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硅芯片技術

專用集成電路設計流程包括專用集成電路的特點包括

專用集成電路（ASIC）設計流程是指將特定應用需求轉化為硅芯片的過程。下面將詳細介紹ASIC設計流程，并進一步探討ASIC的特點。一、ASIC設計流程...

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氮化鎵芯片和硅芯片區別

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2024-01-10 標簽：功率放大器氮化鎵硅芯片 905 0

關于DRAM市場趨勢的“虛假謊言

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低成本的溶膠-凝膠法制備高性能Ca-IZO薄膜的新方法

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2023-11-06 標簽：傳感器 TFT 薄膜晶體管 320 0

一文解析微系統封裝原理與技術

如何對系統和組件進行可靠的封裝是微系統工業面臨的主要挑戰，因為微系統的封裝技術遠沒有微電子封裝技術成熟。微系統封裝在廣義上講有三個主要的任務：裝配、封裝...

2023-11-06 標簽：mems 壓力傳感器微電子封裝 438 0

多晶硅與單晶硅各有哪些優良性質？又是怎樣制造出來的呢？

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2023-10-26 標簽：多晶硅 MOSFET 單晶硅 685 0

基于GaN的晶體管尺寸和功率效率加倍

無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優勢。

2023-09-28 標簽：電機驅動晶體管 GaN 1916 0

淺析先進封裝的四大核心技術

先進封裝技術以SiP、WLP、2.5D/3D為三大發展重點。先進封裝核心技術包括Bumping凸點、RDL重布線、硅中介層和TSV通孔等，依托這些技術的...

2023-09-28 標簽：晶圓芯片設計 SiP技術 2212 0

Sandia Labs發明一種硅上集成微光學器件的方法

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2023-08-14 標簽：放大器激光器光隔離器 573 0

砷化鎵（GaAs）芯片和硅（Si）芯片的區別

砷化鎵芯片的制造工藝相對復雜，需要使用分子束外延（MBE）或金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）等專門的生長技術。而硅芯片的制造工藝相對成熟和簡單，可以使...

2023-07-03 標簽：集成電路光電器件砷化鎵 5459 0

離子注入技術在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應用

在DRAM生產中，離子注入技術被應用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進行重摻雜。

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IGBT模塊壽命評估實驗依據

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2023-06-08 標簽：電動汽車 IGBT DBC 1233 0

如何確認硅晶材料與硅晶片的檢測純度？

晶圓，是指硅半導體集成電路制作所用的硅芯片，是制造半導體芯片的基本材料。

2023-05-23 標簽：晶圓硅芯片 992 0

系統級封裝（SIP）簡介

系統級封裝 (SiP) 是一種用于將多個集成電路 (IC) 和無源元件捆綁到一個封裝中的方法，它們在該封裝下協同工作。這與片上系統 (SoC) 形成對比...

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氮化鎵的用途是什么

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，　氮化鎵主要還是用于LED（發光二極管），微...

2023-02-06 標簽：led 發光二極管氮化鎵 4806 0

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2022-11-08 標簽：濾光片 OSRAM 硅芯片 690 0

固態電氣架構的整體優勢

　固態架構創新的數字化特性為擴展功能、增加價值以及集成和擴展現有智能建筑系統創造了可能性，例如住宅和商業安全、商業消防、門禁和樓宇自動化。

2021-06-28 標簽：M2M 硅芯片嵌入式算法 1775 0

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什么構成了SoC SoC設計流程步驟詳解

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2021-01-08 標簽：soc 無線網絡數字信號處理器 1.3萬 0

可實現高分辨率和高精度的硅芯片溫度傳感器解決方案

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