等離子體圖形化刻蝕過程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負載效應。負載效應有兩種:宏觀負載效應和微觀負載效應。
2023-02-08 09:41:26
2549 單晶硅刻蝕用來形成相鄰晶體管間的絕緣區，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。
2023-02-13 11:13:236143 
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58864 
在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:031060 
干法刻蝕技術是一種在大氣或真空條件下進行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學物質來去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數的調控，可以實現各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結構
2024-01-20 10:24:561350 
在半導體加工工藝中，常聽到的兩個詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現，有著千絲萬縷的聯系，這一節介紹半導體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58687 
影響深硅刻蝕的關鍵參數有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:40:1619 
淺談FPGA在安全產品中有哪些應用？
2021-05-08 06:36:39
淺談PWM控制直流電機：1.控制電機正反轉2.加減速3.停止按鈕
2019-04-21 17:32:49
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2023-04-14 14:36:27
淺談移動端適配
2020-04-16 11:52:26
AOE刻蝕氧化硅可以，同時這個設備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規的刻蝕氣體都有，但是過去用的ICP，還沒有用過AOE刻蝕硅，請哪位大佬指點一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
PCB經驗淺談
2012-08-04 09:33:39
新加坡知名半導體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設備主管！此職位為內部推薦，深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機臺poly刻蝕經驗。刻蝕設備主管需要熟悉LAM8寸機臺。待遇優厚。有興趣的朋友可以將簡歷發到我的郵箱sternice81@gmail.com，我會轉發給HR。
2017-04-29 14:23:25
典型的硅刻蝕是用含氮的物質與氫氟酸的混合水溶液。這一配比規則在控制刻蝕中成為一個重要的因素。在一些比率上，刻蝕硅會有放熱反應。加熱反應所產生的熱可加速刻蝕反應，接下來又產生更多的熱，這樣進行下去會
2018-12-21 13:49:20
什么是數碼功放？淺談數碼功放
2021-06-07 06:06:15
半導體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
的誤差更需要控制在這一數值的十分之一以下。綜上所述，刻蝕機是推進單片機IC芯片開發趨向更小化，降低能耗，提高性能的重要設備之一。
2018-08-23 17:34:34
臺面刻蝕深度對埋柵SITH柵陰擊穿的影響針對臺面刻蝕深度對埋柵型靜電感應晶閘管（ＳＩＴＨ）柵陰擊穿特性的影響做了實驗研究。實驗結果表明，隨著臺面刻蝕深度的增大，器件柵陰擊穿由原來的軟擊穿變為硬擊穿
2009-10-06 09:30:24
最近在做一個設計，已經采集到圓弧的起點和終點坐標，半徑也知道，怎么用Labview畫出它的曲線圖，希望知道的幫個忙，謝謝。
2013-03-21 15:40:07
用于運動會終點計時。無線啟動開始計時，到終點分別人工終止計時。有想法的可以和我聯系。相當于一個計時芯片，多個無線按鈕來暫停。
2019-07-03 04:42:36
手機機構設計淺談，
2017-11-13 11:21:21
手機硬件知識淺談
2013-05-15 11:04:52
的硅片報廢，因此必須進行嚴格的工藝流程控制。半導體器件的每一層都會經歷多個刻蝕步驟。刻蝕一般分為電子束刻蝕和光刻，光刻對材料的平整度要求很高，因此，需要很高的清潔度。 但是，對于電子束刻蝕，由于電子的波長
2017-10-09 19:41:52
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
請問知道圓弧的起點和終點坐標和半徑怎么求圓弧的圓心？用labview,,畫弧，，
2023-11-01 21:57:54
