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刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻［1］相聯系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術

一文詳解微納加工刻蝕工藝

微納加工的高精度和精確度，可以在微米和納米尺度上精確控制材料的形狀和結構，這使得制造微小器件和結構成為可能。

2024-04-16 標簽：集成電路刻蝕半導體集成電路 261 0

等離子刻蝕ICP和CCP優勢介紹

刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差，側壁容易產生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。

2024-04-12 標簽：晶體管 CCP ICP 841 0

淺談刻蝕的終點控制

當等離子體轉變到這種狀態時，電子密度處于最低水平。一般來說，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調整脈沖的占空比，可以將時間平均離子能量分...

2024-04-09 標簽：集成電路等離子體芯片制造 196 0

淺析反應離子刻蝕工藝技術

刻蝕氣體在等離子體中分解電離，形成離子和自由基等刻蝕類物質，稱為Enchant → Enchant到達晶圓表面的過程。

2024-03-27 標簽：集成電路晶圓刻蝕 653 0

什么是線刻蝕干法線刻蝕的常見形貌介紹

刻蝕過程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側壁，是一種各向異性的刻蝕?？涛g后的側壁非常垂直，底部平坦。這是理想的刻蝕形態，它能夠非常精確地復制掩膜上的圖案。

2024-03-27 標簽：晶圓刻蝕 221 0

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結構，并填充了導電材料，它們在每個...

2024-03-20 標簽：刻蝕 3d nand 264 0

微帶天線的四種基本饋電方式

射頻饋電（Microstrip Feed）：這是最常見的微帶天線饋電方式之一。射頻信號通過微帶線傳輸到天線的輻射部分，通常是通過微帶線和輻射貼片之間的...

2024-03-19 標簽：天線微帶天線刻蝕 2575 0

集成電路芯片制造工藝全流程

一般來說SiO2是作為大部分器件結構中的絕緣體或在器件制作過程中作為擴散或離子注入的阻擋層。

2024-03-11 標簽：集成電路芯片制造光刻技術 805 0

PCB正片和負片的區別

通常正片工藝是以堿性蝕刻工藝為基礎的。底片上面，所需的路徑或銅表面是黑色的，而不需要的部分是完全透明的。同樣，在路線工藝曝光后，完全透明的部分被暴露在紫...

2024-01-17 標簽：線路板刻蝕 PCB 555 0

半導體芯片的制造過程及原理

對于電子設備來說，它藏在內部，又非常重要，相當于汽車的發動機、人的心臟，所以叫“芯”。從形態來看，它是一片一片的，所以叫“片”。合起來，就是“芯片”。

2024-01-15 標簽：集成電路芯片制造半導體芯片 427 0

為什么深硅刻蝕中C4F8能起到鈍化作用？

對DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學作用和物理作用進行刻蝕。不同之處在于，兩個射頻源：將...

2024-01-14 標簽：射頻高能電子刻蝕 1082 0

如何在刻蝕鋁之后保護鋁不被腐蝕？

需要鋁金屬的地方太多了，在DRAM和flash等存儲器產品中，鋁連線由于成本低廉和加工簡便仍被廣泛使用。這些存儲器設備通常不像高性能邏輯芯片那樣對電阻和...

2023-12-25 標簽：存儲器等離子體半導體封裝 311 0

光柵耦合器學習筆記

　　耦合一直是硅光集成的一個難點，目前主要有兩種解決方案。

2023-12-06 標簽：光柵帶寬耦合器 871 0

流片Corner Wafer介紹

芯片制造是一個物理過程，存在著工藝偏差（包括摻雜濃度、擴散深度、刻蝕程度等），導致不同批次之間，同一批次不同晶圓之間，同一晶圓不同芯片之間情況都是不相同...

2023-12-01 標簽：晶圓 NMOS 芯片制造 1079 0

半導體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創建所需圖形

2023-11-27 標簽：半導體 DRAM 晶圓 408 0

脊型GaAs基LD激光芯片工藝過程簡述

但是里面也有幾個關鍵的工藝參數需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側壁也垂直很多。

2023-11-14 標簽：封裝 GaAs 芯片工藝 584 0

淺談芯片制程工序中片內&片間均勻性的定義和計算

均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個關鍵指標。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。

2023-11-01 標簽：晶圓光刻半導體工藝 1250 0

什么是干法刻蝕的凹槽效應？凹槽效應的形成機理和抑制方法

但是，在刻蝕SOI襯底時，通常會發生一種凹槽效應，導致刻蝕的形貌與預想的有很大出入。那么什么是凹槽效應？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應呢？

2023-10-20 標簽：芯片 SOI 刻蝕 679 0

基于銻化銦紅外焦平面探測器的微透鏡陣列方案

該微透鏡陣列的制作工藝簡單，與探測器制作工藝相兼容。得到的微透鏡陣列的均勻性較好。直接在探測器背面用銻化銦材料制成，耦合精度高，不存在由于其他材料微透鏡...

2023-10-17 標簽：探測器紅外探測器光電技術 230 0

FIB-TEM進行微納加工和原位研究分析

聚焦離子束與電子束曝光系統相似，由發射源、離子光柱、工作臺、真空與控制系統等結構組成，其核心為離子光學系統，適用的是液態金屬離子源（例如鎵離子源）。

2023-10-10 標簽：SEM fib 光電探測器 1136 0

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