寬禁帶的SiC和GaN將會是下一代功率器件的基礎

行業標準的收緊和政府法規的改變是使產品能效更高的關鍵推動因素。例如，數據中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應（400千瓦時）的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業的碳排放量也一樣。隨著對能源的巨大需求，各國政府正在采取更嚴格的標準和新的監管措施，以確保所有依賴能源的產品都需具有最高能效。

同時，我們看到對更高功率密度和更小空間的要求。電動汽車正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器（OBC）和牽引逆變器現在正使用寬禁帶（WBG）產品來實現這一目標。

碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使電子開始在材料中自由移動。因而具有比硅更佳的特性和性能。

一個主要優勢是大大減少開關損耗。首先，這意味著器件運行更不易發熱。這有益于整個系統，因為可減少散熱器的大?。ê统杀荆?。其次是提高開關速度。設計人員現可遠遠超越硅MOSFET或IGBT的物理極限。這使得系統可減少無源器件，如變壓器、電感和電容器。因此，WBG方案可提高系統能效，減小體積和器件成本，同時提高功率密度。

碳化硅二極管廣泛用于能效至關重要的各種PFC拓撲結構。而且更易于處理電磁干擾（EMI），因其極快的反向恢復速度。安森美半導體擁有完整的650 V和1200 V SiC二極管產品陣容，涵蓋單相和多相應用的所有功率范圍。同時，我們將于2018年晚些時候推出的1200 V MOSFET，將提供最高的性能及極佳的強固性和高可靠性。安森美半導體提供一種專利的終端結構，確保同類最佳的強固性和不會因濕度影響導致相關的故障。

GaN現在越來越為市場所接受。這有過幾次技術迭代，從“D-Mode”到Cascode，和現在最終的“E-Mode”（常關型）器件。GaN是一種超快的器件，需要重點關注PCB布板和優化門極驅動。我們現在看到設計人員了解如何使用GaN，并看到與硅相比的巨大優勢。我們正與領先的工業和汽車伙伴合作，為下一代系統如服務器電源、旅行適配器和車載充電器提供最高的功率密度和能效。由于GaN是非常新的技術，安森美半導體將確保額外的篩檢技術和針對GaN的測試，以提供市場上最高質量的產品。