中國科學(xué)院“先導”項目成果發(fā)布。 根據中科院計算所副所長(cháng)包云崗介紹，第二代“香山”開(kāi)源高性能RISC-V處理器核，于2022年9月研制完畢，計劃2023年6月流片。性能超過(guò)2018年Arm公司發(fā)布的 Cortex-A76內核。 ? 高性能的開(kāi)源RISC-V內核 RISC-V 起源于加州大學(xué)伯克利分校，發(fā)
2023-06-01 01:13:00
2133 柵的設計解決了SiC MOSFET中柵極氧化物的可靠性問(wèn)題，并克服了常見(jiàn)的SiC MOSFET在控制和驅動(dòng)方面的限制，這加速了SiC MOSFET上車(chē)的節奏。 ? 在第二代產(chǎn)品上，英飛
2024-03-19 18:13:181431 
利用 SiC 功率器件開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進(jìn)行設計。
2024-03-13 14:31:4667 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴格的車(chē)規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著(zhù)瞻芯電子在半導體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 潮，令800V平臺、SiC電驅開(kāi)始打進(jìn)20萬(wàn)內的市場(chǎng)，SiC也進(jìn)一步能夠加速在市場(chǎng)上普及。 ? 最近兩家國內廠(chǎng)商又有多款SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了車(chē)規級認證，這將繼續推動(dòng)SiC功率器件量產(chǎn)上車(chē)。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布，由公司開(kāi)發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)
2024-03-13 01:17:002631 
RK3576處理器
RK3576瑞芯微第二代8nm高性能AIOT平臺，它集成了獨立的6TOPS（Tera Operations Per Second，每秒萬(wàn)億次操作）NPU（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )處理單元），用于
2024-03-12 13:45:25
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過(guò)了嚴格的AEC-Q101車(chē)規級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著(zhù)瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續創(chuàng )新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 全球知名音頻品牌Bose近日宣布推出其全新音頻可穿戴設備——Bose Ultra開(kāi)放式耳機。這款耳機采用第二代高通?S5音頻平臺，并支持Snapdragon Sound驍龍暢聽(tīng)技術(shù)，旨在為用戶(hù)帶來(lái)無(wú)與倫比的高清音頻體驗、快速穩健的連接性能以及更持久的續航時(shí)間。
2024-03-11 10:30:28144 3月8日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴格的車(chē)規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
上海瞻芯電子科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“瞻芯電子”）近期取得了一項重要的技術(shù)突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，分別為650V 40mΩ規格的IV2Q06040D7Z和650V 60m
2024-03-07 09:43:18222 出首批2款基于第二代碳化硅（SiC）MOSFET芯片技術(shù)的SMPD塑封半橋模塊產(chǎn)品，并順利通過(guò)了車(chē)規級可靠性認證（AQG324）。
2024-03-07 09:37:27150 近期，科技巨頭三星半導體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:14315 茂睿芯推出第二代CAN FD收發(fā)器MCAN1462，是國內首款支持10Mbps通信速率、具有信號改善能力（SIC）的CAN FD收發(fā)器
2024-03-01 10:47:03290 
在通用PWM發(fā)電機中，我可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎？
2024-03-01 06:34:58
SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車(chē)逆變器、車(chē)載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ，展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ，旨在滿(mǎn)足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 據報道，韓國三星代工廠(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始試制其第二代 3 納米級別工藝技術(shù)的芯片，稱(chēng)為 SF3。這一發(fā)展標志著(zhù)半導體行業(yè)的一個(gè)重要里程碑，因為三星與臺積電競爭下一代先進(jìn)工藝節點(diǎn)的量產(chǎn)主導權。韓國知名權威
2024-01-22 16:10:14456 
第二代配網(wǎng)行波故障預警與定位裝置YT/XJ-001：守護電力線(xiàn)路的超能"哨兵" 電力，如同現代社會(huì )的血脈，支撐著(zhù)我們的生活和工作正常運行。然而，一旦這條血脈出現故障，生活和工作
2024-01-22 15:11:19135 
據行業(yè)知情人士透露，SK On最近與現代汽車(chē)簽署了一份價(jià)值約萬(wàn)億韓元的協(xié)議。根據這份協(xié)議，SK On將成為現代汽車(chē)第二代電動(dòng)汽車(chē)平臺項目的首個(gè)合作伙伴，為其提供電池。
2024-01-18 15:57:20233 近日，中科馭數自研第二代DPU芯片K2在眾多云生態(tài)創(chuàng )新應用技術(shù)產(chǎn)品中脫穎而出，成功入選由中國云產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟暨中關(guān)村云計算產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布的“2023年中國云生態(tài)創(chuàng )新應用技術(shù)產(chǎn)品”。這一殊榮既是對中科馭數第二代DPU芯片K2在行業(yè)領(lǐng)先地位的認可，也展現出DPU芯片在云產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵價(jià)值和重要意義。
2024-01-18 09:20:05443 近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過(guò)了嚴苛的車(chē)規級可靠性認證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡(jiǎn)便，損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:24770 
高通技術(shù)公司近日宣布推出全新第二代驍龍?XR2+平臺，這一創(chuàng )新平臺旨在為MR和VR設備帶來(lái)更出色的性能和體驗。第二代驍龍XR2+平臺具備強大的硬件配置，支持高達4.3K的單眼分辨率和12路及以上的并行攝像頭，從而為用戶(hù)帶來(lái)更加清晰、沉浸的MR和VR體驗。
2024-01-08 15:22:27396 近日，高通技術(shù)公司再次引領(lǐng)行業(yè)前沿，推出了全新的第二代驍龍XR2+平臺。這一平臺的性能顯著(zhù)提升，其中GPU頻率提升了15%，CPU頻率提升了20%，為MR和VR體驗開(kāi)辟了全新的可能性。
2024-01-05 15:19:51224 近日，高通技術(shù)公司宣布推出全新第二代驍龍?XR2+平臺，這款平臺將為XR設備帶來(lái)前所未有的清晰度與流暢度，為工作和娛樂(lè )提供無(wú)與倫比的沉浸式體驗。
2024-01-05 15:13:25255 第二代驍龍XR2+平臺支持4.3K單眼分辨率和12路及以上并行攝像頭，帶來(lái)更清晰沉浸的MR和VR體驗。
2024-01-05 09:47:38209 近日，國內智能投影品牌希影正式發(fā)布便攜旗艦投影L12 Pro的升級款L12 Pro第二代，并宣布上架華為商城全面開(kāi)售。 作為希影旗下銷(xiāo)量“扛把子”系列之一，希影L系列此前就深受廣大用戶(hù)喜愛(ài)，取得了
2024-01-03 17:08:37667 在新榮耀三周年暨榮耀100系列新品發(fā)布會(huì )上，榮耀100 Pro閃耀登場(chǎng)，讓數字系列再次引領(lǐng)時(shí)尚影像新風(fēng)潮。榮耀100 Pro搭載 第二代驍龍8移動(dòng)平臺 ，將獨特的美學(xué)設計、出色的性能表現、單反級寫(xiě)真相機以及創(chuàng )新的智能體驗融于一體。本期體驗報告，一起來(lái)感受這款時(shí)尚新品從設計到體驗的全面升級。
2024-01-02 11:43:39456 智繪微電子官方宣布，第二代具有完全自主知識產(chǎn)權的圖形處理芯片“IDM929”成功實(shí)現了一次性流片成功，并順利點(diǎn)亮！
2023-12-29 10:46:04452 還發(fā)布了第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，不僅兼容15~18V驅動(dòng)，而且比導通電阻下降25%，其損耗更低、成本更優(yōu)，綜合性能達到國際一流水平。
2023-12-25 18:42:34559 
1996年及之后生產(chǎn)的所有輕型車(chē)量都必須采用第二代隨車(chē)診斷系統（OBDⅡI）標準。OBDII的主要目的是降低排放污染，而設立OBD I（1988年）的主要目的是檢查傳感器或其電路是否有問(wèn)題。
2023-12-21 16:52:56143 
SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場(chǎng)效應晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開(kāi)關(guān)速度和功率密度，廣泛應用于多種電路中。 首先，讓我們簡(jiǎn)要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應？ 提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應是一個(gè)復雜的問(wèn)題，涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET對驅動(dòng)電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）是一種新興的功率半導體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應用于各種驅動(dòng)電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416 今天江蘇宇拓電力科技來(lái)為大家說(shuō)明一下產(chǎn)品介紹：第二代配網(wǎng)行波故障預警與定位裝置YT/XJ-001 一、產(chǎn)品概述 第二代配網(wǎng)行波故障預警與定位裝置YT/XJ-001是一種先進(jìn)的故障預警與定位系統，專(zhuān)為
2023-12-11 09:22:58207 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 
SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:17221 
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21431 
如何選取SiC MOSFET的Vgs門(mén)極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29482 
深入剖析高速SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)行為
2023-12-04 15:26:12293 
易天光通信作為通信行業(yè)的新秀，深耕通信領(lǐng)域近十余載，近期推出了全新升級的第二代100G ZR4 80KM光模塊，將成為未來(lái)通信發(fā)展的重要里程碑，為易天和客戶(hù)的交流合作打開(kāi)了一扇突破傳輸距離限制的嶄新大門(mén)。
2023-12-01 16:56:56243 
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:02345 
Core2是M5StackCore系列的第二代主機，它搭載了ESP32芯片和可觸摸屏，具有易于堆疊、可拓展和快速開(kāi)發(fā)的特性。自2020年發(fā)布至今，Core2在國內外市場(chǎng)持續熱銷(xiāo)受到廣大用戶(hù)的喜愛(ài)
2023-11-18 08:29:08465 
SiC功率開(kāi)關(guān)，利用意法半導體最先進(jìn)的第二代和第三代SiC MOSFET技術(shù)，確保低 RDS(開(kāi))值。這些器件
2023-11-14 15:48:49356 據稱(chēng)，第二代Vision Pro的項目代號為Project Alaska，設備標識符為N109，整體外觀(guān)與初代Vision Pro接近。盡管它在很大程度上沿用初代設計，不過(guò)會(huì )調整揚聲器等零件的位置。
2023-11-13 17:05:35476 下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列，進(jìn)行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
泵、空調等汽車(chē)系統，產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)包括高功率密度、設計高度緊湊和裝配簡(jiǎn)易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強了系統設計靈活性。 ? 新模塊內置1200VSiC功率開(kāi)關(guān)管，意法半導體第二代和第三代 SiC MOSFET先進(jìn)技術(shù)確保碳化硅開(kāi)關(guān)管具有很低的導通電阻RDS(o
2023-10-30 16:03:10262 超聲波在日常生活中無(wú)處不在，在醫療領(lǐng)域，借助超聲波可用于洗牙、協(xié)助診斷各種疾病;在汽車(chē)領(lǐng)域，利用超聲波可探測障礙物到車(chē)輛的距離。本文為大家介紹立功科技第二代超聲波雷達(AK2)的解決方案。
2023-10-17 15:36:104051 
炬芯科技宣布全新第二代2.4G/BT低延遲無(wú)線(xiàn)收發(fā)音頻SoC芯片ATS3031發(fā)布量產(chǎn)，終端品牌產(chǎn)品已經(jīng)上市規模銷(xiāo)售。
2023-10-07 12:29:17637 越來(lái)越嚴苛，已經(jīng)超出了硅 （Si） 基 MOSFET的能力，因而基于碳化硅 （SiC） 的新型晶體管架構應運而生。 雖然新式器件在所有關(guān)鍵性能指標方面都有明顯的優(yōu)勢，但由于各種局限性和應用的不確定性，設計人員對第一代 SiC器件持謹慎態(tài)度是明智的。第二代器件規格方面經(jīng)過(guò)
