昕感科技推出超低導通電阻的SiC MOSFET器件

近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。

昕感科技始終致力于提升國產碳化硅器件的性能，此次推出的新品基于車規級工藝平臺，采用了先進的結構和制造工藝。該產品不僅具有出色的電氣性能，還兼容18V柵壓驅動，并配備了TO-247-4L Plus封裝，進一步提升了其在高壓大電流環境下的穩定性和可靠性。

隨著新能源汽車市場的不斷擴大，對高性能、低損耗的功率半導體開關需求日益迫切。昕感科技的新品瞄準了這一市場痛點，將為新能源汽車的主驅等關鍵應用提供強有力的支持。通過降低損耗、提高效率，這款新產品將助力新能源領域實現快速更新換代，為實現國家“碳達峰、碳中和”目標作出積極貢獻。

作為國內碳化硅器件領域的領軍企業，昕感科技將繼續秉承創新驅動的理念，不斷突破技術瓶頸，推出更多高性能、高可靠性的產品。我們相信，在昕感科技的努力下，新能源領域將迎來更加美好的未來。