<acronym id="s8ci2"><small id="s8ci2"></small></acronym>
<rt id="s8ci2"></rt><rt id="s8ci2"><optgroup id="s8ci2"></optgroup></rt>
<acronym id="s8ci2"></acronym>
<acronym id="s8ci2"><center id="s8ci2"></center></acronym>
0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

國產器件突破1700V,功率GaN拓展更多應用

Hobby觀察 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:梁浩斌 ? 2024-02-04 00:01 ? 次閱讀
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)GaN器件已經在消費電子領域站穩腳跟,而在消費電子之外,電源產品還有很多較大的應用市場,包括光伏逆變器、服務器電源、汽車領域等。而新能源汽車作為目前規模增長最快的市場之一,SiC已經成功導入電動汽車產品,并實現大批量落地。

與SiC同為第三代半導體的GaN,在材料特性,器件的特性上都有很多相同之處,甚至在成本以及高頻應用中,GaN功率器件相比SiC還有一定優勢,所以各大功率GaN廠商都在積極布局汽車應用。

不過目前功率SiC主要被用于800V高壓平臺的車型中,包括牽引逆變器、空調壓縮機等要用到耐壓值1200V的器件。但此前GaN在消費電子領域大多產品在650V或以下,如果想要在汽車領域得到更廣泛的應用,就需要更高耐壓值的GaN器件。

GaN HEMT器件突破1700V,拓展高壓應用

在目前電動汽車高壓系統的趨勢下,一般母線電壓為800V的系統中,需要用到1200V耐壓的功率器件。而隨著電池包技術發展,以及快充、低能耗的需求,一些車型的電池包電壓已經高達900V,出現1000V電壓級別的車型也只是時間問題。

而1000V電壓的電路中,可能會產生1300V或以上的瞬時電壓,所以這個時候就需要1700V耐壓的器件。而目前市面上SiC功率器件已經有很多耐壓1700V的產品,還有一些超高壓產品耐壓達到3300V以上。

最近,國內GaN領域也出現了一款1700V GaN HEMTs器件。致能科技團隊與西安電子科技大學廣州研究院/廣州第三代半導體創新中心郝躍院士、張進成教授團隊等合作攻關,采用致能科技的薄緩沖層AlGaN/GaN外延片,基于廣州第三代半導體創新中心中試平臺,成功在6英寸藍寶石襯底上實現了1700V GaN HEMTs器件。相關研究成果于2024年1月發表于IEEE Electron Device Letters期刊。
來源:IEEE Electron Device Letters
廣東致能團隊通過MOCVD方法在6英寸藍寶石襯底上外延出包括1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質結結構,這種技術可以顯著減低外延和加工的難度。使用其外延片制備的GaN HEMTs器件具有超過3000 V的高阻斷電壓和17Ω·mm的低導通電阻,并通過1700 V的長期HTRB應力初步驗證了其魯棒性。

而從目前市面上主流的650V GaN器件發展到1700V ,能夠令GaN拓展到更多領域,除了電動汽車之外,在工業、光伏、儲能等領域都會有更大的應用空間。

目前多家廠商已經推出900V及以上功率GaN

近幾年,為了滿足更多市場的需求,拓展應用領域,功率GaN產品的規格也越來越豐富,眾多廠商在高壓應用上推出量產產品。

剛剛被瑞薩收購的GaN廠商Transphorm,在2017年推出了第一款900V GaN產品,并且在2022年的國際功率半導體器件和集成電路研討會(ISPSD)上展示了1200V GaN器件。Transphorm當時表示,市場上可買到的高功率GaN晶體管的電壓范圍通常為600V至650V,只有Transphorm能夠提供900V GaN器件。

而在2023年,Transphorm公布了其1200V功率GaN器件的仿真模型和初步數據,這款產品基于藍寶石基氮化鎵外延片制造,擁有70mΩ的導通電阻、±20 Vmax柵極穩健性、低 4V柵極驅動噪聲抗擾度、零QRR和3引腳TO-247封裝。

