淺析RAM存儲器內部結構圖

RAM，中文名為隨機存取存儲器。它是一種計算機主存儲器的形式，用于暫時存儲CPU要處理的數據和程序。RAM 存儲器可以被CPU隨機訪問，也就是說，CPU可以在不按照順序進行訪問的情況下，任意地選擇存儲器中的一個地址，并讀取或寫入存儲器中的數據。

RAM 存儲器通常被劃分為動態隨機存儲器（DRAM）和靜態隨機存儲器（SRAM），二者在價格、容量、速度、功耗等方面有所不同。

DRAM 存儲器是一種廉價而高密度的存儲器，可以存儲數GB的數據，但其讀寫速度較慢，需要經常刷新（refresh）新穎的數據。SRAM 存儲器則是一種高速而通常較少容量的存儲器，可以迅速讀寫存儲其內容，但通常更昂貴。

在計算機中，CPU需要定期地從 RAM 存儲器中讀取數據和指令。隨著計算機應用程序的不斷發展，RAM 存儲器的容量和速度不斷提高，以適應計算機系統的需要。

RAM結構

RAM（隨機存取存儲器）是一種計算機主存儲器，根據內部結構的不同，可以分為靜態隨機存儲器（SRAM）和動態隨機存儲器（DRAM）兩種，它們的內部結構有所不同。

1. SRAM結構：SRAM 存儲器使用了一組存儲器單元。每個存儲器單元由 6 個晶體管構成，其中 4 個是用于兩個互補反相器的電腦元件，另外 2 個是用于選擇單元的開關。SRAM 存儲器具有實時響應能力和快速讀取速度，但因為它使用許多元件來實現簡單的存儲單元，所以它需要更多占用空間。

2. DRAM結構：DRAM 存儲器使用了一組存儲器單元。每個存儲器單元由一個電容器和一個晶體管構成。一個電容器只能存儲一個數字位。DRAM 存儲器具有高存儲密度和簡單的存儲單元，但刷新需要的訪問時間增加了存儲和訪問延遲。DRAM 存儲器使用內部刷新電路，以避免數據位損失，但這也使得它的響應時間較長。

總的來說，SRAM和DRAM結構的區別在于他們使用的存儲單元不同。SRAM使用更多的晶體管實現一個單元，RAM需要較大的空間才能保存相同的數據，但是他的讀取速度快，響應時間實時。DRAM使用電容器和晶體管構成一個存儲單元，存儲密度高，但刷新延遲高，響應時間慢。

審核編輯：黃飛