國芯思辰｜可替換C3D10065A的碳化硅肖特基二極管：基本半導體650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC電源設計

在1KW PFC電源設計中，功率因數校正部分市場上主流的器件方案為Si MOS管：Q1\Q2、續流二極管D1/D2、升壓電感L1/L2組成，為后級提供穩定的直流電源。在PFC功率因數校正方面如果對系統效率要求不高的情況下，可使用Si快速恢復二極管（FRD）；然而在一些要求效率更高的場合，如5G通信電源，電摩充電器電源中的運用需要更高的效率。本文重點提到國產基本半導體650V/10A碳化硅肖特基二極管B2D10065K1，應用于1KW充電器PFC電源設計。

PFC功率因數校正電路拓撲框圖

如圖為1KW充電器PFC功率因數校正方案的電路圖框，主要包含單相整流、PFC構成，其中續流二極管采用國產廠商基本半導體推出的650V/10A碳化硅肖特基二極管B2D10065K1，該器件采用TO-220封裝，極大降低了開關損耗，并聯器件中沒有熱崩潰，同時降低系統對散熱片的依賴。

基本半導體碳化硅肖特基二極管B2D10065K1應用于1KW電源PFC電路有以下優勢：

1、VR為650V，滿足AC整流輸出電壓在300V~400V的運用電壓要求，且留2倍余量，能夠更好的應對反向電壓應力；

2、IF為10A，滿足1KW功率使用需求，Qc為29nC。極小的反向恢復電荷，可高速開關，降低開關損耗，有效提高電源系統效率；

3、提高PFC開關管Q1\Q12開關頻率，從而減小電感L1、L2的尺寸和成本，提升整體的功率密度和降低系統成本；

4、工作結溫和存儲溫度范圍均為-55~175℃，適合工業生產環境溫度較高的使用場合；

5、采用TO-220封裝，極大降低了開關損耗，降低系統對散熱片的依賴；

6、B2D10065K1可替代科銳的C3D10065A、羅姆的SCS210AG、英飛凌的IDH10G65C5、意法半導體STPSC10H065D、安森美的FFSP1065A。

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