PI(Power Integrations)去年也推出了900V PowiGaN器件,并在不久之后又推出了1250V的PowiGaN器件。據測試,1250V的PowiGaN開關方案,其效率要比650V的硅開關方案高出1%,其損耗也比傳統的硅開關方案減少近一半左右。同時還具有同步整流和FluxLink安全隔離反饋功能,可以穩定輸出電壓和電流,能夠用于1000V峰值工作電壓的應用中。

國內鎵未來也已經推出了900V的GaN器件,并已經實現量產,支持TO-252-3L、TO-252、TO-220三種封裝,有RDS(ON)990mΩ/450mΩ/270mΩ等規格。

鎵宏半導體官網顯示目前已推出了GSR900D035系列 900V、50mΩGaN FET,能夠用于工業、光伏逆變器、伺服電機等應用。

華潤微旗下專注三代半的廠商潤新微(前為芯冠科技)早在2022年就推出了900V的硅基氮化鎵系列產品,目前公司官網顯示提供TO-220封裝,RDS(ON)540mΩ/270mΩ/220mΩ/150mΩ規格的900V GaN功率器件。

去年國內900V GaN產業鏈也有不少新的廠商取得突破,比如聚能晶源研制出了高柵壓GaN增強型外延技術和900V高耐壓GaN-on-Si外延技術;長平時代發布用于車載電子的6英寸900V硅基GaN外延片;湖南三安完成了900V 硅基氮化鎵功率器件的開發,并已導入到客戶產品設計和系統驗證。

小結:

隨著更多高壓GaN器件的出現,也將會大大拓展GaN的應用領域。未來GaN功率器件將會出現在更多比如工業、光伏、儲能、電動汽車主驅等應用場景中。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 功率器件
    +關注

    關注

    40

    文章

    1585

    瀏覽量

    89724
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    19

    文章

    1802

    瀏覽量

    69118
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    2507

    瀏覽量

    47926
  • 第三代半導體

    關注

    3

    文章

    135

    瀏覽量

    6528
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    CGD推出高效環保GaN功率器件

    近日,無晶圓廠環??萍及雽w公司Cambridge GaN Devices(CGD)發布了一系列革命性的高能效氮化鎵(GaN功率器件,旨在推動電子
    的頭像 發表于 06-12 10:24 ?266次閱讀

    英飛凌1700V EconoDUAL?3 IGBT新產品及其在中高壓級聯變頻器和靜止無功發生器中的仿真研究

    摘要:EconoDUAL?3是一款經典的IGBT模塊封裝,其上一代的1700V系列產品已經廣泛應用于級聯型中高壓變頻器、靜止無功發生器(SVG)和風電變流器,覆蓋了中功率和一部分大功率的應用場
    的頭像 發表于 05-31 15:22 ?160次閱讀
    英飛凌<b class='flag-5'>1700V</b> EconoDUAL?3 IGBT新產品及其在中高壓級聯變頻器和靜止無功發生器中的仿真研究

    英飛凌1700V EconoDUAL?3 IGBT新產品及其在中高壓級聯變頻器和靜止無功發生器中的仿真研究

    本文提及的相關產品,均會在直播中出現掃描上方二維碼即可報名摘要:EconoDUAL3是一款經典的IGBT模塊封裝,其上一代的1700V系列產品已經廣泛應用于級聯型中高壓變頻器、靜止無功發生器(SVG
    的頭像 發表于 03-26 08:13 ?420次閱讀
    英飛凌<b class='flag-5'>1700V</b> EconoDUAL?3 IGBT新產品及其在中高壓級聯變頻器和靜止無功發生器中的仿真研究

    國產GaN迎來1700V突破!

    該文獻進一步透露,實現這一器件所采用的氮化鎵外延材料結構包括:1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質結結構。
    發表于 01-25 11:30 ?289次閱讀
    <b class='flag-5'>國產</b><b class='flag-5'>GaN</b>迎來<b class='flag-5'>1700V</b><b class='flag-5'>突破</b>!

