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半導體工藝制程在進入32nm以下的節點后，每一步都歷盡艱辛，傳統的工藝技術已經無法滿足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又帶來了全新的GAA工藝；而5nm之后的時代，全新GAA技術有望延續現有半導體技術路線的壽命。
半導體工藝制程在進入32nm以下的節點后，每一步都歷盡艱辛，傳統的工藝技術已經無法滿足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又帶來了全新的GAA工藝；而5nm之后的時代，全新GAA技術有望延續現有半導體技術路線的壽命。
目前臺積電、三星、Intel、格芯量產的先進工藝普遍是基于FinFET鰭式晶體管的；但是在5nm之后，FinFET幾乎已經達到了物理極限，其不斷拉高的深度和寬度之比（為了避免短溝道效應，鰭片的寬度應該小于柵極長度的0.7倍），將使得鰭片難以在本身材料內部應力的作用下維持直立形態。
業內各大廠商和著名的研究機構都提出了自己的看法。其中一種比較主流的方式被稱作Gate-All-Around環繞式柵極技術，簡稱為GAA橫向晶體管技術，也可以被稱為GAAFET。在應用了GAA技術后，業內估計基本上可以解決3nm乃至以下尺寸的半導體制造問題。
DPT Double Patterning Technology。double pattern就是先進工藝下底層金屬/poly加工制造的一種技術，先進工...
GAA，一般指全環繞柵極晶體管(Gate-All-Around FET)。GAA被廣泛認為是鰭式結構(FinFET)的下一代接任者。下面簡單介紹一下GA...
為了提供更優良的靜電完整性，三維(3D)設計（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預計將在互補金屬氧化物半導體技術中被采用。3D MOS架構為蝕...
雖然只有12年的歷史，但finFET已經走到了盡頭。從3nm開始，它們將被環柵 (GAA)取代，預計這將對芯片的設計方式產生重大影響。
泛林集團的選擇性刻蝕方法：Argos、Prevos和Selis
微縮（即縮小芯片中的微小器件，如晶體管和存儲單元）從來都不是容易的事情，但要想讓下一代先進邏輯和存儲器件成為現實，就需要在原子級的尺度上創造新的結構。當...
三星電子開始量產其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統
據外媒報道，三星電子已開始量產其首款3nm Gate All Around（GAA）工藝的片上系統（SoC），預計該芯片預計將用于Galaxy S25系列。
電子發燒友網報道（文/周凱揚）作為整個半導體行業的上游，半導體設備廠商的財報向來反映了芯片生產制造需求上所發生的變化。隨著半導體設備大廠們紛紛公布了今年...
近期，科技巨頭三星半導體做出了一個引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
三星與Arm攜手，運用GAA工藝技術提升下一代Cortex-X CPU性能
三星繼續推進工藝技術的進步，近年來首次量產了基于2022年GAA技術的3nm MBCFET ? 。GAA技術不僅能夠大幅減小設備尺寸，降低供電電壓，增強...
增加每個晶體管的納米片數量可以增強驅動電流，從而提高性能。更多的納米片允許更多的電流流過晶體管，從而增強其開關能力和運行速度。此外，更多的納米片可以更好...
半導體設計公司ad technology于10月10日宣布，與海外客戶簽訂了利用gaa（全環繞柵極）結構的3nm基礎2.5d服務器芯片設計合同，并委托三...
自2021年2月Pat Gelsinger重返Intel以來，他在技術實現和財務業績方面一直許愿不斷，卻無法達成目標。如果Gelsinger不盡快取得實...
加里表示：“半導體顧客的力量、性能、大小、費用、上市時間等ppact為中心，展開了激烈的競爭，因此應用材料擁有多種產品組合，gaa和背部供電，和新的一...
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