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標簽 > 柵極驅動器
柵極驅動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅動用于數字信號傳輸的邏輯電平晶體管時，使用微控制器輸出不會損害應用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應用中，微控制器輸出通常不適合用于驅動功率較大的晶體管。
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非常適合用做三相/單相BLDC/PMSM主控的32位單片機PY32MD310
PY32MD310 單片機采用了高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+ 內核，嵌入高達 64 Kbytes flash 和 8 Kbyte...
安建半導體推出針對大電流高功率應用的SGT MOSFET器件
近年來，工業及消費市場對于系統的要求不斷提高，為達到更優秀的效率、可靠性及熱性能，MOSFET作為功率核心部件擔當著非常重要的角色。
毫無疑問，寬帶隙 (WBG) 技術已得到廣泛應用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業、消費類及其他電源應用領域的首選器件。
開關電源芯片U5402是一款650V耐壓的半橋柵極驅動器，具有0.3A拉電流和1A灌電流能力，專用于驅動功率MOSFETs或IGBTs。
MPS推出一款LLC變壓器驅動芯片以及隔離式偏置電源模塊解決方案
電動汽車的充電樁中，包含著不同充電口的類型及標準。其中，目前最快的是直流快速充電樁（DC Fast-Charging System，DCFC），最短只需...
柵極驅動器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路，用于放大控制器的控制信號，從而實現功率器件更有效的導通和關斷。
氮化鎵場效應晶體管在許多電力電子應用中持續獲得關注，但氮化鎵技術仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質因數還有很大的提升空間，但GaN...
氮化鎵（GaN）場效應晶體管已經徹底改變了電力電子行業，具有比傳統硅MOSFETs更小的尺寸、更快的開關速度、更高的效率和更低的成本等優勢。然而，GaN...
本文通過分析低側柵極驅動器的等效電路來計算如何合理的選取RGATE電阻的阻值，既要保持MOS管的良好開關性能，還要有效抑制振鈴的產生。
博世推出的PMIC芯片—— CS600，就能很好地滿足了功能安全合規性的應用需求。CS600可為系統提供完整的電源解決方案，包括μC、SoC以及相關外設的供電。
在正常運行期間（當負載在標準溫度下連接時），與電源開關的阻斷能力相比，太陽能逆變器的直流母線電壓相對較低。因此，有足夠的電壓“余量”來處理電源開關關閉時...
KP85402 開關節點耐壓為 650V，輸出峰值拉電流和灌電流能力分別為 300mA 和 1000mA，專用于驅動功率 MOSFETs 或 IGBTs...
消費者在購買手機充電器時會更傾向選擇原裝充電器，雖說現在第三方充電器的品質足夠優秀，并且相較部分手機原裝充電器而言，其支持的協議更全面，性能更強，但還是...
作者：Bill Schweber 投稿人：DigiKey 北美編輯 所有的分立式開關功率器件都需要驅動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應晶體管 ...
報告內容包含： 效率和功率密度推動變革 基本的 MOSFET 柵極驅動器功能 驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管） 驅動器進化以支持 ...
在當今的數字時代，電子元件是塑造我們生活的無數技術奇跡的支柱。從智能手機到電動汽車以及介于兩者之間的所有產品，電子元件都發揮著至關重要的作用。稱為柵極驅...
引言：在多相電源控制器里，PWM波輸出最為常見，但是HL型也使用較多，與PWM型相比，HL型控制更為獨立，更為靈活，抗干擾能力也較好，唯獨就是需要兩...
引言：對于中壓或高壓的電源系統，對MOS組的要求特別高，DrMOS已經不能滿足設計參數要求，此時將DrMOS再次分拆開來，將驅動部分獨立成為柵極驅動器。...
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