氮化鎵

關于碳化硅半導體的8大誤區有哪些

SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里，“魯棒性”是一個工程術語，通常用來描述一個系統或部件在面對不確定性、干擾或異常條件時的穩定性或可靠性。

2023-09-21 標簽：IGBTSiC氮化鎵 222 0

半導體材料的發展歷程

在上周的推文中，我們回顧了半導體材料發展的前兩個階段：以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。（了...

2023-09-14 標簽：半導體半導體材料氮化鎵 1016 0

如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應用？

如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降...

2023-09-13 標簽：晶體管氮化鎵GaN 310 0

氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優缺點

氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開...

2023-09-11 標簽：導通電阻功率器件氮化鎵 415 0

氮化鎵的市場在哪些領域？封裝技術是怎樣的？

氮化鎵(GaN)作為一種寬帶隙化合物半導體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、導熱系數高、開關頻率高、抗輻射能力強等優點。 其中，高開關頻率意味著應用電路...

2023-09-07 標簽：封裝技術氮化鎵GaN 340 0

安規貼片Y電容有什么優勢？

傳統的安規Y電容是插件形式的，體積較大，安裝很占用空間，同時還需要人工插件，安裝效率極低，為了解決這個難題，科雅推出了JK-ET系列貼片Y電容，什么是安...

2023-09-06 標簽：電容電路板氮化鎵 270 0

第三代半導體氮化鎵65W快充芯片已經成為行業主流？

氮化鎵（GaN）功率芯片將多個電力電子功能集成到一顆GaN芯片中，可有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多情況下，GaN功率芯片可以使先進...

2023-09-05 標簽：芯片氮化鎵快充 598 0

氮化鎵充電器為什么喜歡用貼片Y電容呢？貼片Y電容有什么優點？

在以前，很多手機充電器都會用到安規Y電容，不過用的都是插件形式的，現在情況明顯不一樣

2023-08-29 標簽：電容器安規電容手機充電器 721 0

氮化鎵功率器件結構和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度，使其適用于高功率和高頻率應用，如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優異的性能，氮化鎵...

2023-08-24 標簽：功率器件SiC氮化鎵 2541 0

氮化鎵襯底和外延片哪個技術高 襯底為什么要做外延層

氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎半導體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導體材料，具有優異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、...

2023-08-22 標簽：功率放大器半導體材料氮化鎵 2983 0