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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產品方案企業 IGBT選型

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2023-12-14 標簽：MOSFET IGBT SiC 424 0

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深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門極驅動...

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翠展微電子三期項目封頂，為明年發展做好準備

翠展微電子作為IGBT行業新銳力量，近年來發展極其迅速。2020年成立于嘉善，當年即部署封測生產線；2022年搬進二期園區；2023年啟動并成功封頂三期工程。

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總投資4.63億元！廣汽集團旗下廣州青藍IGBT正式投產

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2023-12-11 標簽：英飛凌二極管 IGBT 232 0

廣汽集團旗下廣州青藍IGBT項目投產

廣州青藍由廣汽部件與株洲中車時代半導體共同投資成立，項目計劃總投資4.63億元，主要圍繞新能源汽車自主IGBT領域開展技術研發和產業化應用。一期規劃產能...

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碳化硅和igbt的區別? 碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）都是在電子領域中常見的器件。雖然它們都用于功率電子應用，但在結構、材料、性能和...

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JSAB瑞出應用于乘用車電驅的750V-340A IGBT

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季豐電子新增功率器件動態參數測試方法

季豐電子ATE實驗室最新引進了兩臺雙脈沖測試儀DPT1000A和Edison，分別覆蓋功率單管和模塊。

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