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標簽 > 擊穿電壓

擊穿電壓

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擊穿電壓技術

CP,FT,WAT都是與芯片的測試有關,他們有什么區別呢?如何區分?

CP是把壞的Die挑出來,可以減少封裝和測試的成本。

2024-05-09 標簽:晶圓芯片封裝擊穿電壓 461 0

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近年IGBT這個專業名詞非常的熱。電子、半導體、汽車、能源、電力、控制系統等行業,好像都涉及到了這個名詞。

2024-04-12 標簽:半導體導通電阻IGBT 438 0

12V系統車燈驅動電源口浪涌過壓防反接防護方案詳解

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從圖中可知,方案針對車燈驅動電路電源輸入口的浪涌過壓防反接防護。在車載12V系統中,電源線上面的瞬態浪涌主要來源于拋負載。

2024-04-07 標簽:TVS二極管驅動電路電源線 737 0

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電源往往是我們在電路設計過程中最容易忽略的環節。作為一款優秀的設計,電源設計應當是很重要的,它很大程度影響了整個系統的性能和成本。

2024-03-22 標簽:電容器電源設計變換器 852 0

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方案優點:本方案采用2級防護,節約空間,提供大浪涌器件前級保護,適合國際市場。后級采用DFN1006-3雙路器件防靜電,滿足IEC61000-4-2,接...

2024-03-18 標簽:ESDTVSUSB端口 200 0

TVS二極管規格書中的工作電壓、擊穿電壓和箝位電壓怎么靈活使用呢

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在TVS二極管的規格書中,工作電壓、擊穿電壓和箝位電壓,帶回掃 TVS,低內阻TVS,這些參數,怎么靈活使用呢?

2024-03-07 標簽:TVS二極管擊穿電壓 503 0

穩壓二極管的主要參數和注意事項!

穩定電壓:穩壓二極管在電路中處于反向擊穿狀態下,輸出的電壓值稱為穩定電壓。不同型號的穩壓二極管具有不同的穩定電壓值,其穩定電壓值會在一定范圍內波動。

2024-01-30 標簽:二極管穩壓二極管電磁干擾 739 0

ESD器件的工作原理?CMOS I/O上的內部ESD保護實現

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靜電保護器件(ESD) 是由一個或多個 TVS 晶粒采用不同的電路拓撲制成具有特定功能的多路或單路 ESD 保護器件。

2024-02-17 標簽:CMOSESD保護擊穿電壓 1749 0

氮化鎵的發展難題及技術突破盤點

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同為第三代半導體材料,氮化鎵時常被人用來與碳化硅作比較,雖然沒有碳化硅發展的時間久,但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、飽和電子漂移速度...

2024-01-10 標簽:半導體氮化鎵MOCVD 1030 0

變壓器的絕緣—線圈絕緣介紹

變壓器絕緣結構是變壓器中非常重要的組成部分,它能夠有效地隔離高壓和低壓部分,保證變壓器的正常運行。

2023-12-22 標簽:絕緣電阻擊穿電壓漏電流 890 0

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擊穿電壓資訊

單光子雪崩探測器SPAD助力激光掃描顯微鏡發展

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據麥姆斯咨詢介紹,單光子雪崩探測器(SPAD)是指工作電壓高于擊穿電壓的APD,也稱為蓋革模式APD,通過配套淬滅電路和讀出電路對雪崩倍增過程進行淬滅和...

2024-05-27 標簽:探測器神經網絡擊穿電壓 182 0

合科泰推出一款經典且常用的TO-220封裝高壓MOS管4N60

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高壓MOS管通常需要較大的柵極電壓,以使MOS管可以承受高電壓和高電流。

2024-04-26 標簽:led照明開關電源MOS管 325 0

華太推出首款高功率高耐壓射頻功放器件—HTH8G02P1K4H(B)

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在當今社會,射頻(RF)技術的進步和應用已經深入到我們日常生活的方方面面,尤其是在工業、科學和醫療(ISM)領域中,射頻器件的應用促進了這些領域技術的飛速發展。

2024-04-10 標簽:UHF擊穿電壓電壓駐波比 247 0

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2024-03-26 標簽:電力系統雪崩擊穿擊穿電壓 679 0

TVS二極管長時間加載Vbr電壓會不會燒毀?

TVS二極管長時間加載Vbr電壓會不會燒毀? 當一個TVS二極管長時間加載其Vbr(反向擊穿電壓)時,不會導致燒毀。事實上,這正是TVS二極管的設計目的...

2024-02-05 標簽:TVS二極管擊穿電壓VBR 1321 0

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目前,以傳統半導體硅(Si)為主要材料的半導體器件仍然主導著電力電子功率元件。

2024-01-25 標簽:led照明半導體氮化鎵 568 0

為什么二極管在線測量時,反向有電壓?

為什么二極管在線測量時,反向有電壓? 二極管是一種電子器件,廣泛應用于電子電路中。在正常工作狀態下,二極管具有正向導電性,也就是指它只能讓電流從正向(即...

2024-01-15 標簽:二極管半導體擊穿電壓 791 0

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2024-01-03 標簽:擊穿電壓浪涌電流半導體放電管 297 0

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瞬態抑制二極管導電特性及選用方法分析? 瞬態抑制二極管是一種用于電路保護的二極管,它具有快速響應和高度可靠的抑制瞬態電壓的能力。在本文中,我們將探討瞬態...

2024-01-03 標簽:二極管擊穿電壓瞬態抑制二極管 287 0

碳化硅二極管的優點和局限性分析

碳化硅二極管的優點和局限性分析 碳化硅(SiC)二極管是一種新型半導體材料,在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應用。與傳統的硅(Si)材料相比,碳化硅二極管...

2023-12-21 標簽:二極管半導體擊穿電壓 701 0

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