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標簽 > 基本半導體
深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體行業領軍企業,專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設有研發中心。
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深圳基本半導體公司成功研發溝槽型碳化硅MOSFET器件結構及制備技術
具體來說,該結構由以下幾部分組成:首先是n+型碳化硅襯底,接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層,這三者自下而上依次排列。在n型電流傳輸層的頂部,從外部向內...
第三代半導體創新企業基本半導體榮獲銳湃科技2023年度優秀合作獎
近日,在銳湃科技舉辦的第一屆供應鏈合作伙伴大會上,基本半導體憑借在客戶端的優異表現,榮獲銳湃科技頒發的“2023年度優秀合作獎”?;景雽w副總經理蔡雄...
基本半導體在NEPCON JAPAN展示碳化硅功率器件領先技術
近日,第38屆日本國際電子科技博覽會(NEPCON JAPAN)在東京有明國際展覽中心(TOKYO BIG SIGHT)盛大舉行。此次盛會,作為亞洲電子...
國芯思辰|耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊上,Rds為32mΩ
隨著新能源汽車的普及,充電樁也成了日常配套的生活設施。目前市面上充電樁電源模塊的轉換效率已經可以做到99%,對于車輛快速且高效的充電有很大的意義。然而這...
國芯思辰|對標科銳C4D30120D,40A/1200V碳化硅肖特基二極管B2D40120HC1用于機車空調升壓電源
在動車或地鐵中,機車空調需要有穩定的電力供電,保持車廂內的空氣質量。當機車出現故障時,需要通過后備電池給空調供電。而機車中常規的后備電池電壓為直流110...
國芯思辰|基本半導體碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1可pin to pin替換科銳C4D30120D
SiC肖特基二極管具有零反向恢復電流和零正向恢復電壓,散熱要求低,是高頻和高效率應用的理想選擇。目前市場上以選用WOLFSPEED的碳化硅為主,但由于各...
2022-11-25 標簽:基本半導體 637 0
國芯思辰|基本半導體?650V碳化硅肖特基二極管B2D20065HC1替代C3D20065D助力1.3kW服務器電源
如圖為1.3kW服務器電源電路框圖,主功率框架包括EMI濾波、單相整流、PFC、半橋LLC以及同步整流等組成,輸出12V電壓;在PFC功率因數校正部分,...
國芯思辰|1200V/44A高性能碳化硅MOS在5-6KW車載OBC上的應用,可替代C2M0080120D
車載OBC又稱車載交流充電機,安裝于電動汽車上,通過插座和電纜與交流插座連接,以三相或者單相交流電源向汽車提供電源;車載OBC的優點是不管車載電池在任何...
2022-11-17 標簽:基本半導體 688 0
國芯思辰|可替換C3D10065A的碳化硅肖特基二極管:基本半導體650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC電源設計
在1KWPFC電源設計中,功率因數校正部分市場上主流的器件方案為SiMOS管:Q1\Q2、續流二極管D1/D2、升壓電感L1/L2組成,為后級提供穩定的...
2022-11-15 標簽:基本半導體 477 0
國芯思辰|基本半導體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發電機,工作結溫-55~175℃
氫能發電機特指以氫氣為原料的發電機,原理類似傳統內燃機,經過吸氣、壓縮、爆炸、排氣過程,帶動電機產生電流輸出。氫能發電機是一種環保型的發電設備,具有無噪...
國芯思辰|基本半導體碳化硅肖特基二極管B2D06065E在主體為BOOST電路的PFC電路應用方案
計算機開關電源是一種電容輸入型電路,其電流和電壓之間的相位差會造成交換功率的損失,此時便需要PFC電路提高功率因數。目前的PFC有兩種,一種為被動式PF...
國芯思辰|基本半導體650V碳化硅肖特基二極管B2D30065HC1可替代C3D30065D用于5G微基站電源
第5代通信技術5G頻率越高,穿透和繞射能力會相對下降,信號智能直射傳播,很多偏僻地方就會收不到信號,微基站很好彌補了這項缺陷。微基站是一種從產品形態、發...
國芯思辰|基本半導體大電流高壓碳化硅MOS B1M032120HK助力UPS電源高效化,導通電阻32mΩ
UPS電源作為日常生活中的應急備用電源,其效率要求也逐漸提高。UPS電源內部主電路拓撲多采用LLC諧振變換器,然而傳統的功率MOS(超級結MOS和COO...
國芯思辰|基本半導體SiC肖特基二極管助力OBC發展,650V B1D系列可P2P替代Wolfspeed的C3D系列?
采用SiC功率器件可有效提高電動汽車驅動系統,獲得更高的擊穿電壓、更低的開啟電阻、更大的熱導率;并且能保證在更高溫度下可以穩定工作,使電動汽車或混合動力...
國芯思辰|基本半導體碳化硅肖特基二極管B1D10120E替代C4D10120E用于IGBT鉗位,反向電壓1200V
在許多工業設備中通常都會采用IGBT來作為主功率器件,能夠有效的減少開關損耗,提高逆變器的效率,因此為了保護IGBT能夠正常穩定的工作,設計師們會給IG...
2022-10-12 標簽:基本半導體 464 0
國芯思辰|基本半導體碳化硅MOSFET B1M080120HC可替代C2M0080120D降低電機驅動功率損耗,導通延遲20ns
據評估,世界上超過一半的電能消耗用于各種電動機。因此,降低電動機的功率損耗并提高電力轉換的效率顯得尤為重要。電動機驅動電路一般原理圖本文主要講到基本半導...
國芯思辰|基本半導體碳化硅肖特基二極管B1D40120HC替代C4D40120D用于儲能雙向變流器,有效提高系統功率密度
儲能變流器(PCS)可控制蓄電池的充電和放電過程,進行交直流的變換,在無電網情況下可以直接為交流負荷供電。PCS由DC/AC雙向變流器、控制單元等構成。...
國芯思辰|基本半導體雙通道隔離柵極驅動器BTD21520替換UCC21320-Q1用于UPS電源,驅動峰值電流4.5/6A
國芯思辰接觸的某工程師在做一款50KVA高頻在線式UPS設計,需要在控制器的驅動信號與功率開關管之間做隔離,這里提一下國產基本半導體的雙通道隔離柵極驅動...
國芯思辰|基本半導體單通道隔離柵極驅動器BTD5350替代東芝TLP350用于工業空調
在工業空調變頻的過程中,通過電源濾波整流,把交流轉換為直流,通過PFC的功率因子提升給到驅動電路部分,而由于IGBT的開關特性和安全工作區隨著柵極IGB...
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