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機械結構的干法刻蝕技術濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
因產品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準全自動離子刻蝕機 MEL 3100伯東公司日本原裝進口全自動離子刻蝕機 MEL 3100
2022-11-07 17:22:14
逐點比較法的終點判別
逐點比較法的終點判別方法大致有下列幾種：
（1） 設置一個終點減法計數器JE，插
2009-05-06 22:33:032408 淺談PLC控制系統設計要點及其在使用中的問題
PLC是工業自動化的基礎平臺。PLC應用系統設計的首要問題是工程選型與編程平臺的架構設
2009-06-16 13:47:03598 淺談控制系統中PLC的合理選擇
合理選擇PLC，對于提高PLC在控制系統中的應用有著重要作用。本文就PLC的機型、I/O、存儲器類型及容量和
2009-06-19 12:55:42603 
淺談電腦燈控制臺的基本使用方法
電腦燈自1981年問世以來，就在各類演出、演播室的節目制作中得到應用?？梢哉f電腦燈的出現是舞
2009-12-12 10:18:513988 干法刻蝕原理
刻蝕作用：去除邊緣PN結，防止上下短路。干法刻蝕原理：利用高頻輝光放電反應，使CF4氣體激活成活性粒子，這些活性
2010-07-18 11:28:205687 本文在淺溝槽隔離刻蝕過程中發現，當刻蝕腔室上石英窗口的溫度超過85℃時，刻蝕終止出現在300mm晶圓的中心。我們認為刻蝕終止的原因是由于某些低揮發SiOxCly刻蝕產物再淀積。石英
2012-05-04 17:09:372864 
數控系統加減速控制與程序段終點速度規劃。
2016-05-03 09:38:54
13 淺談變頻器矢量變換控制的基本原理及應用
2017-01-21 11:54:398 KICR在轉爐煉鋼終點溫度預測中的應用_嚴良濤
2017-03-19 11:41:510 晶體硅太陽能電池生產線刻蝕工序培訓 1、刻蝕的作用及方法；2、刻蝕的工藝設備、操作流程及常用化學品；3、主要檢測項目及標準；4、常見問題及解決方法；5、未來工藝的發展方向；
2017-09-29 10:29:0924 鋼水質量通常根據終點命中率來判斷，但煉鋼過程影響因素眾多，機理分析難以準確預測終點溫度和含碳量，鑒于此，提出一種由數據驅動的多任務學習（MTL）煉鋼終點預測方法。首先，分析并提取煉鋼過程的輸入和輸出
2017-12-05 17:09:131 鈍化層刻蝕對厚鋁鋁須缺陷影響的研究
2018-03-06 09:02:505647 反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個剝離的例子?？偟膩碚f，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術來實現。為了復制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768658 北方華創（Naura）官方宣布，ICP等離子刻蝕機第1000腔交付儀式近日在北京亦莊基地舉行，NAURA刻蝕機研發團隊見證了這一歷史性時刻。
2020-12-11 15:30:092197 摘要：在半導體制造工藝的濕法刻蝕中，用熱磷酸刻蝕氮化硅和氮氧化硅是其中一個相對復雜又難以控制的工藝。在這個工藝中，熱磷酸刻蝕后的去離子水（ＤＩＷ）清洗更是一個非常重要的步驟。主要分析了由于去離子水
2020-12-29 14:36:072548 
摘要：對比了ＲＩＥ，ＥＣＲ，ＩＣＰ等幾種ＧａＮ７干法刻蝕方法的特點?；仡櫫耍牵幔危狈?b class="flag-6" style="color: red">刻蝕領域的研究進展。以ＩＣＰ刻蝕ＧａＮ和ＡＩＧａＮ材料為例，通過工藝參數的優化，得到了高刻蝕速率和理想的選擇比及
2020-12-29 14:39:292930 
各向異性刻蝕，可以嚴格控制縱向和橫向刻蝕。? 干法的各向異性刻蝕，可以用表面損傷和側壁鈍化兩種機制來解釋。表面損傷機制是指，與硅片平行的待刻蝕物質的圖形底部，表面的原子鍵被破壞，擴散至此的自由基很容易與其發生反
2020-12-29 14:42:588634 
兼容性好．采用電感耦合等離子體源(inductivelycoupledpla蛐，I凹)技術對金屬鈦進行三雛深刻蝕，采用不同刻蝕掩模、氯基刻蝕氣體，研究了線圈功率、平板功率和娼流量對刻蝕速率和選擇比等工藝參數的影響，并對砸深刻蝕參數進行了優化，得到0．
2020-12-29 14:47:002422 芯片制造有三大核心環節：薄膜沉積、光刻與刻蝕。其中，光刻環節成本最高，其次便是刻蝕環節。光刻是將電路圖畫在晶圓之上，刻蝕則是沿著這一圖案進行雕刻。這一過程中，會用到的設備便是刻蝕機。
2021-01-18 11:34:224056 控制框架，設計了有效的Ⅴ型多變量推理控制器。結合實際生產過程中的最大氣體供給速率，用以限制系統的控制量輸入，建立了基于多變量推理控制的氬氧精煉低碳鉻鐵合金終點控制系統。仿真結果表眀：該系統能夠消除外界不可
2021-05-06 16:32:5014 淺談電力控制系統中PLC網關的應用
2021-11-06 10:24:03570 
刻蝕機不能代替光刻機。光刻機的精度和難度的要求都比刻蝕機高出很多，在需要光刻機加工的時候刻蝕機有些不能辦到，并且刻蝕機的精度十分籠統，而光刻機對精度的要求十分細致，所以刻蝕機不能代替光刻機。
