瞻芯電子正式開發第二代碳化硅(SiC)MOSFET產品

瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產線，開發了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產品，其中IV2Q12040T4Z(1200V 40mΩSiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101車規級可靠性認證證書，而且通過了新能源行業頭部企業的導入測試，正式開啟量產交付。

這不僅驗證了瞻芯電子第二代SiC MOSFET工藝平臺的可靠性，也為后續即將量產的其他SiC MOSFET產品奠定了堅實基礎，同時也標志著瞻芯電子碳化硅晶圓廠邁進新的階段。

產品特性

瞻芯電子開發的第二代SiC MOSFET產品驅動電壓(Vgs)為15-18V，可提升應用兼容性，簡化應用系統設計。在產品結構上，第二代SiCMOSFET與第一代產品同為平面柵MOSFET，但進一步優化了柵氧化層工藝和溝道設計，使器件比導通電阻降低約25%，并顯著降低開關損耗，提升系統效率。同時，第二代SiC MOSFET產品依然保持高可靠性與強魯棒性，在AEC-Q101車規可靠性認證、短路測試、浪涌測試中等評估中表現優良。

此外，瞻芯電子將在2023年陸續推出更多規格類型的第二代SiC MOSFET，耐壓等級包括650V/750V/1200V/1700V，導通電阻覆蓋14mΩ-50Ω，并且大都采用車規級標準設計，如下：

IV2Q12040T4Z是一款車規級1200V40mΩ SiC MOSFET產品，導通電流Ids=65A(Tc=25℃)，可耐受工作結溫高達175℃，在對比同類產品測試中，其比導通電阻較低，開關損耗與寄生電容更小，適用于更高開關頻率。

注：所有數據均由瞻芯電子通過同一雙脈沖測試平臺實測所得。

Eon/Eoff測試條件為VDS=800VIDS=30A

在25℃調整Rg_on和Rg_off，使dV/dt和di/dt達到目標值；175℃下Rg不變

備注：所有數據均由瞻芯電子通過同一雙脈沖測試平臺實測所得

反向恢復測試條件為VDS=800VIDS=30A

在25℃調整Rg使di/dt達到目標值；175℃下Rg不變

IV2Q12040T4Z的可靠性與魯棒性也表現不俗，能通過嚴苛的車規級可靠性認證(AEC-Q101標準，包括100% Vds HTRB、HV-H3TRB等加嚴項目)。

IV2Q12040T4Z在短路測試中，可耐受500A峰值脈沖電壓，短路時間大于3uS，波形圖如下：

IV2Q12040T4Z在單次10ms浪涌電流測試中，可耐受峰值電流高達214A，波形圖如下：

IV2Q12040T4Z采用T0247-4封裝，具備開爾文源極引腳，能減小主回路對驅動信號的影響，因此更適合高功率、高頻率、高效率的應用場景。

典型應用

1.電機驅動

2.光伏逆變器、儲能

3.車載直流變換器(DC-DC)

4.車載空壓機驅動

5.開關電源

6.充電樁

7.特種工業電源

審核編輯：彭菁