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標簽　>　寬帶隙器件

寬帶隙器件

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寬帶隙（WBG）半導體器件的集成在多種技術應用中作為硅技術的替代品是一個不斷增長的市場，它可以提供效率和功率密度的改進，這對能源和成本節約有很大的影響。

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半導體功率轉換拓撲架構和挑戰寬帶隙半導體的技術進展

詳情
知識
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寬帶隙器件簡介

　　寬帶隙（WBG）半導體器件的集成在多種技術應用中作為硅技術的替代品是一個不斷增長的市場，它可以提供效率和功率密度的改進，這對能源和成本節約有很大的影響。

　　WBG具有顯著優勢，例如更高的開關頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。繼續閱讀以了解有關基于WBG的半導體器件的廣泛應用的更多信息。

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