基本半導體攜碳化硅MOSFET新品亮相SNEC國際光伏展

5月，SNEC第十六屆（2023）國際太陽能光伏與智慧能源大會在上海新國際博覽中心重磅舉行?；?a target="_blank">半導體攜旗下第二代碳化硅MOSFET系列新品，以及全系汽車級碳化硅功率模塊、碳化硅二極管、驅動IC、功率器件驅動器等產品亮相展會，攜手光伏圈生態合作伙伴，共話新能源行業清潔、低碳、高效發展新路徑。

品鑒新品 共探新能源行業高效之路

近年來，全球光伏發電行業一路蓬勃發展。隨著光伏逆變器功率等級的不斷提高，光伏行業對功率器件的規格和散熱要求也越來越高。相比于傳統硅器件，碳化硅功率器件能帶來更高的轉換效率和更低的能量損耗，從而有效縮小系統體積、增加功率密度、延長器件使用壽命、降低生產成本等，在光伏行業呈現大規模應用趨勢。

基本半導體始終致力于研發符合新能源行業需求的高可靠性碳化硅產品，在本次展會現場，眾多碳化硅新品一經展出，受到廣大客戶及行業人士廣泛關注。

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第二代碳化硅MOSFET

基本半導體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺開發，與上一代產品相比，擁有更低比導通電阻（降低約40%）、器件開關損耗（降低約30%），以及更高可靠性和更高工作結溫（175°C）等優越性能。產品類型也進一步豐富，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業電源、通信電源等行業實現更為出色的能源效率和應用可靠性。

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SOT-227封裝碳化硅肖特基二極管

對比硅的快恢復二極管，基本半導體碳化硅肖特基二極管無反向恢復電流，已在工商業光伏逆變器、組串式光伏逆變器、微型光伏逆變器領域廣泛應用，可顯著提升功率密度、減小損耗，優化散熱，降低成本。

基本半導體推出的全新封裝SOT-227碳化硅肖特基二極管，采用氮化鋁（AlN）陶瓷基板，具有熱導率高、強度高、熱膨脹系數低等優點，氮化鋁陶瓷基板熱導率(170~230W/mK)是氧化鋁陶瓷基板的9.5倍，熱阻Rth(jc)低至0.12K/W，主用應用于射頻電源等。

在這一年一度的光伏盛會，基本半導體與新老客戶相聚一堂，共同探討光伏產業前沿技術與發展機遇，現場人氣爆棚，氣氛熱烈。今后，基本半導體將持續深耕碳化硅產品應用，堅持以高價值的產品服務客戶，助推光伏行業高質量發展，賦能清潔低碳的可持續未來。