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氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。

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氮化鎵技術

氮化鎵外延為何不生長在氮化鎵襯底上？

第三代半導體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優勢，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導率、擊穿電場等特性來看，第三代半導體均比硅材料優秀，因此，第3代半導體的...

2023-08-18 標簽：led 半導體氮化鎵 552 0

電腦電源為什么不用氮化鎵氮化鎵充電器好還是原裝充電器好

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2023-08-17 標簽：充電器功率器件氮化鎵 8087 0

什么是第三代半導體技術碳化硅的產業結構分析

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幾種led襯底的主要特性對比氮化鎵同質外延的難處

GaN半導體產業鏈各環節為：襯底→GaN材料外延→器件設計→器件制造。其中，襯底是整個產業鏈的基礎。作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延...

2023-08-10 標簽：led 功率器件氮化鎵 883 0

GaN與SiC功率器件的特點 GaN和SiC的技術挑戰

　SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...

2023-08-09 標簽：驅動器 SiC 氮化鎵 590 0

氮化鎵有源相控陣雷達難點氮化鎵有源相控陣雷達優點

GaN器件具有高功率密度和高熱耗散特性。在有源相控陣雷達中，需要高功率的射頻信號來驅動每個天線元素，這要求對高功率GaN器件的射頻功率和熱管理進行有效的...

2023-08-08 標簽：射頻信號氮化鎵 GaN 3677 0

襯底工程對氮化物LED的影響研究

近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業...

2023-08-08 標簽：led 激光器發光二極管 288 0

氮化鎵和碳化硅誰將贏得寬帶隙之戰？

氮化鎵和碳化硅正在爭奪主導地位，它們將減少數十億噸溫室氣體排放。

2023-08-07 標簽：led照明充電器氮化鎵 952 0

羅姆的氮化鎵解決方案優勢及路線圖

氮化鎵（GaN）是一種第三代半導體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和速度都大大優于硅，尤其在高頻和高速開關狀態下。由于其出色的電子移動性、...

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高效氮化鎵電源設計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設計中實現高效率

氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC)，...

2023-08-01 標簽：電源整流器德州儀器 1649 0

氮化鎵電源發熱嚴重嗎氮化鎵電源優缺點

　相對于傳統的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時產生的熱量較少，因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對于傳統的硅...

2023-07-31 標簽：電源電阻氮化鎵 4983 0

慧能泰USB PD3.1快充方案匯總

2021年5月份，USB-IF協會正式發布了USB PD3.1快充標準，將最大充電功率提升至240W，同時新增28V、36V、48V三組固定輸出電壓檔位...

2023-07-31 標簽：充電器 usb 氮化鎵 581 0

PI氮化鎵的質量與可靠性介紹

氮化鎵(GaN) 是一種寬禁帶的直接帶隙半導體，它有著很寬的直接帶隙，很高的擊穿場強，很高的熱導率和非常好的物理、化學穩定性。正因其各方面都有著非常好的...

2023-07-27 標簽：氮化鎵半導體芯片 GaN技術 1127 0

淺談雷達技術的幾個發展趨勢

氮化鎵（GaN）被認為是自硅以來影響最大的半導體創新產品，該材料能夠在比傳統半導體材料高得多的電壓下工作。更高的電壓意味著更高的效率，因此基于GaN的R...

2023-07-27 標簽：傳感器 fpga 氮化鎵 1098 0

“后起之秀”氮化鎵未來幾大新的增長點

來源：電子工程專輯比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中，將更有優勢，比如氮化鎵基器件已成功規模應用于快充領域。...

2023-07-24 標簽：氮化鎵 GaN 380 0

雷達的常見分類方法及發展趨勢

GaN技術可以提高雷達的性能和適用性，但也需要更多的測試和優化，在雷達中的應用有以下優勢和劣勢：優勢： GaN提供更高的功率水平和更強的魯棒性，可以提...

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如何驗證 GaN 的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。

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針對氮化鎵的優化KABRA工藝，可使產能提升近40%！

切割出片數量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數量增加了37.5%。

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如何提高電子元器件可靠性？

到2030年，10類關鍵核心產品可靠性水平達到國際先進水平，可靠性標準引領作用充分彰顯，培育一批可靠性公共服務機構和可靠性專業人才，我國制造業可靠性整體...

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商務部/海關總署發布對鎵、鍺相關物項實施出口管制

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