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      標簽　>　開(kāi)關(guān)損耗

      開(kāi)關(guān)損耗

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      文章：50個(gè) 瀏覽：13433次 帖子：12個(gè)

      開(kāi)關(guān)損耗技術(shù)

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      2024-06-13 標簽：MOSFET晶體管開(kāi)關(guān)損耗 123 0

      如何使用示波器測量電源開(kāi)關(guān)損耗

      電源開(kāi)關(guān)損耗是電子電路中一個(gè)重要的性能指標，它反映了開(kāi)關(guān)器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的能量損失。準確測量電源開(kāi)關(guān)損耗對于優(yōu)化電路設計、提高系統效率具有重要意義。...

      2024-05-27 標簽：示波器電源開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)損耗 186 0

      使用Cauer網(wǎng)絡(luò )仿真熱行為與對開(kāi)關(guān)損耗影響的評估

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      過(guò)去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預測與為優(yōu)化器件...

      2023-12-29 標簽：安森美SiC熱仿真 966 0

      mos管帶載不到十秒鐘就冒煙的原因是什么？

      mos管帶載不到十秒鐘就冒煙的原因是什么？

      Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時(shí)間，MOS管24V時(shí)帶載27歐，輸出功率21.3W，輸出電壓正常，MOS管基本不發(fā)熱。 總結一：MOS管發(fā)熱原因小結...

      2023-12-11 標簽：電路設計限流電阻開(kāi)關(guān)損耗 571 0

      功率MOSFET管應用問(wèn)題匯總

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      2023-12-03 標簽：負載開(kāi)關(guān)功率MOSFET管MOSFET管 614 0

      如何平衡MOSFET提高電源效率的優(yōu)化方案

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      MOSFET 的選擇關(guān)乎效率，設計人員需要在其傳導損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間進(jìn)行權衡。傳導損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間，由于電流流過(guò)導通電阻而造成；開(kāi)關(guān)...

      2023-11-15 標簽：MOSFET變換器寄生電容 213 0

      MOSFET與IGBT的本質(zhì)區別

      MOSFET與IGBT的本質(zhì)區別

      由于MOSFET的結構，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒(méi)有IGBT強。

      2023-08-25 標簽：二極管MOSFETIGBT 733 0

      詳解MOS管的米勒效應、開(kāi)關(guān)損耗、導通損耗、續流損耗

      詳解MOS管的米勒效應、開(kāi)關(guān)損耗、導通損耗、續流損耗

      要比喻的話(huà)，三極管像綠皮車(chē)，MOS管像高鐵。

      2023-08-21 標簽：MOSFET場(chǎng)效應管MOS管 1761 0

      MOS管的開(kāi)關(guān)損耗計算

      MOS管的開(kāi)關(guān)損耗計算

      MOS 管的開(kāi)關(guān)損耗對ＭOS 管的選型和熱評估有著(zhù)重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開(kāi)關(guān)電源，逆變電路等。

      2023-07-23 標簽：MOSFETMOS管功率損耗 2024 0

      MOS管的開(kāi)關(guān)損耗計算

      MOS管的開(kāi)關(guān)損耗計算

      CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。

      2023-07-17 標簽：開(kāi)關(guān)電源MOS管DCM 7265 0

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      開(kāi)關(guān)損耗資料下載

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      開(kāi)關(guān)損耗資訊

      SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性

      SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性

      碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。

      2023-05-04 標簽：MOSFETSiC開(kāi)關(guān)損耗 429 0

      利用示波器探頭進(jìn)行開(kāi)關(guān)損耗測試

      利用示波器探頭進(jìn)行開(kāi)關(guān)損耗測試

      如今的開(kāi)關(guān)電源技術(shù)很大程度上依托于電源半導體開(kāi)關(guān)器件，如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開(kāi)關(guān)速度，能夠耐受沒(méi)有規律的電壓峰值。同時(shí)在On或Of...

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      深度剖析半導體熱阻數據

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      半導體器件并不完美——所有二極管和晶體管都因開(kāi)關(guān)和導通而產(chǎn)生功率損耗。開(kāi)關(guān)損耗發(fā)生在結的通斷狀態(tài)之間的間隔期間，此時(shí)器件端子上既有電壓又有電流流過(guò)。傳導...

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      功率損耗是開(kāi)關(guān)器件性能評估的重要環(huán)節，也是工程師在選配時(shí)重點(diǎn)關(guān)注的一項高級功能。雖然很多實(shí)驗室配備了功率損耗測量環(huán)境，對設備和探頭也投入不菲，但如果工程...

      2021-12-15 標簽：示波器探頭開(kāi)關(guān)損耗 494 0

      怎樣準確測量開(kāi)關(guān)損耗

      一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達95％，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。...

      2019-06-26 標簽：開(kāi)關(guān)損耗 770 0

      175W Slim-TV SPS解決方案（安富利）

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      Avnet Design Service電源實(shí)驗室開(kāi)發(fā)出薄板電視SPS電源解決方案。滿(mǎn)負荷工作條件下，電源模塊輸出總功率達175 W。解決方案提供多種組...

      2012-08-01 標簽：電源安富利電源模塊 1805 0

      理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗和主導參數

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      為了使MOSFET整個(gè)開(kāi)關(guān)周期都工作于ZVS，必須利用外部的條件和電路特性，實(shí)現其在開(kāi)通過(guò)程的ZVS。如同步BUCK電路下側續流管，由于其寄生的二極管或...

      2012-04-12 標簽：MOSFET開(kāi)關(guān)損耗 6.0萬(wàn) 1

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      開(kāi)關(guān)損耗數據手冊

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        +關(guān)注
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      • 鈉離子電池
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      NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
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