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碳化硅肖特基二極管技術演進解析

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反激式開關電源二次側輸出電路整流二極管分析

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這個FRD的快和SBD的快差別是什么呢？如何選擇呢？

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肖特基二級管有什么作用？

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SiC-SBD的產品陣容支持車載的650V/1200V、5A～40A

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肖特基勢壘二極管的特征

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SiC-SBD關于可靠性試驗

標簽：SBD SiC 半導體元器件 2739 0

功率元器件

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SiC-SBD的特征以及與Si二極管的比較

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使用SiC-SBD的優勢

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類別：電子資料 2022-09-23 標簽：二極管肖特基二極管 SBD 96 0

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類別：電子資料 2022-09-23 標簽：二極管肖特基二極管 SBD 70 0

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類別：電子資料 2022-09-23 標簽：二極管肖特基二極管 SBD 81 0

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北京順義泰科天潤項目一期投資4億元，預計2028年達產

3月4日，北京順義消息顯示，順義區21個在建市區重點產業項目全部復工復產，其中包括泰科天潤建設公司總部、研發中心及8英寸SiC功率器件生產基地項目。

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ROHM推出實現業界超快trr的100V耐壓SBD

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京瓷推出一種功率器件LPTO-263封裝

功率器件，是指用于調控和變換電力的器件。從民生用品到工業設備，京瓷集團一直向市場提供各種高品質、高可靠性的節能型產品。

2024-02-23 標簽：散熱片功率器件 SBD 395 0

羅姆推出新型SBD

來源：Silicon Semiconductor 非常適合汽車LED頭燈和其他高速開關應用。 ROHM（羅姆）開發了100V擊穿肖特基勢壘二極管 (SB...

2024-02-21 標簽：SBD 羅姆 167 0

ROHM推出實現業界超快trr的100V耐壓SBD“YQ系列”

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載設備、工業設備、消費電子設備等的電源電路和保護電路，推出trr*1超快的100V耐壓肖特基勢壘...

2024-01-24 標簽：SBD Rohm 219 0

液相法碳化硅單晶生長技術研究

碳化硅具有高熱導率、高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學穩定性、GaN的近晶格常數和熱膨脹系數等優勢。

2023-12-18 標簽：新能源汽車晶圓 SBD 647 0

SiC功率模塊中微米級Ag燒結連接技術的進展

功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時導出成為保證功率器件性能及可靠性的關鍵。

2023-12-13 標簽：功率器件 SBD SiC 370 0

【科普小貼士】肖特基勢壘二極管（SBD）的金屬差異

2023-12-13 標簽：二極管 MOSFET SBD 236 0

ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業設備功率模塊系列

? 全球知名半導體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex...

2023-09-14 標簽：SBD 功率模塊 Rohm 385 0

肖特基二極管失效機理

肖特基二極管失效機理? 肖特基二極管（Schottky Barrier Diode, SBD）作為一種快速開關元件，在電子設備中得到了廣泛的應用。但是，...

2023-08-29 標簽：二極管肖特基二極管 SBD 1143 0

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