多款產品通過車規認證，國產SiC MOSFET加速上車

電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在過去的2023年，國產SiC功率器件產品迎來了全面爆發，眾多廠商宣布入局或是推出車規級SiC MOSFET產品，尋求打進汽車供應鏈。而今年春節后的新一輪新能源汽車降價潮，令800V平臺、SiC電驅開始打進20萬內的市場，SiC也進一步能夠加速在市場上普及。

最近兩家國內廠商又有多款SiC MOSFET產品通過了車規級認證，這將繼續推動SiC功率器件量產上車。

瞻芯電子

瞻芯電子3月8日宣布，由公司開發的三款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證。

據介紹，瞻芯電子第二代SiC MOSFET產品與工藝平臺是依托浙江瞻芯電子SiC晶圓廠開發的，自2023年9月份發布第一款第二代SiC MOSFET產品以來，至今已有十幾款采用同代技術平臺的量產產品。瞻芯電子第二代SiC MOSFET產品，對比上一代產品，通過優化柵氧化層工藝和溝道設計，讓器件的比導通電阻降低約25%，能進一步降低器件損耗，提升系統效率。



這次瞻芯電子推出的三款產品，導通電阻分別為25mΩ，40mΩ和60mΩ，且采用TO247-4封裝，可耐受-55°C ～175°C工作溫度，同時因TO247-4封裝具有開爾文源極引腳，而能顯著減小柵極驅動電壓尖峰。主要適用于電機驅動、光伏逆變器、車載DC-DC、OBC、開關電源等應用。

蓉矽半導體

蓉矽半導體自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT近日順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核，同時通過了新能源行業頭部廠商的導入測試并量產交付。

這款SiC MOSFET電壓等級為1200V，在AEC-Q101標準中對H3TRB項目的反偏電壓要求通常為100V，而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過了HV-H3TRB可靠性驗證，同時對于應用端特別關注的柵氧可靠性問題，蓉矽的產品通過了VGS=+22V/-8V的嚴苛HTGB考核，表明器件在在更為極端的應用場景中，也有優秀的穩定性和可靠性，可滿足新能源汽車、光伏逆變等領域對功率器件的高質量和車規級可靠性要求。

小結：

2024年新能源汽車的競爭進入白熱化階段，國產SiC器件的入局，可能會令SiC更快地普及到更多的電動汽車上。