2022-02-05 15:47:0039966 刻蝕速率是指在刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度通常用?/min表示， 刻蝕窗口的深度稱為臺階高度。 為了高的產量， 希望有高的刻蝕速率。 在采用單片工藝的設備中， 這是一個很重要的參數。 刻蝕速率由工藝和設備變量決定， 如被刻蝕材料類型、 蝕機的結構配置、 使用的刻蝕氣體和工藝參數設置。
2022-03-15 13:41:592948 
左邊的電路圖是需要分析的電路，我們的目的是要對此電路進行時序分析，那首先要找到該電路需要分析的時序路徑，既然找路徑，那找到時序分析的起點與終點即可。
2022-05-04 17:13:001851 我們測量了硅化物膜(CoSi2、NiSi2、TiSi2和WSi)的濺射刻蝕速率，并研究了離子能量的依賴性，發現它們與二氧化硅薄膜的相對濺射刻蝕速率幾乎與濺射離子能量無關，從相對濺射蝕刻速率和計算
2022-05-07 15:41:461162 
刻蝕室半導體IC制造中的至關重要的一道工藝，一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，干法刻蝕和濕法刻蝕一個顯著的區別是各向異性，更適合用于對形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316 濕法刻蝕也稱腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術。其中，各向同性 （Isotropic）濕法刻蝕常用的腐蝕劑是由氫氟酸（HF）、硝酸（ HNO3）和乙酸（CH3COOH）組成的混合物
2022-10-08 09:16:323657 濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關鍵層清洗中依然發揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:187474 刻蝕是移除晶圓表面材料，達到IC設計要求的一種工藝過程。刻蝕有兩種:一種為圖形 化刻蝕，這種刻蝕能將指定區域的材料去除，如將光刻膠或光刻版上的圖形轉移到襯底薄膜 上
2023-02-01 09:09:351807 刻蝕速率是測量刻蝕物質被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產量，因此刻蝕速率是一個重要參數。
2023-02-06 15:06:264207 濕法刻蝕利用化學溶液溶解晶圓表面的材料，達到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學反應的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
2023-02-10 11:03:184183 刻蝕有三種:純化學刻蝕、純物理刻蝕，以及介于兩者之間的反應式離子刻蝕（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45:072706 氮化鎵作為一種寬帶隙半導體，已被用于制造發光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經開發了幾種用于氮化鎵基材料的
不同干蝕刻技術。電感耦合等離子體刻蝕因其優越的等離子體均勻性和強可控性而備受關注
2023-02-22 15:45:410 對晶圓溫度很敏感，所以圖形化刻蝕反應室中必須配備冷卻系統，避免光刻膠形成網狀結構，并且控制晶圓溫度和刻蝕速率。由于刻蝕必須在低壓下進行，但低壓環境不利于熱傳導，所以通常在晶圓背面使用加壓過的氮氣把熱量
2023-03-06 13:52:33850 對于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點都取決于時間，而時間又取決于預先設定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動監測終點的方法，所以通常由操作員目測終點。濕法刻蝕速率很容易受刻蝕劑溫度與濃度的影響，這種影響對不同工作站和不同批量均有差異，因此單獨用時間決定刻蝕終點很困難，一般釆用操作員目測的方式。
2023-03-06 13:56:031824 FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182586 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162294 金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時鋁中如果 有少量銅就會引起殘余物問題，因為Cu Cl2的揮發性極低且會停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542451 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:432015 DRIVE Labs 系列文章 終點站： 尋找車位與自動泊車 始 發 站 | 自 動 駕 駛 基 礎 功 能 第 二 站 | 基 本 路 況 感 知 第 三 站 | 讀 懂 交 通 標 志 與 信 號 燈 第 四 站 | 監 控 車 外 的 風 吹 草 動 第 五 站 | 提 高 道 路 狀 況 的 可 見 性 第 六 站 | 基 于 洞 察 的 智 能 規 劃 第 七 站 | 為 駕 乘 人 員 的 安 全 保 駕 護 航 終 點 站 | 尋 找 車 位 與 自 動 泊 車 自動駕駛汽車穿梭過大街小巷，平安經過了各類型的路口，即將到達終點。但隨著近年來汽車數量的增
