本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數并分析了這些電氣參數對電路設計的影響，并且根據SiC Mosfet管開關特性和高壓高頻的應用環境特點，推薦了金升陽可簡化設計隔離驅動電路的SIC驅動電源模塊。
2015-06-12 09:51:23
4738 隨著新能源市場的爆發，電動汽車、光伏、儲能等下游應用驅動下，碳化硅功率器件迎來了新一輪增長期。特別是電動汽車上SiC MOSFET的大規模應用后，在近幾年可以看到，國內外各大廠商都密集地加入到SiC的行列中，推出相關產品。
2022-07-25 09:34:581000 高壓SiC MOSFET的結構和技術存在著幾個重要瓶頸：1）器件漂移區的導通電阻隨電壓等級相應增加，其他結構（溝道、JFET區等）的存在進一步提高了總導通電阻。
2023-05-04 09:43:181398 
等大功率領域，能顯著提高效率，降低裝置體積。在這些應用領域中，對功率器件的可靠性要求很高，為此，針對自主研制的3300V SiC MOSFET 開展柵氧可靠性研究。首先，按照常規的評估技術對其進行了高溫
2024-01-04 09:41:54599 
遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒有GaN MOSFET產品？下面我們來簡單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底材料區別 ? 首先我們從襯底材料來看看SiC和GaN功率器件的區別，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:361220 有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
另一方面，按照現在的
技術水平，
SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si
器件要高?！ ∫虼?，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）?！ ∪绻?/div>
2023-02-07 16:40:49
。如果是相同設計，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品SiC功率元器件基礎篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發背景和優點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
SiC-DMOS的特性現狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結構而異。?在特性方面各有優缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優異的特性。＜ 相關產品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
另一方面，按照現在的技術水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數據。另外，包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發與發展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
研究開發法人科學技術振興機構合作開發，在CEATEC 2014、TECHNO-FRONTIER2015展出的產品。?超高壓脈沖電源特征?超高耐壓偽N通道SiC MOSFET?低導通電阻（以往產品的1
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰是，在某些工業應用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當。除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網轉換、電動汽車、家用電器等高功率應用。但是，在實際應用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
一樣，商用SiC功率器件的發展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發展置于背景中，并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優勢及其未來的商業前景?！ √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
與硅相比，SiC有哪些優勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
另一方面，按照現在的技術水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
載流子器件（肖特基勢壘二極管和MOSFET）去實現高耐壓，從而同時實現 "高耐壓"、"低導通電阻"、"高頻" 這三個特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩定工作。
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與Si相比，它在應用中具有諸多優勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點
2018-11-29 14:35:23
Sic MOSFET 主要優勢.更小的尺寸及更輕的系統.降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
寄生效應過多，它們的性能可能會下降到硅器件的性能，并可能會導致電路故障。傳導EMI會伴隨SiC MOSFET產生的快速電壓和電流開關瞬變，內部和外部SiC寄生效應會受到這些開關瞬變的影響，并且是EMI
2022-08-12 09:42:07
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產品系列 而開發，經設計提供適用于SiC MOSFET技術的2.9 nH雜散電感，同時實現高電流、高開關頻率以及高效率。美高森美將在德國
2018-10-23 16:22:24
標準的產品，并與具有高技術標準和高品質要求的供應商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應商脫穎而出。ROHM的服務和技術支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進行了對兩個波形進行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領域（數字電源）有五年多的開發經驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
