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CP(Chip Probing)測試也叫晶圓測試(wafer test),也就是在芯片未封裝之前對wafer進行測試,這樣就可以把有問題的芯片在封裝之前剔除出來,節約封裝和FT的成本。...
凸點金屬化是為了將半導體中P-N結的性能引出,其中熱壓倒裝芯片連接最合適的凸點材料是金,凸點可以通過傳統的電解鍍金方法生成,或者采用釘頭凸點方法,后者就是引線鍵合技術中常用的凸點形成工藝。...
WLP 可以有效提高封裝集成度,通常采用倒裝(FC)互連技術,是芯片尺寸封裝 CSP 中空間占用最小的一種。...
WAT需要標注出測試未通過的裸片(die),只需要封裝測試通過的die。 FT是測試已經封裝好的芯片(chip),不合格品檢出。WAT和FT很多項目是重復的,FT多一些功能性測試。WAT需要探針接觸測試點(pad)...
在自然界中,獲取成本最低的半導體就是硅。而硅料的提取是熔煉砂子。提到這里可能有朋友想到“光伏電池片用的也是硅片”。...
先看一些晶圓的基本信息,和工藝路線。 晶圓主要尺寸有4吋,6吋硅片,目前對8吋,12吋硅片的應用在不斷擴大。這些直徑分別為100mm、150mm、200mm、300mm。硅片直徑的增大可降低單個芯片的制造成本。...
封裝的主要生產過程包括:晶圓切割,將晶圓上每一晶粒加以切割分離。粘晶,(Die-Attach)將切割完成的晶粒放置在導線架上。焊線,(WireBond)將晶粒信號接點用金屬線連接至導線架上。...
用于定義晶圓表面特性的 TTV、彎曲和翹曲術語通常在描述晶圓表面光潔度的質量時引用。首先定義以下術語以描述晶圓的各種表面。...
目前最先進的黃光微影制程中,使用ArF準分子雷射(λ=193nm)作為光源。nm為nano-meter,代表10的負九次方。...
當等離子體轉變到這種狀態時,電子密度處于最低水平。一般來說,等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調整脈沖的占空比,可以將時間平均離子能量分布函數進行調整。...
封裝可行性審查應在封裝開發初期進行,審查結果需要提交給芯片和產品設計人員做進一步反饋。完成可行性研究后,須向封裝制造商下訂單,并附上封裝、工具、引線框架和基板的設計圖紙。...
在多層集成電路中,薄的、短的局部互連提供片上連接,而厚的、長的全局互連在不同的塊之間傳輸。正如Lam Research技術總監Larry Zhao所詳細描述的那樣,硅通孔(TSV)允許信號和功率從一層傳輸到下一層。...
隨著晶體管尺寸的逐步縮小,其特征尺寸也在不斷縮小,當特征尺寸到了22nm,平面晶體管由于其柵極對于溝道的控制能力較弱而出現短溝道效應,逐漸被一種新型的晶體管所取代,即鰭式場效應晶體管(Fin FET)。...
光刻材料一般特指光刻膠,又稱為光刻抗蝕劑,是光刻技術中的最關鍵的功能材料。這類材料具有光(包括可見光、紫外光、電子束等)反應特性,經過光化學反應后,其溶解性發生顯著變化。...
摩爾定律是由英特爾創始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出來的。其內容為;集成電路上可容納的品體管數目,約每隔18個月便會增加一倍,性能也將提升一倍。這一定律揭示了信息技術進步的速度。...
芯片制造是當今世界最為復雜的工藝過程。這是一個由眾多頂尖企業共同完成的一個復雜過程。本文努力將這一工藝過程做一個匯總,對這個復雜的過程有一個全面而概括的描述。...
刻蝕過程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側壁,是一種各向異性的刻蝕??涛g后的側壁非常垂直,底部平坦。這是理想的刻蝕形態,它能夠非常精確地復制掩膜上的圖案。...