    首個在6英寸藍寶石襯底上的1700V GaN HEMTs器件發布

    近日,廣東致能科技團隊與西安電子科技大學廣州研究院/廣州第三代半導體創新中心郝躍院士、張進成教授團隊等等合作攻關,通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片,基于廣州第三代半導體創新中心中試平臺,成功在6英寸藍寶石襯底上實現了1700V
    的頭像 發表于 01-25 10:17 ?570次閱讀
    首個在6英寸藍寶石襯底上的<b class='flag-5'>1700V</b> <b class='flag-5'>GaN</b> HEMTs<b class='flag-5'>器件</b>發布

    航空航天領域中的GaN功率器件(下)

    電源散熱技術,都有助于實現電源從組件到系統的全方位突破。因此,基于GaN功率器件來研究高頻、高效和輕量化的宇航電源,將引導新一代宇航電源產品實現性能參數的巨大飛躍,
    的頭像 發表于 01-05 17:59 ?447次閱讀
    航空航天領域中的<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>(下)

    低成本垂直GaN功率器件研究

    隨著半導體技術的發展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能
    的頭像 發表于 12-27 09:32 ?575次閱讀
    低成本垂直<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>研究

    同是功率器件,為什么SiC主要是MOSFET,GaN卻是HEMT

    電子發燒友網報道(文/梁浩斌)在我們談論第三代半導體的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是
    的頭像 發表于 12-27 09:11 ?2020次閱讀

    瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源

    11月27日,瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω,
    的頭像 發表于 11-30 09:39 ?1165次閱讀
    瞻芯電子推出<b class='flag-5'>1700V</b> SiC MOSFET助力高效輔助電源

    新潔能1500V和1700V系列功率VDMOS新品介紹

    電源中,由于母線電壓和功率不同,一般會選用單管反激或雙管反激拓撲,無論那種拓撲都離不開核心的功率器件,即1500V~1700V 功率MOS。
    的頭像 發表于 10-16 11:38 ?1049次閱讀
    新潔能1500V和<b class='flag-5'>1700V</b>系列<b class='flag-5'>功率</b>VDMOS新品介紹

    低成本垂直GaN(氮化鎵)功率器件的優勢

    GaN因其特性,作為高性能功率半導體材料而備受關注,近年來其開發和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型:水平型(在硅晶圓上生長
    發表于 09-13 15:05 ?892次閱讀
    低成本垂直<b class='flag-5'>GaN</b>(氮化鎵)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優勢

    芯塔電子發布自主研發1700V/5Ω SiC MOSFET產品

    芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監測。該應用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之響應速度更快、體積縮小、壽命延長等,對提升車輛電源系統整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
    發表于 08-16 11:49 ?361次閱讀
    芯塔電子發布自主研發<b class='flag-5'>1700V</b>/5Ω SiC MOSFET產品

    GaN器件在Class D上的應用優勢

    D功放的音質也將得到有效的提升。 針對目前主流的GaN Class D應用,三安集成推出了200V 20mΩ的低壓GaN功率器件,同時采用
    發表于 06-25 15:59

    突破氮化鎵功率半導體的速度限制

    突破GaN功率半導體的速度限制
    發表于 06-25 07:17

    GaN功率集成電路:器件集成帶來應用性能

    GaN功率半導體器件集成提供應用性能
    發表于 06-21 13:20
    亚洲欧美日韩精品久久_久久精品AⅤ无码中文_日本中文字幕有码在线播放_亚洲视频高清不卡在线观看
    <acronym id="s8ci2"><small id="s8ci2"></small></acronym>
    <rt id="s8ci2"></rt><rt id="s8ci2"><optgroup id="s8ci2"></optgroup></rt>
    <acronym id="s8ci2"></acronym>
    <acronym id="s8ci2"><center id="s8ci2"></center></acronym>