項目名稱：特種電源開發試用計劃：在I項目開發中，有一個關鍵電源，需要在有限空間，實現高壓、大電流脈沖輸出。對開關器件的開關特性和導通電阻都有嚴格要求。隨著SIC產品的技術成熟度越來越高，計劃把IGBT開關器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
項目名稱：風電伺服驅動控制器SiC器件試用試用計劃：申請理由本人在工業控制領域有十余年的產品開發經驗，目前正在從事風電機組變槳控制系統伺服驅動器的開發，是一個國產化項目，也是SiC器件應用的領域
2020-04-24 18:03:59
項目名稱：SiC mosfet 測試試用計劃：申請理由：公司開發雙脈沖測試儀對接觸到Sic相關的資料。想通過此次試用進一步了解相關性能。試用計劃：1、測試電源輸入輸出性能。2、使用公司設備測試Sic器件相關參數。3、編寫測試報告。
2020-04-21 15:54:54
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業內確實很火，現在我們結合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
1700V耐壓的SiC MOSFET，使設計更簡單采用表貼型封裝（TO263-7L），可自動安裝在電路板上與分立結構相比，可大大減少元器件數量（將12個元器件和1個散熱器縮減為1個器件）與Si
2022-07-27 11:00:52
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
智能視頻分析技術的應用現狀如何？“”未來智能視頻分析技術的發展趨勢怎樣？
2021-06-03 06:44:16
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
的局部功耗分布，最終會導致局部溫度增高。金鑒顯微紅外熱點定位測試系統利用熱點鎖定技術，可準確而高效地確定這些關注區域的位置。在SiC Mos等功率器件分析中，可用來確定線路短路、ESD擊穿、氧化傷害等。該測試技術是在自然周圍環境下執行的，無需液氮制冷和遮光箱。金鑒顯微紅外熱點定位測試系統
2018-11-02 16:25:31
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術的FET的轉變代表了提高EV的效率和整體系統級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
SiCMOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
功率開關技術也是如此，特別是用SiC和GaN制作的寬帶隙器件。SiC已經從5年前的商業起步躍升到今天的第三代，價格已與硅開關相當，特別是在考慮到連鎖效益的情況下?！ ‰S著電動汽車、可再生能源和5G等
2023-02-27 14:28:47
方面的所有課題。而且，與傳統產品相比，單位面積的導通電阻降低了約30％，實現了芯片尺寸的小型化。另外，通過獨創的安裝技術，還成功將傳統上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體
2019-03-18 23:16:12
本文將從設計角度首先對在設計中使用的電源IC進行介紹。如“前言”中所述，本文中會涉及“準諧振轉換器”的設計和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個新課題。因此，設計中所使用的電源IC，是可將
2018-11-27 16:54:24
%。這非常有望進一步實現應用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產品陣容擴充下表為全SiC功率模塊的產品陣容現狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產品陣容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
綜述了半導體材料SiC拋光技術的發展,介紹了SiC單晶片CMP技術的研究現狀, 分析了CMP的原理和工藝參數對拋光的影響,指出了SiC單晶片CMP急待解決的技術和理論問題,并對其發展方
2010-10-21 15:51:21
0 分析了SiC半導體材料的結構類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術及器件工藝技術， 簡要討論了SiC 器件的主要應用領域和優勢
2011-11-01 17:23:2081 SiC市場領導者Cree（科銳公司）近期推出了首款能夠突破業界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。
2015-09-07 09:29:311923 器件。 碳化硅（SiC）是第三代半導體材料，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強高、熱導率高等優點，是制作高壓、大功率半導體器件的理想材料。碳化硅電力電子器件，特別是SiC MOSFET器件是下一代高效電力電子器件技術的核心。 碳化硅電力電子器件研究團隊基于微電子所4英寸硅工藝平臺，
2017-11-08 15:14:3637 和MOSFET器件的同時，沒有出現基于SiC的類似器件。
SiC-MOSFET與IGBT有許多不同，但它們到底有什么區別呢？本文將針對與IGBT的區別進行介紹。
2017-12-21 09:07:0436486 
分段、機理解耦與參數解耦，突出器件開關特性，弱化物理機理，簡化瞬態過程分析，建立基于SiC MOSFET與SiC SBD的換流單元瞬態模型。理論計算結果與實驗結果對比表明，該模型能夠較為精細地體現SiC MOSFET開關瞬態波形且能夠較為準確地計算
2018-02-01 14:01:343 為精確估算高頻工作狀態下SiC MOSFET的開關損耗及分析寄生參數對其開關特性的影響，提出了一種基于SiC MOSFET的精準分析模型。該模型考慮了寄生電感、SiC MOSFET非線性結電容
2018-03-13 15:58:3813 本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410899 
近年來，寬禁帶半導體SiC器件得到了廣泛重視與發展。SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會表現出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長期的門極電應力下會產生閾值漂移現象。本文闡述了如何通過調整門極驅動負壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:006 SiC IGBT的發展至少也有30年了，大眾視野中很少會提及到SiC IGBT產品，并不是沒有，只是太多事情是我們目不可及的。就目前而言，SiC器件的制成還有著很多難點需要突破和解決，下面我們就來看看SiC IGBT的現狀和挑戰。
