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SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 標簽:SiC驅動電壓SiC MOSFET 1104 0
芯塔電子發布自主研發1700V/5Ω SiC MOSFET產品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監測。該應用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之...
2023-08-16 標簽:MOSFET功率器件SiC MOSFET 359 0
Sic MOSFET的正柵壓目前已經于Si IGBT相當(+15V) ,但負柵壓仍有很大差別(-5V) ,Sic MOSFET開關速度快引起的EMII問...
SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律,將迅速增長并主導市場份額,IDTechEx在報告中給出了各類器件的應用時間表。雖然經過驗證的SiC MOS...
2023-02-23 標簽:電動汽車功率器件SiC MOSFET 1249 0
高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式,高擊穿電壓將嚴重限制器件的導通電流能力。例如對于10 kV 等級器件來說,室溫下其電流等級約為 20~4...
2023-02-03 標簽:SiCSiC MOSFET 2587 0
該方案基于NXP Power架構主控MCU平臺,融合了ON隔離預驅芯片及碳化硅功率器件,以及NXP電源管理芯片,可實現汽車功能安全標準ISO26262的...
2022-10-31 標簽:逆變器碳化硅SiC MOSFET 551 0
過去,牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而,隨著半導體技術的進步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比 IGBT 更高的...
2022-10-11 標簽:ti柵極驅動器SiC MOSFET 2929 0
寄生電感是SiC MOSFET Vds尖峰和振鈴的主要原因。SiC MOSFET的快速開關速度會導致較高Vds尖峰和較長的振鈴時間。這種尖峰會降低設備的...
關于SiC MOSFET的并聯問題,英飛凌已陸續推出了很多技術資料,幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環境,...
2022-08-01 標簽:英飛凌仿真SiC MOSFET 1819 0
具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比,SiC MOSF...
2022-07-06 標簽:驅動器引腳SiC MOSFET 1217 1
在本系列的前幾篇文章中[1-7],我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發的25 kW EV快充系統。
在本系列的前幾篇文章中[1-6],我們介紹了基于安森美(onsemi)的SiC功率模塊和其他功率器件開發的25kW EV快充系統,包括這個可擴展系統的整...
2022-06-27 標簽:安森美輔助電源SiC MOSFET 2078 0
SiC MOSFET替代Si MOSFET,自舉電路是否適用?
自舉式懸浮驅動電路可以極大的簡化驅動電源的設計,只需要一路電源就可以驅動上下橋臂兩個開關管的驅動,可以節省Si MOSFET功率器件方案的成本。
2022-01-14 標簽:驅動電源自舉電路SiC MOSFET 3414 0
SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現負壓?
用+14V左右的穩壓管Z1加上Z2管正向導通壓降,在開通時候將電壓穩定在+15V左右,這樣在開關管導通時電容C10上就會有3V壓降。
2021-12-06 標簽:單電源SiC MOSFET 4113 0
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