2023-10-03 14:40:001643 
產(chǎn)品均搭載高通技術(shù)公司推出的第二代高通S5音頻平臺，支持Snapdragon Sound驍龍暢聽(tīng)技術(shù)，帶來(lái)包括無(wú)損音頻、穩健連接和超低時(shí)延等強大特性。
2023-09-22 12:25:341655 白皮書(shū)
第二代ClearClock?三次泛音晶體振蕩器
在這份全新的白皮書(shū)中，我們討論了最新一代超低抖動(dòng)三次泛音晶體振蕩器的特點(diǎn)、優(yōu)勢、性能和特性，這些振蕩器旨在為各種高速應用提供穩定準確的時(shí)鐘信號
2023-09-13 09:51:52
材料領(lǐng)域中，第一代、第二代、第三代沒(méi)有“一代更比一代好”的說(shuō)法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱(chēng)為寬禁帶半導體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導體，或將氮化鎵、砷化鎵、磷化銦制成
2023-09-12 16:19:271931 
單通道STGAP2SiCSN柵極驅動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節省空間的窄體SO-8封裝，通過(guò)精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著(zhù)SiC技術(shù)廣泛應用于提高功率轉換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設計、節省了空間，并增強了節能型動(dòng)力系統、驅動(dòng)器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
處理速度大幅提升，成像速度是第一代的1.6 倍，內存開(kāi)銷(xiāo)較上一代平臺降低了75%，計算平臺I/O吞吐訪(fǎng)問(wèn)性能達到Jetson NX平臺的1.4倍?；谝陨详P(guān)鍵性能提升，第二代平臺通用計算資源有了冗余
2023-08-25 11:42:19229 
談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131018 
據介紹，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V，可提升應用兼容性，簡(jiǎn)化應用系統設計。在產(chǎn)品結構上，第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設計，使器件比導通電阻降低約25%，并顯著(zhù)降低開(kāi)關(guān)損耗，提升系統效率。
2023-08-23 15:38:01703 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LSI第二代6Gb/s超級磁盤(pán)陣列SATA+SAS控制器卡常見(jiàn)問(wèn)題.pdf》資料免費下載
2023-08-22 15:52:17
0 瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線(xiàn)，開(kāi)發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品，其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285 
車(chē)載充電機（On-Board Charger，簡(jiǎn)稱(chēng)為OBC）的基本功能是：電網(wǎng)電壓經(jīng)由地面交流充電樁、交流充電口，連接至車(chē)載充電機，給車(chē)載動(dòng)力電池進(jìn)行慢速充電?；景雽w第二代SiC碳化硅
2023-08-17 10:07:23
在自己的開(kāi)發(fā)板移植了蜂鳥(niǎo)E203二代，用IDE測試hello world程序，報了下面錯誤，有大佬能幫忙看看嘛，或者遇到過(guò)相關(guān)的救救孩子，太感謝了。
詳細一點(diǎn)的我寫(xiě)在這了，發(fā)帖復制粘貼不了
2023-08-16 07:44:24
第二代數字OLED尾燈將配備6個(gè)OLED面板，共計360個(gè)發(fā)光單元，可在每10毫秒生成一個(gè)新圖像，使其具備交互燈功能，使外部燈光作為智能顯示屏，與其他道路使用者互聯(lián)交互。
2023-08-09 16:52:39825 對于SiC功率MOSFET技術(shù)，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時(shí)，解決好特有可靠性問(wèn)題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:57428 首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071102 
第二代平臺支持AI降噪，支持錄音功能，支持視頻表盤(pán)，支持第三方應用程序，支持WebAssembly技術(shù)，擁有更加豐富的外圍接口資源，更精簡(jiǎn)的BOM，更大的內存，滿(mǎn)足個(gè)性化需求等等領(lǐng)先優(yōu)勢。在此基礎上，整體的性能更加強勁功耗更低。
