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標簽 > 寬禁帶
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固體中電子的能量分布是離散的,電子都分布在不連續的能帶(Energy Band)上,價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶寬度(Energy...
現代電子產品的基礎是半導體器件,因此半導體器件的性能就決定了整個電子產品的性能,所謂半導體就是導電性能介于導體和絕緣體之間的物理器件。
【泰克電源設計與測試】致工程師系列之五:優化寬禁帶材料器件的半橋和門驅動器設計
半橋電路(圖1)廣泛用于功率電子領域的多種應用,是現代設計中有效轉換電能使用的基本電路。但是,只有在半橋、門驅動器和布線正確且優化設計時,這種電路的優勢...
碳化硅作為寬禁帶化合物半導體材料,具有比傳統硅材料更加優異的性能,尤其是用于功率轉換和控制的功率器件。與傳統硅器件相比,碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...
碳化硅作為寬禁帶化合物半導體材料,具有比傳統硅材料更加優異的性能,尤其是用于功率轉換和控制的功率器件。與傳統硅器件相比,碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...
在材料方面,除了硅基,第三代寬禁帶半導體是這幾年的熱門技術,我國除了在硅基方面進行追趕外,在第三代半導體方面也做了很多投入,有了不少的創新研究。國家總共...
日前,在紀念集成電路發明60周年學術會議上,中科院院士、國家自然科學基金委員會信息科學部主任、西安電子科技大學教授郝躍院士做了題為《寬禁帶與超寬禁帶半導...
郝躍院士介紹了西電320GHz毫米波器件,利用高界面質量的凹槽半懸空柵技術,器件的fmax達320GHz,在輸出功率密度一定的情況下,功率附加效率在30...
行業標準的收緊和政府法規的改變是使產品能效更高的關鍵推動因素。例如,數據中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(400千瓦時)的3...
2015年,瑞能半導體從恩智浦功率產品線獨立出來,如今已成為全球功率半導體的領導廠商,特別是碳化硅市場份額在國際上名列前茅。這一切跨越式發展,瑞能半導體...
加利福尼亞州加州埃爾塞貢多訊,氮化鎵功率芯片行業領導者納微半導體(納斯達克:NVTS)今日公布截至2022年3月31日的第一季度未經審計的財務業績。
目前常用的解決方案包括使用硅基超結金屬氧化物半導體場效應晶體管(SJMOSFET)來調節、轉換并向電池充電。它的尺寸大約為18英寸×25英寸,重量大概1...
意法半導體新廠2023年開始投產 加強碳化硅組件及解決方案襯底供應
意法半導體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠,以支持意法半導體客戶對汽車及工業碳化硅組件與日俱增的需求,...
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