”的特點(diǎn)，碳化硅功率器件領(lǐng)先企業(yè)基本半導體在國內率先推出SMBF封裝碳化硅肖特基二極管，該產(chǎn)品具有體積小、正向導通壓低和抗浪涌能力強等特點(diǎn)，能很好地滿(mǎn)足PD快充對器件
2021-04-19 11:37:022632 
SiC-碳化硅-功率半導體的介紹講解說(shuō)明。
2021-04-26 10:11:32
140 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng )新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087839 
高端數字化智能工廠(chǎng)。 該基地將于2022年3月進(jìn)行小批量試生產(chǎn)，年中實(shí)現量產(chǎn)交付，2022年產(chǎn)能為25萬(wàn)只模塊，2025年之前將提升至150萬(wàn)只。 ? 本文圖源?基本半導體 這是基本半導體針對即將迎來(lái)爆發(fā)期的新能源汽車(chē)碳化硅市場(chǎng)，提前布局、搶
2021-12-31 10:55:432797 
與普通硅相比，碳化硅可以承受更高的電壓，因此，碳化硅半導體中的電源系統需要更少的串聯(lián)開(kāi)關(guān)，從而提供了簡(jiǎn)化和可靠的系統布局。
2022-04-07 14:49:043206 在高端應用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導體發(fā)展迅猛，被認為是有可能實(shí)現換道超車(chē)的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161072 氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體宣布收購碳化硅行業(yè)先驅GeneSiC，成為唯一專(zhuān)注下一代功率半導體公司 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 8 月 15日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片
2022-08-16 14:03:061759 
。 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅較寬的禁帶寬度保證了其可擊穿更高的電場(chǎng)強度，適合制備耐高壓、高頻的功率器件，是電動(dòng)汽車(chē)、5G 基站、衛星等新興領(lǐng)域的
2022-11-28 16:51:24498 本文推薦基本半導體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的LLC諧振電路中，可以有效降低熱損耗，提高工作效率，同時(shí)也可以減小變壓器等器件的體積。
2022-12-14 14:58:15429 半導體屆“小紅人”——碳化硅肖特基，讓你的電源溫度低過(guò)冰墩墩
2022-12-30 17:05:47437 
汽車(chē)碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開(kāi)關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢，隨著(zhù)特斯拉大規模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開(kāi)始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣？特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎？ 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，碳化硅技術(shù)能夠幫助電動(dòng)汽車(chē)實(shí)現快速充電，增加續航；這個(gè)特性使得眾多的車(chē)企把目光投注過(guò)來(lái)。 我們
2023-02-02 17:39:092602 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口，也是一個(gè)很大的挑戰，那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料，由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV，因此一般也會(huì )被稱(chēng)為寬禁帶半導體材料，除了寬禁帶的特點(diǎn)外，碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933 功率半導體碳化硅（SiC）技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術(shù)的需求繼續增長(cháng)，這種技術(shù)可以最大限度地提高當今電力系統的效率
2023-02-15 16:03:448 瑞森半導體科技有限公司經(jīng)過(guò)多年研發(fā)，推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品，目前已得到市場(chǎng)和客戶(hù)認可，廣泛應用于高端服務(wù)器電源、太陽(yáng)能逆變、UPS電源、電機驅動(dòng)、儲能、充電樁等領(lǐng)域。 碳化硅MOS 芯片
2023-02-20 16:02:420 碳化硅晶片是一種新型的半導體材料，由碳和硅組成，具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。
2023-02-25 14:00:102271 汽車(chē)碳化硅模塊是一種用于汽車(chē)電力傳動(dòng)系統的電子器件，由多個(gè)碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件，采用現代半導體技術(shù)制造而成，可以實(shí)現高功率、高效率、高頻率的控制和開(kāi)關(guān)，適用于電動(dòng)車(chē)的逆變器、充電器、DC-DC轉換器等多種應用。
2023-02-25 15:03:222180 憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合，納微半導體以雙擎驅動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。
2023-02-27 09:09:35262 在半導體材料領(lǐng)域，碳化硅與氮化鎵無(wú)疑是當前最炙手可熱的明星。其中，碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性，其耐高頻耐高溫的性能，是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53465 本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點(diǎn)對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進(jìn)行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712 
意法半導體（ST）宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長(cháng)期供應協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點(diǎn)，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē)等。
2023-06-02 14:10:32747 ?？巳驴萍技瘓F（以下簡(jiǎn)稱(chēng)?？巳拢┦侨蝾I(lǐng)先的工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)創(chuàng )新型可持續電池儲存解決方案供應商。?？巳绿峁┤娴你U酸電池和鋰電池解決方案，廣泛應用于各種領(lǐng)域，包括物料搬運設備和機器人的牽引電池和充電解決方案，以最小化總成本，實(shí)現最大化車(chē)隊可用時(shí)間。
2023-06-13 16:55:31640 羅姆收購S(chǎng)olar Frontier碳化硅工廠(chǎng) 計劃到2027碳化硅功率半導體業(yè)務(wù)達139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導體的發(fā)展，一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場(chǎng)30
2023-07-19 19:37:01724 如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 碳化硅，也稱(chēng)為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質(zhì)量的碳化硅僅在過(guò)去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 碳化硅（SiC）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的半導體化合物，屬于寬帶隙（WBG）材料家族。
2023-08-12 11:46:08469 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車(chē)和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅需求增速可觀(guān)。
2023-08-19 11:45:221042 公司之一， GeneSiC 為政府機構開(kāi)發(fā)了尖端的碳化硅技術(shù)?， 重點(diǎn)關(guān)注性能和穩健性， 并發(fā)布了幾代碳化硅二極管和 MOSFET 技術(shù)，額定值高達 6.5 kV 在各種封裝中以及裸片. 2022年， 納微半導體收購了GeneSiC半導體， 創(chuàng )建了業(yè)界唯一一家專(zhuān)注于SiC和GaN的純下一代功率半導體公司
2023-10-25 16:32:01609 
目前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據市場(chǎng)研究機構預測，未來(lái)幾年碳化硅市場(chǎng)將保持高速增長(cháng)態(tài)勢。根據公開(kāi)信息統計，2022年全球碳化硅市場(chǎng)份額約為18億美元，該數據包括多家上市公司，如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37603 
碳化硅，又稱(chēng)SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質(zhì)量的碳化硅只是在過(guò)去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 MOS管在直流充電樁上的應用，推薦瑞森半導650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超結MOS系列
2023-12-08 11:50:15235 
碳化硅MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)電路中的應用優(yōu)勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，具有在高頻開(kāi)關(guān)電路中廣泛應用的多個(gè)優(yōu)勢。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357 氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區別。本文將詳盡、詳實(shí)、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18331 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導率、低介電常數等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應用領(lǐng)域具有顯著(zhù)優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 第三代半導體性能優(yōu)越，應用場(chǎng)景更廣。半導體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎，經(jīng)歷了數代的更迭。隨著(zhù)應用場(chǎng)景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49314 
2024年以來(lái)，包括廣汽集團等4家企業(yè)均推出了基于碳化硅技術(shù)的汽車(chē)充電方案，意味著(zhù)碳化硅有望在充電基礎設施領(lǐng)域實(shí)現大規模應用
2024-01-29 16:53:252814 
圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車(chē)直流充電設備的拓撲結構方案,
2024-02-20 09:47:21253 
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