在LED驅動電源設計領域,不斷追求更高性能和成本效益是行業發展的驅動力。士蘭微電子以先進的高壓MOS工藝平臺為基礎,以其卓越的穩定性和成熟制造工藝,成為LED照明驅動芯片內置MOS的首選。
今天,為你帶來小體積、高效率、低成本的兩級無頻閃隔離LED照明驅動方案。
LED照明驅動新方案
以下是士蘭微電子LED驅動照明帶來的40W(40V/1A)兩級新方案:
SDH7523S+SD7863DL,此DEMO參數對比與原來方案對比一覽圖如下。
經過芯片和電源方案的進一步優化,結合士蘭的硅材料MOS,最新方案將帶來如下更佳的提升和體驗:
整機和變壓器體積下降10%-30%;
整機工作效率提升≥0.3%;
輸出超寬范圍,輸出恒流負載特性優異≤2%;
經濟效益提升,方案成本下降≥¥1(變壓器/PCB/整機外殼/輸出電解等);
相比氮化鎵材料,硅材料多外延工藝MOS更成熟穩定。
40W DEMO整機
后級反激PSR恒流控制器-SD786XDL系列內置Si-MOS(硅材料MOSFET),在搭配前級APFC升壓電路,其MOS的導通損耗占比很小,且IC也工作在BCM臨界導通模式,極大的降低MOS的開關損耗,針對此點,我們重新優化電源設計、提高整機的工作開關頻率,極大限度發揮傳統Si-MOS在LED驅動電源的應用水平。
傳統Si-MOS的成熟穩定,可保證LED驅動產品的更加可靠。士蘭微電子將不斷結合自身的工藝平臺特點,發揮IDM模式的優勢,為客戶帶來成熟穩定且具有成本優勢的解決方案。
審核編輯:劉清
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原文標題:士蘭微電子LED照明驅動兩級無頻閃隔離降本增效方案推薦
文章出處:【微信號:杭州士蘭微電子股份有限公司,微信公眾號:杭州士蘭微電子股份有限公司】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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