氮化鎵

GaN HEMT器件結構解析

硅材料的功率半導體器件已被廣泛應用于大功率開關中，如電源、電機控制、工廠自動化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導體器件都著重于減少功率損耗。在這些...

2023-11-09 標簽：集成電路氮化鎵功率半導體 897 0

氮化鎵(GaN)功率器件技術解析

氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關鍵性能指標上比硅（Si）具有優勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電...

2023-11-06 標簽：MOSFET晶體管功率器件 6329 0

一文詳解PowiGaN、硅和SiC性能比較

基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關是PI恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術...

2023-11-02 標簽：MOS管氮化鎵GaN 296 0

什么是氮化鎵(GaN)？GaN的優勢和應用領域

GaN近期為何這么火？如果再有人這么問你，你可以這樣回答：因為我們離不開電源。

2023-11-02 標簽：半導體功率開關氮化鎵 1819 0

預匹配氮化鎵功放管參考應用電路

基于D1A32 GaN器件設計的功放，在1.3-1.8GHz內, 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS...

2023-11-02 標簽：雷達氮化鎵GaN 291 0

小米140W氮化鎵充電器拆解評測

PFC開關管來自納微，型號NV6136C，這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內置驅動器以及高精度無損耗電流采樣電路，消除取樣電阻的損耗。NV6136C內置...

2023-10-31 標簽：充電器DC-DC氮化鎵 1158 0

氮化鎵（GaN）寬帶隙技術的電源應用設計

隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體技術的時機已經成熟。傳統硅MOSFET和IGBT的性能現在接近材料的...

2023-10-25 標簽：寬帶氮化鎵GaN 873 0

訊天宏100W氮化鎵充電器詳細的拆解報告

訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導熱墊加強散熱。充電器內置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內...

2023-10-20 標簽：二極管充電器氮化鎵 617 0

垂直GaN功率器件徹底改變功率半導體

使用GaN（氮化鎵）的功率半導體作為節能/低碳社會的關鍵器件而受到關注。兩家日本公司聯手創造了一項新技術，解決了導致其全面推廣的問題。

2023-10-20 標簽：充電器晶圓氮化鎵 1021 0

氮化鎵晶體管簡化大電流電機驅動逆變器設計

叉車應用的逆變器由 24 V 至 120 V 之間的直流電壓供電，可提供高達 900 ARMS 電機相電流。通常，每個生產商都有一個平臺方法，并銷售按電...

2023-10-18 標簽：逆變器微處理器電機驅動 972 0

基于氮化鎵的高頻圖騰柱PFC優化設計

眾所周知，氮化鎵功率器件為電力電子系統提高頻率運行，實現高功率密度和高效率帶來可能。然而，在高頻下需要對EMI性能進行評估以滿足EMC法規（例如EN55...

2023-10-16 標簽：衰減器氮化鎵PFC電路 1522 0

氮化鎵能實現多強大的性能

氮化鎵（GaN）是電力電子行業的一個熱門話題，因為它可以實現80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車（EV）車載充電器和電動汽車（EV）充電站等設計...

2023-10-13 標簽：芯片驅動器FET 519 0

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢

設計出色功效的電子應用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術的器件。與電子開關使用的傳統硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術具有...

2023-10-12 標簽：SiC氮化鎵電子開關 2004 1

基于Cl2/BCl3電感偶聯等離子體的氮化鎵干蝕特性

氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現藍光發光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩定性，在室溫下用濕法化...

2023-10-12 標簽：電感氮化鎵蝕刻 316 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝，WBG 設備顯示出以下優點：

2023-10-09 標簽：晶體管SiC氮化鎵 2261 1

為什么LED能夠發出不同顏色的光

LED（發光二極管）已經成為了現代照明和電子領域的主力軍，因為它們不僅具有高效能、長壽命和低能耗等優點，還能夠發出多種不同的顏色的光。本文將從LED的類...

2023-09-27 標簽：led發光二極管氮化鎵 1745 0

干貨分享|高功率氮化鎵場效應晶體管：高性能、高效率、高可靠性（上）

Nexperia(安世半導體)的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優勢、產品及封裝等內容。本期將先介紹 Nexperi...

2023-09-25 標簽：半導體晶體管氮化鎵 540 0

干貨分享|高功率氮化鎵場效應晶體管：高性能、高效率、高可靠性（下）

提高效率既是行業的關鍵性挑戰，也是創新驅動力。社會需求的壓力和相關法規都在要求提高電源轉換和控制的效率。對于一些應用來說，電源轉換效率和功率密度是贏得市...

2023-09-25 標簽：半導體晶體管氮化鎵 538 0