深圳基本半導體近期獲批一項名為“一種溝槽型碳化硅MOSFET器件結構及其制備方法”的專利(專利號CN117238972B),并將于2024年4月16日正式生效。此項專利主要涉及半導體器件技術領域,其創新之處在于提出了一種新型溝槽型碳化硅MOSFET器件結構及制作工藝。
具體來說,該結構由以下幾部分組成:首先是n+型碳化硅襯底,接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層,這三者自下而上依次排列。在n型電流傳輸層的頂部,從外部向內部依次設有p+型基區、n+型源區以及柵氧化層,其中柵氧化層還包覆著多晶硅柵。此外,柵氧化層、p+型基區以及n+型源區的底部均設有p+型保護區,n型電流傳輸層上方則覆蓋有隔離介質層,其兩側各設接觸電極,隔離介質層上方設有源電極,n+型碳化硅襯底的背面設有漏電極。
通過這種設計,本發明成功地改變了器件溝道電流的方向,使之不再受溝槽保護結構的限制,同時通過引入電流傳輸層降低了溝槽保護結構對溝道電流的影響,從而實現了更低的比導通電阻。
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