華太推出首款高功率高耐壓射頻功放器件—HTH8G02P1K4H(B)

在當今社會，射頻（RF）技術的進步和應用已經深入到我們日常生活的方方面面，尤其是在工業、科學和醫療（ISM）領域中，射頻器件的應用促進了這些領域技術的飛速發展。從加速日常物品的生產過程到提升醫療診療的效率和安全性，再到推動科學研究的邊界，射頻技術在背后發揮著至關重要的作用。

ISM系統解決方案涵蓋了數千種不同的應用，這些應用的操作頻率范圍廣泛，通常從直流（DC）延伸至600MHz，覆蓋了從高頻（HF）到甚高頻（VHF）乃至超高頻（UHF）的頻段。在這些多樣的ISM應用中，由于時間、材料變化和不同的處理過程，負載往往呈現出高度的可變性。這種可變性要求RF功率放大器（RFPA）必須具備極端條件下的高度魯棒性，以應對各種挑戰性的工作環境。

在射頻功率LDMOS技術中，更高的供電電壓使得解決方案制造者能夠通過較少的元件組合達到更高的功率水平，從而提高整個系統的效率、降低成本和減小尺寸。隨著工作電壓提高輸出功率更大，晶體管的阻抗變得更小，這對于器件的設計能力提出了更高的要求。華太目前掌握了從半導體工藝、器件、芯片、封裝結構再到放大器模組的整體方案設計能力，為終端客戶提供快速、高性能、高可靠的解決方案。

HTH8G02P1K4H(B)是華太推出的首款高功率高耐壓射頻功放器件，專為高失配電壓駐波比(VSWR)條件下的使用而設計，通常用于工業、科學和醫學(ISM)應用。器件輸入/輸出均是unmatch設計支持1.8到200MHz的頻率使用。該器件提供了>78%的典型效率和>27dB的高增益，具體增益根據工作頻帶的寬窄有一定的差異。與其30W驅動放大器HTH7G14S030HB結合使用時，整體解決方案提供了優異的性能，且成本頗具競爭力。

50V和65VLDMOS產品系列

高擊穿電壓

增強魯棒性設計

適用于單端或Push-Pull架構等多種形式

高功率高效率高可靠性

內部集成的增強ESD設計

優異的熱穩定性

符合RoHS規范