2023-08-05 08:31:18672 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《第二代6gb/s MegaRAID控制器卡片和快速路徑軟件.pdf》資料免費下載
2023-08-02 14:54:490 使用。其中PFC維也納電路AC/DC的開(kāi)關(guān)頻率40kHz左右，一般使用650V的超結MOSFET或者650V的IGBT，劣勢是器件多，硬件設計復雜，效率低，失效率
2023-08-02 10:29:00
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開(kāi)始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內存，其帶寬超過(guò)
2023-07-28 11:36:40535 2023年7月，炬芯科技宣布全新第二代智能手表芯片正式發(fā)布。自2021年底炬芯科技推出第一代的智能手表芯片開(kāi)始便快速獲得了市場(chǎng)廣泛認可和品牌客戶(hù)的普遍好評。隨著(zhù)技術(shù)的不斷創(chuàng )新和突破，為了更加
2023-07-25 17:14:201309 2023年7月，炬芯科技宣布全新第二代智能手表芯片正式發(fā)布。自2021年底炬芯科技推出第一代的智能手表芯片開(kāi)始便快速獲得了市場(chǎng)廣泛認可和品牌客戶(hù)的普遍好評。隨著(zhù)技術(shù)的不斷創(chuàng )新和突破，為了更加
2023-07-25 14:04:22387 
2023年7月，炬芯科技宣布全新第二代智能手表芯片正式發(fā)布。自2021年底炬芯科技推出第一代的智能手表芯片開(kāi)始便快速獲得了市場(chǎng)廣泛認可和品牌客戶(hù)的普遍好評。隨著(zhù)技術(shù)的不斷創(chuàng )新和突破，為了更加
2023-07-24 17:16:17839 
USB Implementers Forum 已將 USB 3.0 更新為 USB 3.1。 FLIR 更新了其產(chǎn)品描述來(lái)反映此項更改。 ?本頁(yè)將介紹 USB 3.1 以及第一代與第二代 USB 3.1 之間的差異及兩者能給機器視覺(jué)開(kāi)發(fā)人員帶來(lái)的實(shí)際益處。
2023-07-14 14:52:23670 
我們不妨稱(chēng)之為第二代，第一代為單管IGBT控制器，第二代為SIC 控制器，最新的暫稱(chēng)第三代）進(jìn)行對比兩代控制器的設計區別。
2023-07-06 10:22:06811 
ZMOD4410 數據表附錄 - IAQ 第二代：附加特性
2023-07-03 18:35:080 [RZ/Five] RZ/G 系列，第二代用戶(hù)手冊概述：硬件
2023-06-30 18:54:160 6月28日，全球頂級移動(dòng)通信盛會(huì )上海MWC正式拉開(kāi)帷幕。作為領(lǐng)先的全場(chǎng)景智能車(chē)芯企業(yè)，芯馳科技攜第二代中央計算架構SCCA2.0，以及全系列高性能、高安全車(chē)規芯片產(chǎn)品和解決方案閃亮登場(chǎng)！ 2023
2023-06-29 11:09:21353 1. 高通第二代驍龍4 芯片發(fā)布，傳由臺積電轉單三星代工 ? 據外媒報道，高通公司本月27日正式發(fā)布第二代驍龍4移動(dòng)平臺（Snapdragon 4 Gen 2），據傳將從前代的臺積電6納米工藝平臺
2023-06-29 10:54:291085 要點(diǎn) — ?? 第二代驍龍4旨在進(jìn)一步推動(dòng)5G等先進(jìn)技術(shù)在全球范圍內普及 ?? 滿(mǎn)足消費者對入門(mén)級產(chǎn)品的需求，提供輕松自如的多任務(wù)處理、先進(jìn)的照片和視頻拍攝以及可靠的連接功能 ??搭載該平臺的商用
2023-06-27 00:05:011083 
要 點(diǎn) — ?? 擴展的第二代高通S3音頻平臺產(chǎn)品組合，專(zhuān)為藍牙適配器而打造，包括支持Snapdragon Sound驍龍暢聽(tīng)技術(shù)。 ?? Snapdragon Sound驍龍暢聽(tīng)技術(shù)和LE
2023-06-22 09:50:01253 
要求。 本文推薦基本半導體第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z用于工業(yè)電源，可以替代英飛凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N
2023-06-17 10:59:00
NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動(dòng)器）的使用指南。本文為第二部分，將重點(diǎn)介紹安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。
2023-06-16 14:39:39538 
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車(chē)快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業(yè)和電網(wǎng)基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