2023-05-11 20:16:27227 
刻蝕硅，硅的均勻剝離，同時帶走表面顆粒。隨著器件尺寸縮減會引入很多新材料（如高介電常數和金屬柵極），那么在后柵極制程，多晶硅的去除常用氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，制程關鍵是控制溶液的溫度和濃度，以調整刻蝕對多晶硅和其他材料的選擇比。
2023-06-05 15:10:011664 光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353693 
刻蝕在晶圓上完成電路圖的光刻后，就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導體電路圖。要做到這一點需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。刻蝕的方法主要分為兩種，取決于所使用的物質
2022-07-12 15:49:251503 
第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463488 
刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結構。刻蝕的原理是利用化學反應或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發生形貌變化。
2023-08-01 16:33:384330 PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:393239 光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術，用于制造微細結構和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學和物理作用，通過光罩的設計和控制，將光影投射到光敏材料上，形成所需的圖案。
2023-08-24 15:57:422461 在半導體制造中，刻蝕工序是必不可少的環節。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術各有優勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關重要的。
2023-09-26 18:21:003551 
有過深硅刻蝕的朋友經常會遇到這種情況：在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171711 
刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區域的材料以形成相應微結構。但是，在目標材料被刻蝕時，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252326 
半導體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創建所需圖形
2023-11-27 16:54:26296 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17531 
對DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學作用和物理作用進行刻蝕。不同之處在于，兩個射頻源：將等離子的產生和自偏壓的產生分離
2024-01-14 14:11:59599 
使用SEMulator3D?工藝步驟進行刻蝕終點探測 作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導體行業一直專注于使用先進的刻蝕
2024-01-19 16:02:42155 
影響深硅刻蝕的關鍵參數有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:44:39378 
刻蝕機的刻蝕過程和傳統的雕刻類似，先用光刻技術將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內，通過化學腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24765 
刻蝕過程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側壁，是一種各向異性的刻蝕。刻蝕后的側壁非常垂直，底部平坦。這是理想的刻蝕形態，它能夠非常精確地復制掩膜上的圖案。
2024-03-27 10:49:0676 
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