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標簽　>　氧化鎵

氧化鎵

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8英寸！第四代半導體再突破，我國氧化鎵研究取得系列進展，產業化再進一步

標簽：半導體工藝氧化鎵 981 0

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氧化鎵資訊

北京銘鎵半導體引領氧化鎵材料創新，實現產業化新突破

北京順義園內的北京銘鎵半導體有限公司在超寬禁帶半導體氧化鎵材料的開發及應用產業化方面取得了顯著進展，其技術已領先國際同類產品標準。

2024-06-05 標簽：半導體氧化鎵 298 0

三菱電機斥資9000億加速研發氧化鎵

三菱電機總裁Kei Urushima表示，聯合開發將以"從Coherent接收襯底，采用我們的技術，然后將其返還給Coherent"...

2024-04-07 標簽：三菱電機功率半導體碳化硅 406 0

我國實現6英寸氧化鎵襯底產業化新突破

氧化鎵因其優異的性能和低成本的制造，成為目前最受關注的超寬禁帶半導體材料之一，被稱為第四代半導體材料。

2024-03-22 標簽：半導體材料氧化鎵 214 0

晶旭半導體獲睿悅控股集團億元戰略投資

據睿悅投資官微消息，2月2日，深圳市睿悅投資控股集團有限公司（以下簡稱“睿悅控股集團”）與福建晶旭半導體科技有限公司（以下簡稱“晶旭半導體”）的戰略投資...

2024-02-05 標簽：半導體氧化鎵 545 0

6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

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2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵（β-Ga2O3）單...

2023-12-29 標簽：功率器件 SiC GaN 572 0

武漢大學袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領域最新研究進展

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近日，武漢大學工業科學研究院袁超課題組和斯洛伐克科學院Filip Gucmann課題組合作，在國際權威期刊《Small》上發表了題為“Phase-Dep...

2023-12-25 標簽：太陽能電池二極管氧化鎵 673 0

基于晶圓級高導熱異質集成襯底實現最高截止頻率氧化鎵射頻器件

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氧化鎵是超寬禁帶半導體材料的優異代表，由于其禁帶寬度和擊穿場強遠高于GaN，不僅可在更高場強、更高工作電壓下工作，大幅度提升輸出功率密度，還可以實現在高...

2023-11-15 標簽：晶圓 SiC 射頻器件 913 0

氧化鎵產業化更進一步，本土初創企業成果涌現

電子發燒友網報道（文/梁浩斌）氧化鎵被認為是在碳化硅和氮化鎵后的下一代半導體材料，而對于氧化鎵的重要性，去年8月美國商務部工業和安全局的文件中披露，將對...

2023-11-06 標簽：氧化鎵 1589 0

北京鎵和首次發布4英寸面氧化鎵單晶襯底參數并實現小批量生產

近日，“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關材料與器件研討會”在濟南召開。大會技術委員會委員北京鎵和半導體有限公司創始人、董事長、南京郵電大學唐為華教授率領鎵和...

2023-10-25 標簽：半導體探測器氧化鎵 638 0

日本研發出氧化鎵的低成本制法

這種作方法屬于“有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）法”，通過在密閉裝置內充滿氣體狀原料，在基板上制造出氧化鎵的晶體。該方法與現有的“氫化物氣相外延（HV...

2023-10-12 標簽：晶體功率半導體氧化鎵 731 0

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