第二代碳化硅MOSFET系列器件用于光儲一體機，將會(huì )比上一代器件在比導通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性等方面性能更加出色。
2023-06-12 14:58:36337 經(jīng)典核基于第二代“香山”工程化優(yōu)化，對標ARM A76，為工業(yè)控制、汽車(chē)、通信等泛工業(yè)領(lǐng)域提供CPU IP核；高性能核則基于第三代“香山”（昆明湖）性能提升，對標ARM N2，為數據中心和算力設施等領(lǐng)域提供高性能CPU IP核。
2023-06-08 16:41:26966 
當前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結構有兩大類(lèi)，是按照柵極溝道的形狀來(lái)區分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074304 
更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式閃存設備已開(kāi)始送樣(2)。以小封裝尺寸提供快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用于各種下一代移動(dòng)應用。鎧俠?UFS 產(chǎn)品性能的改進(jìn)使這些應用程序能夠利用 5G 的連接優(yōu)勢，從而加快下載速度、減少延遲時(shí)間并改善用戶(hù)體驗。 鎧俠UFS 4.0產(chǎn)品
2023-06-06 14:30:191526 
的“RISC-V 開(kāi)源處理器芯片生態(tài)發(fā)展論壇”上，第二代“香山”（南湖架構）開(kāi)源高性能 RISC-V 核心正式發(fā)布。據介紹，“香山”于 2022 年 6 月啟動(dòng)工程優(yōu)化，同年 9 月研制完畢，計劃 2023 年 6
2023-06-05 11:51:36
TE Connectivity第二代充電插座系列，涵蓋國標、美標、歐標、日標系列，通過(guò)革新性結構優(yōu)化設計，可以為客戶(hù)大幅簡(jiǎn)化裝配流程，節省75%以上裝配時(shí)間，產(chǎn)出效率提升4倍以上，并帶來(lái)自動(dòng)化生產(chǎn)可能。
2023-06-01 10:49:30615 SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽(yáng)能逆變器等高頻應用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開(kāi)關(guān)頻率高達幾百K赫茲，門(mén)極驅動(dòng)的設計在應用中就變得格外關(guān)鍵。因為在短路
2023-06-01 10:12:07998 
得益于兩個(gè)并發(fā)數據連接，第二代高通雙卡雙通支持更出色的游戲、數據、通話(huà)和流媒體用戶(hù)體驗 ? ? 多SIM卡功能是智能手機最早的技術(shù)突破之一，通過(guò)支持用戶(hù)接入多個(gè)蜂窩網(wǎng)絡(luò )來(lái)應對連接挑戰。 ? 然而
2023-05-31 16:33:22945 
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比導通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的擊穿電壓強度，更低的損耗和
2023-05-29 10:16:48
據開(kāi)芯院首席科學(xué)家包云崗介紹，第二代“香山”于2022年6月啟動(dòng)工程優(yōu)化，同年9月研制完畢，計劃2023年6月流片，性能超過(guò)2018年ARM發(fā)布的Cortex-A76，主頻2GHz@14nm
2023-05-28 08:41:37
在高壓開(kāi)關(guān)電源應用中,相較傳統的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢。
2023-05-26 09:52:33462 
周(Display Week 2023)，展示面向未來(lái)顯示器的第二代LED技術(shù)，包括基于WICOP Pixel技術(shù)的microLED顯示器和有助于用戶(hù)保持眼睛健康的低藍光(LBL)顯示器。
2023-05-25 10:14:05402 Arasan Chip Systems是移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)SoC半導體IP的領(lǐng)先供應商，今天宣布立即推出用于GF 22nm SoC設計的第二代MIPI D-PHY IP。
2023-05-19 14:51:22570 Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
第二代準諧振 PWM 控制器
2023-03-24 14:41:30
第二代準諧振 PWM 控制器 SOT23-6
2023-03-24 14:01:59
然而不知不覺(jué)中，現在這套電驅系統已經(jīng)升級到了第二代，除了結構上的變化，部分零部件也采用了全新的設計，借著(zhù)這次試駕名爵 eHS 的機會(huì )，我了解到了第二代 EDU 的一些細節信息，下面跟大家分享。
2023-03-24 10:53:312194
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