Vishay推出多功能新型30 V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

PowerPAK 1212-F 封裝 30 V N 溝道 MOSFET

Vishay 推出多功能新型 30 V N溝道 TrenchFET第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK1212-F 封裝，10 V 柵極電壓條件下導通電阻僅為 0.71 mW，導通電阻與柵極電荷乘積，即開關應用中 MOSFET 關鍵的優值系數（ FOM ）為 42 m?*nC，達到業內先進水平。

日前發布的器件占位面積與 PowerPAK 1212-8S 封裝相同，導通電阻降低 18 %，提高了功率密度，同時源極倒裝技術將熱阻從 63 °C/W 降至 56 °C/W。此外，SiSD5300DN 優值系數比上代器件低 35 %，從而降低了導通和開關損耗，節省功率轉換應用的能源。

PowerPAK1212-F 源極倒裝技術顛倒通常接地焊盤和源極焊盤的位置，擴大接地焊盤面積，提供更有效的散熱路徑，有助于降低工作溫度。同時，PowerPAK1212-F 減小了開關區范圍，有助于降低跡線噪聲的影響。另外，PowerPAK 1212-F 封裝源極焊盤尺寸增加了 10 倍，從 0.36 mm2提高到 4.13 mm2，從而改進熱性能。PowerPAK1212-F 中央柵極結構還簡化了單層 PCB 基板多器件并聯的使用。

采用源極倒裝PowerPAK1212-F封裝的SiSD5300DN特別適合二次整流、有源箝位電池管理系統（BMS）、降壓和BLDC轉換器、OR-ing FET、電機驅動器和負載開關等應用。典型終端產品包括焊接設備和電動工具、服務器、邊緣設備、超級計算機、平板電腦、割草機和掃地機以及無線電基站。

器件經過100 % RG和 UIS 測試，符合 RoHS 標準，無鹵素。

Vishay采用源極倒裝技術 PowerPAK1212-F封裝

30 V N 溝道 MOSFET，RDS(ON)低至 0.71m?

審核編輯：劉清