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標簽 > 基本半導體
深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體行業領軍企業,專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設有研發中心。
深圳基本半導體公司成功研發溝槽型碳化硅MOSFET器件結構及制備技術
具體來說,該結構由以下幾部分組成:首先是n+型碳化硅襯底,接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層,這三者自下而上依次排列。在
第三代半導體創新企業基本半導體榮獲銳湃科技2023年度優秀合作獎
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基本半導體在NEPCON JAPAN展示碳化硅功率器件領先技術
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可靠性,是指產品在規定時間內和條件下完成規定功能的能力,是產品質量的重要指標,如果在規定時間內和條件下產品失去了規定的功
淺談新能源汽車電機控制器的MOSFET B2M065120H應用
基本半導體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發和生產,目前已掌握碳化硅芯片設計、晶圓制造、模塊封裝、驅動應用等核心技術
? 5月, SNEC第十六屆(2023)國際太陽能光伏與智慧能源大會 在上海新國際博覽中心重磅舉行?;景雽w攜旗下 第
基本半導體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉換器的優勢
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交流充電樁:本質是一個帶控制的插座,主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、 交流接觸器、充電槍線等結構,結構較為
? 風雨兼程,匠心澆筑 產業巨著,榮耀封頂 2022年12月14日上午 隨著最后一方混凝土的合力澆筑 青銅劍科技大廈順利
國芯思辰|耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊上,Rds為32mΩ
隨著新能源汽車的普及,充電樁也成了日常配套的生活設施。目前市面上充電樁電源模塊的轉換效率已經可以做到99%,對于車輛快速
2022-12-05 標簽: 基本半導體 國產替代 MAX4750EUD+ 543 0
深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體行業領軍企業,專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設有研發中心。公司擁有一支國際化的研發團隊,核心成員包括來自清華大學、劍橋大學、瑞典皇家理工學院、中國科學院等國內外知名高校及研究機構的十多位博士。
基本半導體掌握國際領先的碳化硅核心技術,研發覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等全產業鏈,先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET、車規級全碳化硅功率模塊等系列產品,性能達到國際先進水平。其中650V碳化硅肖特基二極管產品已通過AEC-Q101可靠性測試,其他同平臺產品也將逐步完成該項測試?;景雽w碳化硅功率器件產品被廣泛應用于新能源、電動汽車、智能電網、軌道交通、工業控制等領域。
基本半導體與深圳清華大學研究院共建第三代半導體材料與器件研發中心,是深圳第三代半導體研究院發起單位之一,廣東省未來通信高端器件創新中心股東單位之一,獲批中國科協產學研融合技術創新服務體系第三代半導體協同創新中心,公司及產品榮獲2020“科創中國”新銳企業、“中國芯”優秀技術創新產品獎、中國創新創業大賽專業賽一等獎等榮譽。
國芯思辰|基本半導體650V 20A碳化硅肖特基二極管B1D20065K替代IDH20G65C5應用于PFC電路
PFC電路廣泛應用于高頻開關電源(特別是通信電源)中?,F階段,PFC電路多采用硅基材料,由于硅基材料的限制,電源的損耗較大,效率偏低。在電源的PFC電路...
國芯思辰|基本半導體?1200V碳化硅肖特基二極管B1D30120HC(替代科銳C4D30120D)助力車載充電機二次側整流
車載充電機可實現交流輸入(85VAC~265VAC)/直流輸出(200VDC-750VDC)輸出的功能,其電路的核心架構通常由整流、PFC升壓、LLC逆...
淺談新能源汽車電機控制器的MOSFET B2M065120H應用
基本半導體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發和生產,目前已掌握碳化硅芯片設計、晶圓制造、模塊封裝、驅動應用等核心技術,申請兩百余項發明專利,產品性能...
基本半導體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉換器的優勢
混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是將傳統的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應用中可以替代傳統的IGBT(硅基IGBT與硅基快恢復二...
交流充電樁:本質是一個帶控制的插座,主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、 交流接觸器、充電槍線等結構,結構較為簡單,需要車載充電機自己進行變壓...
深圳本土第三代半導體科創企業——深圳基本半導體有限公司旗下車規級全碳化硅功率模塊(BMB200120P1)榮獲優秀技術創新產品獎。
深圳基本半導體公司成功研發溝槽型碳化硅MOSFET器件結構及制備技術
具體來說,該結構由以下幾部分組成:首先是n+型碳化硅襯底,接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層,這三者自下而上依次排列。在n型電流傳輸層的頂部,從外部向內...
第三代半導體創新企業基本半導體榮獲銳湃科技2023年度優秀合作獎
近日,在銳湃科技舉辦的第一屆供應鏈合作伙伴大會上,基本半導體憑借在客戶端的優異表現,榮獲銳湃科技頒發的“2023年度優秀合作獎”?;景雽w副總經理蔡雄...
基本半導體在NEPCON JAPAN展示碳化硅功率器件領先技術
近日,第38屆日本國際電子科技博覽會(NEPCON JAPAN)在東京有明國際展覽中心(TOKYO BIG SIGHT)盛大舉行。此次盛會,作為亞洲電子...
國芯思辰|耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊上,Rds為32mΩ
隨著新能源汽車的普及,充電樁也成了日常配套的生活設施。目前市面上充電樁電源模塊的轉換效率已經可以做到99%,對于車輛快速且高效的充電有很大的意義。然而這...
國芯思辰|對標科銳C4D30120D,40A/1200V碳化硅肖特基二極管B2D40120HC1用于機車空調升壓電源
在動車或地鐵中,機車空調需要有穩定的電力供電,保持車廂內的空氣質量。當機車出現故障時,需要通過后備電池給空調供電。而機車中常規的后備電池電壓為直流110...
國芯思辰|基本半導體碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1可pin to pin替換科銳C4D30120D
SiC肖特基二極管具有零反向恢復電流和零正向恢復電壓,散熱要求低,是高頻和高效率應用的理想選擇。目前市場上以選用WOLFSPEED的碳化硅為主,但由于各...
2022-11-25 標簽:基本半導體 609 0
國芯思辰|基本半導體?650V碳化硅肖特基二極管B2D20065HC1替代C3D20065D助力1.3kW服務器電源
如圖為1.3kW服務器電源電路框圖,主功率框架包括EMI濾波、單相整流、PFC、半橋LLC以及同步整流等組成,輸出12V電壓;在PFC功率因數校正部分,...
國芯思辰|1200V/44A高性能碳化硅MOS在5-6KW車載OBC上的應用,可替代C2M0080120D
車載OBC又稱車載交流充電機,安裝于電動汽車上,通過插座和電纜與交流插座連接,以三相或者單相交流電源向汽車提供電源;車載OBC的優點是不管車載電池在任何...
2022-11-17 標簽:基本半導體 667 0
國芯思辰|可替換C3D10065A的碳化硅肖特基二極管:基本半導體650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC電源設計
在1KWPFC電源設計中,功率因數校正部分市場上主流的器件方案為SiMOS管:Q1\Q2、續流二極管D1/D2、升壓電感L1/L2組成,為后級提供穩定的...
2022-11-15 標簽:基本半導體 461 0
國芯思辰|基本半導體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發電機,工作結溫-55~175℃
氫能發電機特指以氫氣為原料的發電機,原理類似傳統內燃機,經過吸氣、壓縮、爆炸、排氣過程,帶動電機產生電流輸出。氫能發電機是一種環保型的發電設備,具有無噪...
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