氮化鎵

什么是氮化鎵？氮化鎵何以占據C位？

GaN在成本控制方面顯示出了更強的潛力。目前主流的GaN技術廠商都在研發以Si為襯底的GaN的器件，來替代昂貴的SiC襯底。有分析預測，到2019年Ga...

2019-05-14 標簽：半導體氮化鎵5G 2.7萬 0

iqoo是什么充電器？拆解iQOO7的120W適配器

IQOO這款120W適配器整體采用一體成型制造，采用破壞性拆解，不具備復原性和可維修性，電源內部采用灌膠方式將導熱硅膠材料灌封成一個整體，提高適配器防水...

2021-05-14 標簽：充電器適配器氮化鎵 2.4萬 0

小米55w氮化鎵充電器怎么樣？小米氮化鎵充電器拆解評測氮化鎵芯片

小米55W氮化鎵適配器的電源內部采用灌膠方式將導熱硅膠材料灌封成一個整體，提高適配器整體防水性、導熱性。并且元器件沒有位移空間，起到提高耐候性，增強適配...

2021-05-13 標簽：適配器氮化鎵小米 2.2萬 0

基于GaN的開關器件驅動是關鍵要素

輸入電壓兼容TTL電平，并且最大輸入電壓可以高達14V，而不考慮VDD軌電壓。同時，在高側/低側的應用中，低傳播延遲和軌到軌的時鐘傾斜對效率也是至關重要...

2018-10-19 標簽：功率器件氮化鎵GaN 2.1萬 0

一文看懂氮化鎵和碳化硅在混合動力汽車中的作用

歐盟制定了一個雄心勃勃的目標，即到2050年將其總體溫室氣體排放量降低至少80％。要實現該目標，汽車行業的貢獻將非常重要。美國企業平均燃油經濟性（CAF...

2018-03-25 標簽：混合動力汽車氮化鎵碳化硅 2.1萬 0

一文看懂氮化鎵：納微最全介紹，帶你極速認識第三代半導體

禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。

2021-07-20 標簽：半導體氮化鎵納微半導體 2.0萬 0

氮化鎵充電器的優勢 氮化鎵充電器和普通充電器區別

與普通半導體的硅材料相比，氮化鎵的帶隙更寬且導熱好，能夠匹配體積更小的變壓器和大功率電感，所以氮化鎵充電器有體積小、效率高、更安全等優勢。

2023-02-05 標簽：充電器功率電感氮化鎵 1.8萬 0

小米33W氮化鎵充電器詳細內部拆解案例

接下來就直接開始拆解。 將頂面外殼拆開，PCBA模塊和外殼之間的空隙注膠填充加固。 將模塊取出，充電器采用接觸式通電設計，插腳和金屬彈片壓接。 使用游標...

2021-03-17 標簽：充電器氮化鎵小米 1.6萬 0

5G行情下氮化鎵（GaN）還存在哪些缺點？是下一個風口？

由于2 月13 日小米在新品發表會中，除了推出小米10 系列外，更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器，一時間原本GaN 在射頻領域熱燒的話題，快...

2020-04-14 標簽：氮化鎵GaN功率半導體 1.5萬 1

氮化鎵和砷化鎵的區別 氮化鎵和砷化鎵優缺點分析

　氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。

2023-02-20 標簽：電磁干擾氮化鎵砷化鎵 1.5萬 0

一文詳細了解氮化鎵(GaN)技術

本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術 ：其屬性、優點、不同制造工藝以及最新進展。這種更深入的探討有助于我們了解 ：為什么 GaN 能夠在當今這個技術驅...

2022-03-17 標簽：半導體氮化鎵GaN 1.5萬 0

第一、二、三代半導體什么區別？

第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。

2023-04-04 標簽：新能源汽車MOSFET摩爾定律 1.4萬 0

GaN功率電子分立器件產品類型的簡介以及其特點和優勢分析

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質...

2018-01-18 標簽：二極管mosfet分立器件 1.3萬 0

淺談氮化鎵和碳化硅的區別

幾十年來，硅一直主導著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導體已被開發出來，提供獨特的優勢和卓越的特性。例如，有了化合物半...

2022-04-01 標簽：氮化鎵GaN碳化硅 1.2萬 0

氮化鎵外延片工藝流程介紹 外延片與晶圓的區別

氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。

2023-02-20 標簽：集成電路晶體管氮化鎵 1.2萬 0

詳細剖析新型氮化鎵功率器件的技術特性

最近，麻省理工學院（MIT）、半導體公司IQE、哥倫比亞大學、IBM以及新加坡MIT研究與技術聯盟的科研人員展示出一項新型設計，讓氮化鎵功率器件處理的電...

2018-01-04 標簽：功率轉換晶體管氮化鎵 1.1萬 0