Samsung研發第二代3納米工藝 SF3

據報道，韓國三星代工廠已經開始試制其第二代 3 納米級別工藝技術的芯片，稱為 SF3。韓國知名權威新聞媒體《朝鮮日報》報道稱，三星現已試產第二代 3 納米工藝芯片 SF3。報道提到，三星預計在未來六個月內，該芯片的良率將超過 60%。

據《電子時報》報道，三星正在測試在 SF3 節點上制造的芯片的性能和可靠性。這是三星使用 SF3 工藝的首款芯片，預計將設計用于可穿戴設備。公司很可能會在三星 Galaxy Watch 7 和其他設備發布之際，正式推出這款芯片。

SF3 工藝是一種 3 納米級技術，它是在三星首代 3 納米工藝的基礎上發展起來的。這一新工藝預計將領跑人工智能時代，它將能夠生產出更高效、更強大的芯片。SF3 芯片的試生產是 SF3 節點全面生產的關鍵一步。完成試生產后，公司預計將于今年晚些時候開始全面生產。《朝鮮日報》表示，三星預計也將使用此節點生產 Exynos 2500 芯片。這款芯片很可能會在明年的三星 Galaxy S25 系列手機中首次亮相。

三星先前已聲明計劃在今年下半年開始 SF3 芯片的大規模量產。公司今年將集中生產其 3 納米芯片 SF3（3GAP）及其更優版本 SF3P（3GAP+）。至于 2 納米節點，三星已經確認，計劃在兩年內推進其計劃。

據三星公司介紹，SF3 節點可以在同一芯片單元中實現不同的全環繞柵極（GAA）晶體管納米片通道寬度，提供更大的設計靈活性。這也可以使芯片消耗更低的功率，表現出更高的性能，并通過優化設計提高晶體管密度。