國芯思辰｜耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊上，Rds為32mΩ

隨著新能源汽車的普及，充電樁也成了日常配套的生活設施。目前市面上充電樁電源模塊的轉換效率已經可以做到99%，對于車輛快速且高效的充電有很大的意義。然而這對于設計者來說，功率器件的選型尤為重要。

本文提到基本半導體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的LLC諧振電路中，可以有效降低熱損耗，提高工作效率，同時也可以減小變壓器等器件的體積。

基本半導體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的電路框圖如下：

充電樁電源模塊功率段部分框圖

基本半導體的碳化硅MOSFET B1M032120HK，耐壓1200V，Rds 32mΩ，持續電流84A，T0247-4封裝，用于充電樁電源模塊上有以下優勢：

1、Rds 32mΩ，相較于傳統的Si MOSFET，導通內阻更低，損耗更小，可以提高系統效率；

2、反向恢復時間典型值僅27nS，開關頻率更快，周邊器件可以小型化，節省空間；

3、耐壓1200V，電流典型值84A，對于目前市面上三相380VAC的電源模塊，不管哪個功率段的都適用；

4、TO247-4封裝，為功率器件的常用封裝，可以與科銳C3M0032120K、羅姆SCT3040KR、英飛凌IMZ120R045M1、安森美NTH4L040N120SC1等眾多的品牌器件直接進行兼容替換使用；

5、結溫-55℃~+150℃，寬溫工作范圍，可以滿足產品在惡劣環境下的使用，保證性能。

另外，基本半導體為國產SIC MOSFET功率器件知名品牌，目前已有很多頭部大廠的成功應用案例，設計者可以放心選用。

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