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標簽 > 蝕刻工藝
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GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法...
晶體管尺寸在3nm時達到臨界點，納米片FET可能會取代finFET來滿足性能、功耗、面積和成本目標。同樣，正在評估2nm銅互連的重大架構變化，此舉將重新...
近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因為它具有低電阻率、不會形成小丘以及對電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統上，化學機械拋光(CMP)方法用于制...
銅的電阻率取決于其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中...
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術對聚合物抗蝕劑進行構圖，然后通過干法蝕刻技術用抗蝕劑作為掩模將圖案轉移到襯...
隨著5G技術的推出，導致電子電路和IC基板在設計中要求更高的密度。由于5G應用的性質，這些設計中的高可靠性和出色的電氣性能也越來越重要。
鈦金屬具有較高的比強度和生物相容性，并且由于在金屬表面自發形成的鈍化膜而具有優異的抗蝕刻性。這種薄氧化膜在空氣中容易形成，保護內部活性鈦金屬免受侵蝕性介...
眾所周知，微機電系統(MEMS)嚴重依賴于集成電路制造中使用的材料，例如單晶硅。然而，由于金屬、玻璃和壓電陶瓷的特殊性質，這些材料在MEMS中的使用正在...
目前高功率砷化鎵基單片微波集成電路(MMICs)已廣泛應用于軍事、無線和空間通信系統。使用連接晶片正面和背面的襯底通孔，這些MMICs的性能顯著提高。
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使...
隨著國內智能網聯汽車、智能終端、可穿戴設備與消費電子的高速發展，以集成微納系統（Micro-electro-mechanical Systems，MEM...
在設備互連方面，銅無可匹敵。其低電阻率和高可靠性為業界提供了出色的片上互連和芯片間連線服務。但在邏輯芯片中，隨著互連堆棧上升到14級范圍，并且阻容(RC...
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外...
3D設計引入了多晶硅和二氧化硅的交替層，并將浮柵交換為電荷陷阱閃存 (CTF)，區別在于FG將存儲器存儲在導電層中，而CTF將電荷“捕獲”在電介質層中。...
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2022-08-05 標簽：蝕刻工藝 371 0
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2022-08-05 標簽：蝕刻工藝 544 0
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引言 在這項工作中，超聲增強化學腐蝕被用來制作多孔硅層。通過使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層。發現超聲波改善了p型硅上多孔硅層...
1.問題：印制電路中蝕刻速率降低 原因： 由于工藝參數控制不當引起的 解決方法： 按工藝要求進行檢查及調整溫度、噴淋壓力、溶液比...
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