2020-10-30 14:13:295850 關于SiC MOSFET的并聯問題，英飛凌已陸續推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。這篇微信文章將延續“仿真看世界”系列一貫之風格，借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環境，分析
2021-03-11 09:22:053311 談起電源轉換器的設計，諸如碳化硅（SiC）等寬禁帶（WBG）技術是當今進行器件選擇時的現實考慮。650V SiC MOSFET的推出使它們對于某些以前從沒有考慮過的應用更具吸引力，這些器件在高效
2021-04-03 09:17:002135 
電力電子產業未來的發展趨勢之一便是使用更高的開關頻率以獲得更緊密的系統設計，而在高開關頻率高功率的應用中，SiC器件優勢明顯，這就使得SiC MOSFET在5G基站、工業電源、光伏、充電
2021-08-13 18:16:276631 電子發燒友網報道（文/李誠）工業4.0時代及電動汽車快速的普及，工業電源、高壓充電器對功率器件開關損耗、功率密度等性能也隨之提高，傳統的Si-MosFet性能已被開發的接近頂峰，SiC MOSFET
2021-09-16 11:05:374228 關于SiC MOSFET的并聯問題，英飛凌已陸續推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環境，分析SiC MOSFET單管在并聯條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687 
寄生電感是SiC MOSFET Vds尖峰和振鈴的主要原因。SiC MOSFET的快速開關速度會導致較高Vds尖峰和較長的振鈴時間。這種尖峰會降低設備的設計裕量，并且較長的振鈴時間會引入EMI。
2022-08-29 15:20:381010 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態性能和可靠性的顯著優勢電子和電氣系統?；仡櫫?b class="flag-6" style="color: red">SiC功率器件發展的挑戰和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來，SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續完善來提高裝置與系統性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC MOSFET 的優勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
在大電流應用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式，高擊穿電壓將嚴重限制器件的導通電流能力。例如對于10 kV 等級器件來說，室溫下其電流等級約為 20~40 A/cm2 ，當溫度增加到 200 ℃以上時，額定電流將下降 50%~70%。
2023-02-03 14:28:372019 從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎知識應用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。
2023-02-12 15:29:032102 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:102938 
ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發和元器件結構優化，實現了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 
驅動芯片，需要考慮如下幾個方面： 驅動電平與驅動電流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開關場合，其面對的由于寄生參數所帶來的影響更加顯著。由于SiC MOSFET本身柵極開啟電壓較
2023-02-27 14:42:0479 碳化硅 MOSFET 驅動電路保護 SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個應用場合替換 Si MOSFET、IGBT，發揮其高頻特性，實現電力設備高功率密度。然而被應用于橋式電路
2023-02-27 14:43:028 點擊藍字?關注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-08 20:45:02281 
點擊藍字?關注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-16 14:40:01390 
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT
2023-06-16 14:39:39538 
、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像
2023-10-18 16:05:02328 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 SIC MOSFET對驅動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種新興的功率半導體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應用于各種驅動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關速度和功率密度，廣泛應用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687 SiC具有高效節能、穩定性好、工作頻率高、能量密度高等優勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開關損耗、低導通損耗、快速開關速度等特點
2023-12-27 09:34:56475 
利用 SiC 功率器件開關頻率高、開關損耗低等優點, 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設計。
2024-03-13 14:31:4668 
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