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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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貝茵凱本次展出的是第七代750V275A車規級硅基IGBT芯片——B75V28A99ST7,額定電壓達750V,額定電流275A,適用于生產550A-9...
作為株洲中車時代電氣股份有限公司的旗下子公司,時代半導體自1964年起專注于功率半導體技術的研究和產業化,現已成為全球領先的IDM企業之一,掌握了大功率...
電子發燒友網報道(文/黃山明)在當前的儲能系統中,尤其是涉及到高壓、高頻、高效能應用時,寬禁帶半導體材料如SiC(碳化硅)正越來越受到青睞,因為這種材料...
士蘭微電子車規級MOS產品獲CIAS2024年度“最具市場力產品獎”
2024年4月23-24日,CIAS2024功率半導體新能源創新發展大會暨 CIAShow功率半導體、裝備與材料創新展在蘇州獅山國際會議中心舉辦,士蘭微...
儲能產品發展到今天,其技術變化日新月異,而壽命循環次數已經成為不少廠商競爭的焦點。市場中超過萬次循環的產品已成為標配,許多企業還承諾儲能產品壽命能夠達到...
近日,瑞薩電子宣布,考慮到EV(電動汽車)需求不斷增長,為擴大功率半導體產能重啟甲府工廠(山梨縣甲斐市)。
光伏領域IGBT市場飛速增長 2025年光伏領域IGBT市場規模將達73億
功率半導體器件(Power Electronic Device)又稱為電力電子器件和功率電子器件,是指可直接用于處理電能的主電路中,實現電能的變換或控制...
中車中低壓功率器件產業化宜興項目新進展:主體已封頂,預計今年9月竣工
于2023年2月29日,中車中低壓功率器件產業化(宜興)項目首電成功送出。此項目一期投資高達59億元人民幣,預期建成并達產后每年能產出72萬片8英寸中低...
斯達半導還指出,公司在車載空調、充電樁、電子助力轉向等新能源汽車半導體器件市場份額有所提升。2023年,斯達半導實現了關于車用主電機控制器的車規級IGB...
深圳芯能半導體獲IGBT芯片專利,創新接觸孔連接ESD結構提升安全性
此次專利的申請日期為2023年8月22日,授權公示日為2024年3月26日,授權公告號為CN116779666B。此項專利主要涉及的新型IGBT芯片結構...
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